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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C 다이오드 전압 - 역방향(최대) 전압 - 출력(V(BR)GSS) - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 저항 - RDS(켜짐) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
HUF76113T3ST Fairchild Semiconductor HUF76113T3ST 0.5500
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ECAD 34 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA MOSFET(금속) SOT-223-4 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 4.7A(타) 4.5V, 10V 31m옴 @ 4.7A, 10V 3V @ 250μA 20.5nC @ 10V ±20V 25V에서 625pF - 1.1W(타)
FDFMA2P859T Fairchild Semiconductor FDFMA2P859T 0.2700
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ECAD 14 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-UDFN 옆패드 MOSFET(금속) MicroFET 2x2 전면 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 3A(타) 1.8V, 4.5V 120m옴 @ 3A, 4.5V 1.3V @ 250μA 6nC @ 4.5V ±8V 10V에서 435pF 쇼트키 다이오드(절연) 1.4W(타)
FDS6676AS Fairchild Semiconductor FDS6676AS 0.5300
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ECAD 5 0.00000000 비교차일드 PowerTrench®, SyncFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) FDS66 MOSFET(금속) 8-SOIC 다운로드 EAR99 8542.39.0001 614 N채널 30V 14.5A(타) 4.5V, 10V 6m옴 @ 14.5A, 10V 3V @ 1mA 63nC @ 10V ±20V 2510pF @ 15V - 2.5W(타)
FES16DTR Fairchild Semiconductor FES16DTR 1.0000
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ECAD 3870 0.00000000 비교차일드 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-220-2 기준 TO-220-2 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 200V 950mV @ 8A 35ns 200V에서 10μA -65°C ~ 150°C 16A 170pF @ 4V, 1MHz
FQB8P10TM Fairchild Semiconductor FQB8P10TM -
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ECAD 5986 0.00000000 비교차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 P채널 100V 8A(TC) 10V 530m옴 @ 4A, 10V 4V @ 250μA 15nC @ 10V ±30V 470pF @ 25V - 3.75W(Ta), 65W(Tc)
FDMS8558SDC Fairchild Semiconductor FDMS8558SDC -
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ECAD 2392 0.00000000 비교차일드 PowerTrench®, SyncFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) 8-PQFN(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 3,000 N채널 25V 38A(Ta), 90A(Tc) 1.5m옴 @ 38A, 10V 2.2V @ 1mA 81nC @ 10V ±12V 13V에서 5118pF - 3.3W(Ta), 89W(Tc)
IRFW530ATM Fairchild Semiconductor IRFW530ATM 0.3000
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ECAD 2 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 1 N채널 100V 14A(TC) 10V 110m옴 @ 7A, 10V 4V @ 250μA 36nC @ 10V ±20V 25V에서 790pF - 3.8W(Ta), 55W(Tc)
BZX55C5V6 Fairchild Semiconductor BZX55C5V6 0.0400
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ECAD 149 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±7% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 500mW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.10.0050 1,000 1.3V @ 100mA 100nA @ 1V 5.6V 25옴
BC556ABU Fairchild Semiconductor BC556ABU 0.0400
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ECAD 14 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500mW TO-92-3 다운로드 EAR99 8541.21.0075 8,435 65V 100mA 15nA(ICBO) PNP 650mV @ 5mA, 100mA 110 @ 2mA, 5V 150MHz
HUFA76429D3_NL Fairchild Semiconductor HUFA76429D3_NL 0.4800
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ECAD 4596 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 197 N채널 60V 20A(TC) 4.5V, 10V 23m옴 @ 20A, 10V 3V @ 250μA 46nC @ 10V ±16V 25V에서 1480pF - 110W(Tc)
KSH117TF Fairchild Semiconductor KSH117TF -
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ECAD 3635 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 1.75W TO-252-3(DPAK) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 2,000 100V 2A 20μA PNP-달링턴 3V @ 40mA, 4A 1000 @ 2A, 3V 25MHz
MJE180STU Fairchild Semiconductor MJE180STU 0.2700
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ECAD 3 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-225AA, TO-126-3 1.5W TO-126-3 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1,093 40V 3A 100μA(ICBO) NPN 1.7V @ 600mA, 3A 50 @ 100mA, 1V 50MHz
FJP3835TU Fairchild Semiconductor FJP3835TU 0.1800
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ECAD 1 0.00000000 비교차일드 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 50W TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0075 1,767 120V 8A 100μA(ICBO) NPN 500mV @ 300mA, 3A 120 @ 3A, 4V 30MHz
KSA1625KTA Fairchild Semiconductor KSA1625KTA 0.0700
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ECAD 27 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 750mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0095 2,000 400V 500mA 1μA(ICBO) PNP 1V @ 10mA, 100mA 100 @ 50mA, 5V 10MHz
KSC5024RTU Fairchild Semiconductor KSC5024RTU 0.6700
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ECAD 496 0.00000000 비교차일드 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 90W TO-3PN 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 496 500V 10A 10μA(ICBO) NPN 1V @ 800mA, 4A 15 @ 800mA, 5V 18MHz
