| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급업체 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 테스트 조건 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 관리요금 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | 다이오드 | 전압 - 역방향(최대) | 전압 - 출력(V(BR)GSS) | - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) | 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 저항 - RDS(켜짐) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HUF76113T3ST | 0.5500 | ![]() | 34 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET(금속) | SOT-223-4 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 4.7A(타) | 4.5V, 10V | 31m옴 @ 4.7A, 10V | 3V @ 250μA | 20.5nC @ 10V | ±20V | 25V에서 625pF | - | 1.1W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDFMA2P859T | 0.2700 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-UDFN 옆패드 | MOSFET(금속) | MicroFET 2x2 전면 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P채널 | 20V | 3A(타) | 1.8V, 4.5V | 120m옴 @ 3A, 4.5V | 1.3V @ 250μA | 6nC @ 4.5V | ±8V | 10V에서 435pF | 쇼트키 다이오드(절연) | 1.4W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6676AS | 0.5300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 비교차일드 | PowerTrench®, SyncFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | FDS66 | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 614 | N채널 | 30V | 14.5A(타) | 4.5V, 10V | 6m옴 @ 14.5A, 10V | 3V @ 1mA | 63nC @ 10V | ±20V | 2510pF @ 15V | - | 2.5W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FES16DTR | 1.0000 | ![]() | 3870 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-220-2 | 기준 | TO-220-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 200V | 950mV @ 8A | 35ns | 200V에서 10μA | -65°C ~ 150°C | 16A | 170pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB8P10TM | - | ![]() | 5986 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | P채널 | 100V | 8A(TC) | 10V | 530m옴 @ 4A, 10V | 4V @ 250μA | 15nC @ 10V | ±30V | 470pF @ 25V | - | 3.75W(Ta), 65W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8558SDC | - | ![]() | 2392 | 0.00000000 | 비교차일드 | PowerTrench®, SyncFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | MOSFET(금속) | 8-PQFN(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 3,000 | N채널 | 25V | 38A(Ta), 90A(Tc) | 1.5m옴 @ 38A, 10V | 2.2V @ 1mA | 81nC @ 10V | ±12V | 13V에서 5118pF | - | 3.3W(Ta), 89W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFW530ATM | 0.3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 100V | 14A(TC) | 10V | 110m옴 @ 7A, 10V | 4V @ 250μA | 36nC @ 10V | ±20V | 25V에서 790pF | - | 3.8W(Ta), 55W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C5V6 | 0.0400 | ![]() | 149 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±7% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 500mW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.3V @ 100mA | 100nA @ 1V | 5.6V | 25옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC556ABU | 0.0400 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,435 | 65V | 100mA | 15nA(ICBO) | PNP | 650mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2mA, 5V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76429D3_NL | 0.4800 | ![]() | 4596 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 197 | N채널 | 60V | 20A(TC) | 4.5V, 10V | 23m옴 @ 20A, 10V | 3V @ 250μA | 46nC @ 10V | ±16V | 25V에서 1480pF | - | 110W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSH117TF | - | ![]() | 3635 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 1.75W | TO-252-3(DPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 2,000 | 100V | 2A | 20μA | PNP-달링턴 | 3V @ 40mA, 4A | 1000 @ 2A, 3V | 25MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJE180STU | 0.2700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-225AA, TO-126-3 | 1.5W | TO-126-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,093 | 40V | 3A | 100μA(ICBO) | NPN | 1.7V @ 600mA, 3A | 50 @ 100mA, 1V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJP3835TU | 0.1800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 50W | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,767 | 120V | 8A | 100μA(ICBO) | NPN | 500mV @ 300mA, 3A | 120 @ 3A, 4V | 30MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA1625KTA | 0.0700 | ![]() | 27 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 750mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 400V | 500mA | 1μA(ICBO) | PNP | 1V @ 10mA, 100mA | 100 @ 50mA, 5V | 10MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC5024RTU | 0.6700 | ![]() | 496 