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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 현재- 정류 평균 (IO) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
FDW2503N Fairchild Semiconductor FDW2503N 0.4400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) FDW25 MOSFET (금속 (() 600MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 20V 5.5A 21mohm @ 5.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 17NC @ 4.5V 1082pf @ 10v 논리 논리 게이트
PN2222ANLBU Fairchild Semiconductor PN2222ANLBU 1.0000
RFQ
ECAD 3032 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92-3 - Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 10,000 40 v 1 a 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
HGTP14N36G3VL Fairchild Semiconductor HGTP14N36G3VL -
RFQ
ECAD 8017 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 논리 100 W. TO-220AB - 2156-HGTP14N36G3VL 1 - 도랑 390 v 18 a 2.2V @ 5V, 14a - 24 NC -
FDMC7692S-F126 Fairchild Semiconductor FDMC7692S-F126 -
RFQ
ECAD 9784 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8MLP (3.3x3.3) - 2156-FDMC7692S-F126 1 n 채널 30 v 12.5A (TA), 18A (TC) 4.5V, 10V 9.3mohm @ 12.5a, 10V 3V @ 1mA 23 nc @ 10 v ± 20V 1385 pf @ 15 v - 2.3W (TA), 27W (TC)
FQP3N80C Fairchild Semiconductor FQP3N80C 0.7500
RFQ
ECAD 53 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 401 n 채널 800 v 3A (TC) 10V 4.8ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 250µA 16.5 nc @ 10 v ± 30V 705 pf @ 25 v - 107W (TC)
KSD1616LBU Fairchild Semiconductor KSD1616LBU 0.0700
RFQ
ECAD 10 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 750 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 50ma, 1a 300 @ 100MA, 2V 160MHz
FSAM10SM60A Fairchild Semiconductor FSAM10SM60A 17.5200
RFQ
ECAD 141 0.00000000 페어차일드 페어차일드 SPM® 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 32-powerdip ower (1.370 ", 34.80mm) IGBT 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 8 3 단계 10 a 600 v 2500VRMS
FSBF10CH60BTSL Fairchild Semiconductor FSBF10CH60BTSL 14.9000
RFQ
ECAD 130 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 1
DF10S1 Fairchild Semiconductor DF10S1 0.3400
RFQ
ECAD 82 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 4-SDIP 다운로드 귀 99 8541.10.0080 882 1.1 v @ 1 a 3 µa @ 1 v 1 a 단일 단일 1kv
FLZ3V3A Fairchild Semiconductor flz3v3a 0.0200
RFQ
ECAD 75 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.2 v @ 200 ma 14 µa @ 1 v 3.3 v 35 옴
SGH40N60UFTU Fairchild Semiconductor sgh40n60uftu 3.7900
RFQ
ECAD 900 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 SGH40N60 기준 160 W. to-3p 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 300V, 20A, 10ohm, 15V - 600 v 40 a 160 a 2.6V @ 15V, 20A 160µJ (on), 200µJ (OFF) 97 NC 15ns/65ns
FDP39N20 Fairchild Semiconductor FDP39N20 1.5900
RFQ
ECAD 500 0.00000000 페어차일드 페어차일드 unifet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 200 v 39A (TC) 10V 66MOHM @ 19.5A, 10V 5V @ 250µA 49 NC @ 10 v ± 30V 2130 pf @ 25 v - 251W (TC)
MPSH24 Fairchild Semiconductor MPSH24 -
RFQ
ECAD 3934 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 3,322 30 v 50 MA 50NA (ICBO) NPN - 30 @ 8ma, 10V 400MHz
2SJ646-TL-E Fairchild Semiconductor 2SJ646-TL-E 0.2100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 공급 공급 정의되지 업체는 2156-2SJ646-TL-E-600039 1
FDN357N Fairchild Semiconductor FDN357N 0.1500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 귀 99 8541.21.0095 1,976 n 채널 30 v 1.9A (TA) 4.5V, 10V 60mohm @ 2.2a, 10V 2V @ 250µA 5.9 NC @ 5 v ± 20V 235 pf @ 10 v - 500MW (TA)