KBU6J Fairchild Semiconductor KBU6J 0.7100
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ECAD 5162 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 4-SIP, KBU 기준 KBU 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.10.0080 84 1V @ 6A 50V에서 10μA 6A 단상 600V
KSP42ATA Fairchild Semiconductor KSP42ATA 0.0200
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ECAD 8243 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 KSP42 625mW TO-92-3 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0095 1 300V 500mA 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 2mA, 20mA 40 @ 30mA, 10V 50MHz
BZX79C51-T50A Fairchild Semiconductor BZX79C51-T50A 0.0200
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ECAD 15 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 BZX79C51 500mW DO-35 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5V @ 100mA 500nA @ 35.7V 51V 180옴
1N4148_NL Fairchild Semiconductor 1N4148_NL 0.0200
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ECAD 136 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 1N4148 기준 DO-35 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 1 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 100V 1V @ 10mA 4ns 75V에서 5μA -65°C ~ 175°C 200mA 4pF @ 0V, 1MHz
RS1KFA Fairchild Semiconductor RS1KFA -
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ECAD 7709 0.00000000 비교차일드 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 표면 실장 SOD-123W RS1K 기준 SOD-123FA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 800V 1.3V @ 800mA 500ns 800V에서 5μA -55°C ~ 150°C 800mA 10pF @ 4V, 1MHz
FDMS015N04B Fairchild Semiconductor FDMS015N04B 1.0000
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ECAD 8411 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) 8-PQFN(5x6) 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 40V 31.3A(Ta), 100A(Tc) 10V 1.5m옴 @ 50A, 10V 4V @ 250μA 118nC @ 10V ±20V 20V에서 8725pF - 2.5W(Ta), 104W(Tc)
FMKA130L Fairchild Semiconductor FMKA130L -
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ECAD 1927년 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 DO-214AC, SMA 쇼트키 DO-214AC(SMA) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.10.0080 4,121 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 410mV @ 1A 30V에서 1mA -65°C ~ 125°C 1A -
2N5550BU Fairchild Semiconductor 2N5550BU 0.0200
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ECAD 7394 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 13,374 140V 600mA 100nA(ICBO) NPN 250mV @ 5mA, 50mA 60 @ 10mA, 5V 300MHz
FDPC1002S Fairchild Semiconductor FDPC1002S 0.3900
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ECAD 10 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C 표면 실장 8-파워WDFN FDPC1 MOSFET(금속) 1.6W(타), 2W(타) 파워클립-33 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 2 N채널(듀얼) 25V 13A(Ta), 20A(Tc), 27A(Ta), 60A(Tc) 6m옴 @ 13A, 10V, 1.8m옴 @ 27A, 10V 2.2V @ 250μA, 2.2V @ 1mA 19nC @ 10V, 64nC @ 10V 13V에서 1240pF, 13V에서 4335pF -
BC557BTF Fairchild Semiconductor BC557BTF -
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ECAD 5902 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 500mW TO-92-3 다운로드 EAR99 8541.21.0075 934 45V 100mA 15nA(ICBO) PNP 650mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2mA, 5V 150MHz
FQPF8N90C Fairchild Semiconductor FQPF8N90C 1.1700
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ECAD 2 0.00000000 비교차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 FQPF8 MOSFET(금속) TO-220F 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 900V 6.3A(Tc) 10V 1.9옴 @ 3.15A, 10V 5V @ 250μA 45nC @ 10V ±30V 2080pF @ 25V - 60W(Tc)
SGW13N60UFDTM Fairchild Semiconductor SGW13N60UFDTM 1.7100
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ECAD 1 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB SGW13 기준 60W D2PAK (TO-263) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 800 300V, 6.5A, 50옴, 15V 55ns - 600V 13A 52A 2.6V @ 15V, 6.5A 85μJ(켜짐), 95μJ(꺼짐) 25nC 20ns/70ns
FQD7N20LTM Fairchild Semiconductor FQD7N20LTM -
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ECAD 2891 0.00000000 비교차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 200V 5.5A(Tc) 5V, 10V 750m옴 @ 2.75A, 10V 2V @ 250μA 9nC @ 5V ±20V 25V에서 500pF - 2.5W(Ta), 45W(Tc)
FDB6670S Fairchild Semiconductor FDB6670S 2.4900
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ECAD 19 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) TO-263AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 30V 62A(타) 4.5V, 10V 8.5m옴@ 31A, 10V 3V @ 1mA 32nC @ 5V ±20V 2639pF @ 15V - 62.5W(Tc)
J106 Fairchild Semiconductor J106 -
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ECAD 1489 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625mW TO-92-3 다운로드 EAR99 8541.21.0095 1 N채널 - 25V 15V에서 200mA 2V @ 1μA 6옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고