| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 테스트 조건 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 관리요금 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | 다이오드 | 전압 - 역방향(최대) | 전압 - 출력(V(BR)GSS) | - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) | 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 저항 - RDS(켜짐) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GBPC2506 | - | ![]() | 6367 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -65°C ~ 150°C (TJ) | QC 터미널 | 4 평방, GBPC | 기준 | GBPC | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 1.1V @ 12.5A | 600V에서 5μA | 25A | 단상 | 600V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDZ7064AS | 0.8500 | ![]() | 34 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 30-WFBGA | MOSFET(금속) | 30-BGA(4x3.5) | 다운로드 | RoHS 비준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 13.5A(타) | 4.5V, 10V | 5.6m옴 @ 13.5A, 10V | 3V @ 1mA | 51nC @ 10V | ±20V | 1960pF @ 15V | - | 2.2W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFS9Z24 | 0.3900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | P채널 | 60V | 7.5A(Tc) | 10V | 280m옴 @ 3.8A, 10V | 4V @ 250μA | 19nC @ 10V | ±30V | 25V에서 600pF | - | 29W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPF10N50UT | 0.8600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | UniFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 351 | N채널 | 500V | 8A(TC) | 10V | 1.05옴 @ 4A, 10V | 5V @ 250μA | 24nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1130pF | - | 42W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FLZ30VA | 0.0200 | ![]() | 36 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±3% | -65°C ~ 175°C | 표면 실장 | DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 | 500mW | SOD-80 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2V @ 200mA | 133nA @ 23V | 27.7V | 46옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN2222ANLBU | 1.0000 | ![]() | 3032 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625mW | TO-92-3 | - | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 40V | 1A | 10nA(ICBO) | NPN | 1V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS015N04B | 1.0000 | ![]() | 8411 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | MOSFET(금속) | 8-PQFN(5x6) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 40V | 31.3A(Ta), 100A(Tc) | 10V | 1.5m옴 @ 50A, 10V | 4V @ 250μA | 118nC @ 10V | ±20V | 20V에서 8725pF | - | 2.5W(Ta), 104W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMKA130L | - | ![]() | 1927년 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | DO-214AC, SMA | 쇼트키 | DO-214AC(SMA) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0080 | 4,121 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 30V | 410mV @ 1A | 30V에서 1mA | -65°C ~ 125°C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS1KFA | - | ![]() | 7709 | 0.00000000 | 비교차일드 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | SOD-123W | RS1K | 기준 | SOD-123FA | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 800V | 1.3V @ 800mA | 500ns | 800V에서 5μA | -55°C ~ 150°C | 800mA | 10pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJP3835TU | 0.1800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 50W | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,767 | 120V | 8A | 100μA(ICBO) | NPN | 500mV @ 300mA, 3A | 120 @ 3A, 4V | 30MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5550BU | 0.0200 | ![]() | 7394 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 13,374 | 140V | 600mA | 100nA(ICBO) | NPN | 250mV @ 5mA, 50mA | 60 @ 10mA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJE180STU | 0.2700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-225AA, TO-126-3 | 1.5W | TO-126-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,093 | 40V | 3A | 100μA(ICBO) | NPN | 1.7V @ 600mA, 3A | 50 @ 100mA, 1V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FLZ36VC | 0.0200 | ![]() | 9474 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±3% | -65°C ~ 175°C | 표면 실장 | DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 | 500mW | SOD-80 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0050 | 4,513 | 1.2V @ 200mA | 133nA @ 27V | 34.3V | 63옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP16N15 | 0.6400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 150V | 16.4A(Tc) | 10V | 160m옴 @ 8.2A, 10V | 4V @ 250μA | 30nC @ 10V | ±25V | 25V에서 910pF | - | 108W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSB1151YSTU | 0.3900 | ![]() | 35 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-225AA, TO-126-3 | 1.3W | TO-126-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 831 | 60V | 5A | 10μA(ICBO) | PNP | 300mV @ 200mA, 2A | 160 @ 2A, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9V3036P3 | 1.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | EcoSPARK® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 논리 | 150W | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | 300V, 1k옴, 5V | - | 360V | 21A | 1.6V @ 4V, 6A | - | 17nC | -/4.8μs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCPF650N80Z | - | ![]() | 9256 | 0.00000000 | 비교차일드 | SuperFET® II | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | FCPF650 | MOSFET(금속) | TO-220F | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 800V | 8A(TC) | 10V | 650m옴 @ 4A, 10V | 800μA에서 4.5V | 35nC @ 10V | ±20V | 100V에서 1565pF | - | 30.5W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC5024RTU | 0.6700 | ![]() | 496 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3, SC-65-3 | 90W | TO-3PN | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 496 | 500V | 10A | 10μA(ICBO) | NPN | 1V @ 800mA, 4A | 15 @ 800mA, 5V | 18MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA1625KTA | 0.0700 | ![]() | 27 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 750mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 400V | 500mA | 1μA(ICBO) | PNP | 1V @ 10mA, 100mA | 100 @ 50mA, 5V | 10MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSP1N50B | 0.3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 520V | 1.5A(Tc) | 10V | 5.3옴 @ 750mA, 10V | 4V @ 250μA | 11nC @ 10V | ±30V | 340pF @ 25V | - | 36W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KA33VTA | 0.0500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | ±6% | -20°C ~ 75°C | 스루홀 | TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) | KA33 | 200mW | TO-92-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 33V | 25옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS8550BTA | 0.0200 | ![]() | 3697 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 1W | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 25V | 1.5A | 100nA(ICBO) | PNP | 500mV @ 80mA, 800mA | 85 @ 100mA, 1V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C4V7 | 0.0300 | ![]() | 37 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | - | 스루홀 | DO-204AL, DO-41, 축방향 | BZX85C4 | 1.3W | DO-41G | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2V @ 200mA | 3μA @ 1V | 4.7V | 13옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GF1G | - | ![]() | 4274 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | DO-214AC, SMA | 기준 | DO-214AC(SMA) | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 400V | 1V @ 1A | 2μs | 400V에서 5μA | -65°C ~ 175°C | 1A | 15pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS3622S | - | ![]() | 2375 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | FDMS3622 | MOSFET(금속) | 1W | 파워56 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 N채널(이중) 배열 | 25V | 17.5A, 34A | 5m옴 @ 17.5A, 10V | 2V @ 250μA | 26nC @ 10V | 1570pF @ 13V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGA90N30DTU | 2.5200 | ![]() | 70 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3, SC-65-3 | 기준 | 219W | TO-3P | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 21ns | - | 300V | 90A | 220A | 1.4V @ 15V, 20A | - | 87nC | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDP708AE | 2.2600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156P708AE-600039 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J107 | - | ![]() | 7283 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0095 | 108 | N채널 | - | 25V | 100mA @ 15V | 500mV @ 1μA | 8옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FLZ13VC | 0.0200 | ![]() | 7129 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±3% | -65°C ~ 175°C | 표면 실장 | DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 | 500mW | SOD-80 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,515 | 1.2V @ 200mA | 133nA @ 10V | 13.3V | 11.4옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC6296 | 0.6000 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-파워WDFN | MOSFET(금속) | 8-MLP(3.3x3.3) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 11.5A(타) | 4.5V, 10V | 10.5m옴 @ 11.5A, 10V | 3V @ 250μA | 19nC @ 5V | ±20V | 15V에서 2141pF | - | 900mW(Ta), 2.1W(Tc) |

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