SI3441DV Fairchild Semiconductor SI3441DV -
RFQ
ECAD 2419 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() SUPERSOT ™ -6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 3.5A (TA) 2.5V, 4.5V 80mohm @ 3.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 8V 779 pf @ 10 v - 800MW (TA)
GBU6K Fairchild Semiconductor GBU6K 0.5800
RFQ
ECAD 1860 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에시, GBU 기준 GBU 다운로드 귀 99 8541.10.0080 58 1 V @ 6 a 5 µa @ 800 v 4.2 a 단일 단일 800 v
PN3642 Fairchild Semiconductor PN3642 0.0500
RFQ
ECAD 9 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,000 45 v 500 MA 50NA NPN 220mv @ 15ma, 150ma 40 @ 150ma, 10V -
SJD127T4G Fairchild Semiconductor SJD127T4G 0.3300
RFQ
ECAD 32 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-SJD127T4G-600039 귀 99 8541.29.0095 998
HUFA75344P3 Fairchild Semiconductor hufa75344p3 0.9700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 8mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 210 nc @ 20 v ± 20V 3200 pf @ 25 v - 285W (TC)
HUFA75321S3ST Fairchild Semiconductor hufa75321s3st 0.7700
RFQ
ECAD 16 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 35A (TC) 10V 34mohm @ 35a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 20 v ± 20V 680 pf @ 25 v - 93W (TC)
HUF76645P3 Fairchild Semiconductor HUF76645P3 1.8700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 100 v 75A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 75a, 10V 3V @ 250µA 153 NC @ 10 v ± 16V 4400 pf @ 25 v - 310W (TC)
PN3643 Fairchild Semiconductor PN3643 0.0400
RFQ
ECAD 40 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,000 30 v 500 MA 50NA NPN 220mv @ 15ma, 150ma 100 @ 150ma, 10V -
KSD1408OTU Fairchild Semiconductor KSD1408OTU 1.0000
RFQ
ECAD 9824 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 25 W. TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 80 v 4 a 30µA (ICBO) NPN 1.5V @ 300MA, 3A 70 @ 500ma, 5V 8MHz
HUF75645S3S Fairchild Semiconductor HUF75645S3S 0.8700
RFQ
ECAD 375 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 100 v 75A (TC) 10V 14mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 238 NC @ 20 v ± 20V 3790 pf @ 25 v - 310W (TC)
BC238BBU Fairchild Semiconductor BC238BBU 0.0200
RFQ
ECAD 5464 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92-3 - Rohs3 준수 2156-BC238BBU-FS 귀 99 8541.21.0075 1,000 25 v 100 MA 15NA NPN 600mv @ 5ma, 100ma 180 @ 2MA, 5V 250MHz
BZX79C36-T50A Fairchild Semiconductor BZX79C36-T50A 0.0200
RFQ
ECAD 55 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 100 ma 50 na @ 25.2 v 36 v 90 옴
KSB1151YS Fairchild Semiconductor KSB1151YS 0.3600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 1.3 w TO-126-3 다운로드 0000.00.0000 838 60 v 5 a 10µA (ICBO) PNP 300mv @ 200ma, 2a 100 @ 2a, 1v -
FSAM75SM60SL Fairchild Semiconductor FSAM75SM60SL 46.6600
RFQ
ECAD 240 0.00000000 페어차일드 페어차일드 SPM® 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 32-powerdip ower (1.370 ", 34.80mm) IGBT FSAM75 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 3 단계 75 a 600 v 2500VRMS
MMBT4401 Fairchild Semiconductor MMBT4401 -
RFQ
ECAD 1454 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 15,000 40 v 600 MA 100NA NPN 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 1V 250MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고