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3, SC-65-3 | 90W | TO-3PN | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 496 | 500V | 10A | 10μA(ICBO) | NPN | 1V @ 800mA, 4A | 15 @ 800mA, 5V | 18MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KBU6J | 0.7100 | ![]() | 5162 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | 4-SIP, KBU | 기준 | KBU | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0080 | 84 | 1V @ 6A | 50V에서 10μA | 6A | 단상 | 600V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSP42ATA | 0.0200 | ![]() | 8243 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | KSP42 | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 300V | 500mA | 100nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 2mA, 20mA | 40 @ 30mA, 10V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C51-T50A | 0.0200 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | BZX79C51 | 500mW | DO-35 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5V @ 100mA | 500nA @ 35.7V | 51V | 180옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4148_NL | 0.0200 | ![]() | 136 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 1N4148 | 기준 | DO-35 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 100V | 1V @ 10mA | 4ns | 75V에서 5μA | -65°C ~ 175°C | 200mA | 4pF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS1KFA | - | ![]() | 7709 | 0.00000000 | 비교차일드 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | SOD-123W | RS1K | 기준 | SOD-123FA | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 800V | 1.3V @ 800mA | 500ns | 800V에서 5μA | -55°C ~ 150°C | 800mA | 10pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS015N04B | 1.0000 | ![]() | 8411 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | MOSFET(금속) | 8-PQFN(5x6) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 40V | 31.3A(Ta), 100A(Tc) | 10V | 1.5m옴 @ 50A, 10V | 4V @ 250μA | 118nC @ 10V | ±20V | 20V에서 8725pF | - | 2.5W(Ta), 104W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMKA130L | - | ![]() | 1927년 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | DO-214AC, SMA | 쇼트키 | DO-214AC(SMA) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0080 | 4,121 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 30V | 410mV @ 1A | 30V에서 1mA | -65°C ~ 125°C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5550BU | 0.0200 | ![]() | 7394 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 13,374 | 140V | 600mA | 100nA(ICBO) | NPN | 250mV @ 5mA, 50mA | 60 @ 10mA, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPC1002S | 0.3900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C | 표면 실장 | 8-파워WDFN | FDPC1 | MOSFET(금속) | 1.6W(타), 2W(타) | 파워클립-33 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 N채널(듀얼) | 25V | 13A(Ta), 20A(Tc), 27A(Ta), 60A(Tc) | 6m옴 @ 13A, 10V, 1.8m옴 @ 27A, 10V | 2.2V @ 250μA, 2.2V @ 1mA | 19nC @ 10V, 64nC @ 10V | 13V에서 1240pF, 13V에서 4335pF | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC557BTF | - | ![]() | 5902 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 934 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | PNP | 650mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2mA, 5V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF8N90C | 1.1700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | FQPF8 | MOSFET(금속) | TO-220F | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 900V | 6.3A(Tc) | 10V | 1.9옴 @ 3.15A, 10V | 5V @ 250μA | 45nC @ 10V | ±30V | 2080pF @ 25V | - | 60W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGW13N60UFDTM | 1.7100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | SGW13 | 기준 | 60W | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 300V, 6.5A, 50옴, 15V | 55ns | - | 600V | 13A | 52A | 2.6V @ 15V, 6.5A | 85μJ(켜짐), 95μJ(꺼짐) | 25nC | 20ns/70ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD7N20LTM | - | ![]() | 2891 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 200V | 5.5A(Tc) | 5V, 10V | 750m옴 @ 2.75A, 10V | 2V @ 250μA | 9nC @ 5V | ±20V | 25V에서 500pF | - | 2.5W(Ta), 45W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB6670S | 2.4900 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | TO-263AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 30V | 62A(타) | 4.5V, 10V | 8.5m옴@ 31A, 10V | 3V @ 1mA | 32nC @ 5V | ±20V | 2639pF @ 15V | - | 62.5W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J106 | - | ![]() | 1489 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | N채널 | - | 25V | 15V에서 200mA | 2V @ 1μA | 6옴 |

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