| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 에 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 테스트 조건 | 현재의 | 전압 | 전압 - 절연 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 카드가 사라졌습니다 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | 다이오드 | 전압 - 역방향(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FQP18N50V2 | 4.0400 | ![]() | 590 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 500V | 18A(TC) | 10V | 265m옴 @ 9A, 10V | 5V @ 250μA | 55nC @ 10V | ±30V | 3290pF @ 25V | - | 208W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8025S | 0.5800 | ![]() | 171 | 0.00000000 | 비교차일드 | PowerTrench®, SyncFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | MOSFET(금속) | 8-PQFN(5x6) | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 563 | N채널 | 30V | 24A(Ta), 49A(Tc) | 4.5V, 10V | 2.8m옴 @ 24A, 10V | 3V @ 1mA | 47nC @ 10V | ±20V | 15V에서 3000pF | - | 2.5W(Ta), 50W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75433S3ST | 1.1800 | ![]() | 520 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-HUFA75433S3ST | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 60V | 64A(티씨) | 10V | 16m옴 @ 64A, 10V | 4V @ 250μA | 117nC @ 20V | ±20V | 25V에서 1550pF | - | 150W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMSD459A | - | ![]() | 5817 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | SOD-123 | MMSD45 | 기준 | SOD-123 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 150°C(최대) | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FLZ24VC | 0.0200 | ![]() | 9869 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±3% | -65°C ~ 175°C | 표면 실장 | DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 | 500mW | SOD-80 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0050 | 9,784 | 1.2V @ 200mA | 19V에서 133nA | 23.8V | 29옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC1008YBU | 0.0600 | ![]() | 390 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 800mW | TO-92-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,323 | 60V | 700mA | 100nA(ICBO) | NPN | 400mV @ 50mA, 500mA | 120@50mA, 2V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DFB2080 | 1.3600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | 4-SIP, TS-6P | 기준 | TS-6P | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0080 | 222 | 1.1V @ 20A | 800V에서 10μA | 20A | 단상 | 800V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSR17A | - | ![]() | 5551 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350mW | SOT-23-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 40V | 200mA | 5μA(ICBO) | NPN | 300mV @ 5mA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RHRP30120 | - | ![]() | 9134 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | TO-220-2 | 기준 | TO-220AC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1200V | 3.2V @ 30A | 85ns | 1200V에서 250μA | -65°C ~ 175°C | 30A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA1013OTA | 0.1100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리(성형 리드) | KSA1013 | 900mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 2,664 | 160V | 1A | 1μA(ICBO) | PNP | 1.5V @ 50mA, 500mA | 100 @ 200mA, 5V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC5200OTU | 0.4900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-264-3, TO-264AA | KSC5200 | 130W | HPM F2 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 230V | 13A | NPN | 3V @ 800mA, 8A | 80 @ 1A, 5V | 30MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75307D3ST_NL | 0.3300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 55V | 15A(Tc) | 10V | 90m옴 @ 15A, 10V | 4V @ 250μA | 20nC @ 20V | ±20V | 25V에서 250pF | - | 45W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJN4302RTA | 0.0300 | ![]() | 7488 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | FJN430 | 300mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 472 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | PNP - 사전 바이어스됨 | 500μA, 10mA에서 300mV | 30 @ 5mA, 5V | 200MHz | 10kΩ | 10kΩ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJN3309RTA | 0.0200 | ![]() | 156 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | FJN330 | 300mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 40V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN - 사전 바이어스됨 | 300mV @ 1mA, 10mA | 100 @ 1mA, 5V | 250MHz | 4.7kΩ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGW23N60UFDTM | 0.8300 | ![]() | 48 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | SGW23 | 기준 | 100W | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 300V, 12A, 23옴, 15V | 60ns | - | 600V | 23A | 92A | 2.6V @ 15V, 12A | 115μJ(켜짐), 135μJ(꺼짐) | 49nC | 17ns/60ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS9933BZ | 0.5100 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | FDS99 | MOSFET(금속) | 900mW | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 P채널(듀얼) | 20V | 4.9A | 46m옴 @ 4.9A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 15nC @ 4.5V | 985pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB16N15TM | 0.7200 | ![]() | 959 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 150V | 16.4A(Tc) | 10V | 160m옴 @ 8.2A, 10V | 4V @ 250μA | 30nC @ 10V | ±25V | 25V에서 910pF | - | 3.75W(Ta), 108W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC1623LMTF | - | ![]() | 9122 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 200mW | SOT-23-3 | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-KSC1623LMTF-600039 | 1 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN | 300mV @ 10mA, 100mA | 300@1mA, 6V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBU8K | 0.5400 | ![]() | 7963 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | 4-SIP, KBU | 기준 | KBU | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1V @ 8A | 800V에서 10μA | 8A | 단상 | 800V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSB50325T | 7.2900 | ![]() | 189 | 0.00000000 | 비교차일드 | 모션 SPM® 5 | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | 23-PowerSMD 모듈, 갈매기 날개 | MOSFET | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 3상 인버터 | 1.5A | 250V | 1500Vrms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9N310AD3 | 0.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 스텁 레코드, IPak | MOSFET(금속) | TO-251(IPAK) | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 30V | 35A(Tc) | 4.5V, 10V | 10옴 @ 35A, 10A | 3V @ 250μA | 48nC @ 10V | ±20V | 15V에서 1800pF | - | 70W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA56 | - | ![]() | 3175 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,115 | 80V | 500mA | 100nA | PNP | 200mV @ 10mA, 100mA | 100 @ 100mA, 1V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP5N30 | 0.4400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 300V | 5.4A(Tc) | 10V | 900m옴 @ 2.7A, 10V | 5V @ 250μA | 13nC @ 10V | ±30V | 25V에서 430pF | - | 70W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD050N03B | 1.0000 | ![]() | 7543 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 30V | 50A(Tc) | 4.5V, 10V | 5m옴 @ 25A, 10V | 3V @ 250μA | 43nC @ 10V | ±16V | 2875pF @ 15V | - | 65W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDH8502P | 0.5900 | ![]() | 53 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-TSOP(0.130", 3.30mm 너비) | NDH8502 | MOSFET(금속) | 800mW(타) | SuperSOT™-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 P채널(듀얼) | 30V | 2.2A(타) | 110m옴 @ 2.2A, 10V | 3V @ 250μA | 14.5nC @ 10V | 340pF @ 15V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP115 | 1.0000 | ![]() | 4881 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | TIP115 | 2W | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60V | 2A | 2mA | PNP-달링턴 | 2.5V @ 8mA, 2A | 1000 @ 1A, 4V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75344G3 | 2.3600 | ![]() | 96 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | MOSFET(금속) | TO-247 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 300 | N채널 | 55V | 75A(Tc) | 10V | 8m옴 @ 75A, 10V | 4V @ 250μA | 210nC @ 20V | ±20V | 3200pF @ 25V | - | 285W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJPF13007TU | 0.2900 | ![]() | 8670 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | 40W | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V | 8A | - | NPN | 3V @ 2A, 8A | 8 @ 2A, 5V | 4MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDC6320C | 0.2200 | ![]() | 275 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 | FDC6320 | MOSFET(금속) | 700mW | SuperSOT™-6 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N 및 P 채널 | 25V | 220mA, 120mA | 4옴 @ 400mA, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 0.4nC @ 4.5V | 9.5pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC546B | - | ![]() | 8350 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 65V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2mA, 5V | 300MHz |

일일 평균 견적 요청량

표준제품단위

전세계 제조업체

재고 창고