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불연속 불연속 제품 (5255)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 저항 -rds (on) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
J112-D27Z Fairchild Semiconductor J112-D27Z -
RFQ
 ECAD 1960 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW To-92-3 다운로드 0000.00.0000 1 n 채널 - 35 v 5 ma @ 15 v 1 V @ 1 µA 50 옴
KSD227YBU Fairchild Semiconductor KSD227YBU 0.0200
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 400MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 10,000 25 v 300 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 30ma, 300ma 120 @ 50MA, 1V -
FDI8441 Fairchild Semiconductor FDI8441 1.5600
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 40 v 26A (TA), 80A (TC) 10V 2.7mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 280 nc @ 10 v ± 20V 15 pf @ 25 v - 300W (TC)
FDS6676 Fairchild Semiconductor FDS6676 1.7700
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 14.5A (TA) 4.5V, 10V 7mohm @ 14.5a, 10V 3V @ 250µA 63 NC @ 5 v ± 16V 5103 pf @ 15 v - 1W (TA)
FDMS7606 Fairchild Semiconductor FDMS7606 0.9800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 표면 표면 8-powerwdfn FDMS76 MOSFET (금속 (() 1W 56 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 11.5A, 12A 11.4mohm @ 11.5a, 10V 3V @ 250µA 22NC @ 10V 1400pf @ 15V 논리 논리 게이트
KSB1366G Fairchild Semiconductor KSB1366G 0.2000
RFQ
 ECAD 2844 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2 w TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,170 60 v 3 a 100µA (ICBO) PNP 1V @ 200MA, 2A 150 @ 500ma, 5V 9MHz
FDBL86210 Fairchild Semiconductor FDBL86210 -
RFQ
 ECAD 8016 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 FDBL862 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 2,000 -
TN6717A Fairchild Semiconductor TN6717A 0.1200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TN6717 1 W. TO-226-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 80 v 1.2 a 100NA (ICBO) NPN 350MV @ 10ma, 250ma 50 @ 250ma, 1V -
KST92MTF Fairchild Semiconductor KST92MTF -
RFQ
 ECAD 7917 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 KST92 250 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 2,000 300 v 500 MA 250NA (ICBO) PNP 500mv @ 2ma, 20ma 25 @ 30MA, 10V 50MHz
IRF654B Fairchild Semiconductor IRF654B 0.9600
RFQ
 ECAD 447 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받습니다 2156-IRF654B-600039 1
FFPF10U20DNTU Fairchild Semiconductor ffpf10u20dntu 0.2500
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 기준 TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 10A 1.2 v @ 10 a 35 ns 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C
KST63MTF Fairchild Semiconductor KST63MTF -
RFQ
 ECAD 1399 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 500 MA 100NA (ICBO) pnp- 달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V 125MHz
NDS8947 Fairchild Semiconductor NDS8947 0.9700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NDS894 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 30V 4a 65mohm @ 4a, 10V 2.8V @ 250µA 30NC @ 10V 690pf @ 15V 논리 논리 게이트
FDS9933 Fairchild Semiconductor FDS9933 0.3600
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS99 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 20V 5a 55mohm @ 3.2a, 4.5v 1.2V @ 250µA 20NC @ 4.5V 825pf @ 10V 논리 논리 게이트
FDMF6823 Fairchild Semiconductor FDMF6823 -
RFQ
 ECAD 1548 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 공급 공급 정의되지 업체는 2156-FDMF6823-600039 1
SGS6N60UFDTU Fairchild Semiconductor sgs6n60ufdtu 1.0000
RFQ
 ECAD 9771 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SGS6N 기준 22 w TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 300V, 3A, 80ohm, 15V 52 ns - 600 v 6 a 25 a 2.6V @ 15V, 3A 57µJ (on), 25µJ (OFF) 15 NC 15ns/60ns
UF4006 Fairchild Semiconductor UF4006 0.0800
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF400 기준 DO-41 다운로드 귀 99 8541.10.0080 3,643 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 800 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
FDB86102LZ Fairchild Semiconductor FDB86102LZ 0.8700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 345 n 채널 100 v 8.3A (TA), 30A (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 8.3a, 10V 3V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 1275 pf @ 50 v - 3.1W (TA)
FQPF5N90 Fairchild Semiconductor FQPF5N90 1.4700
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 205 n 채널 900 v 3A (TC) 10V 2.3ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 30V 1550 pf @ 25 v - 51W (TC)
MMBF4392 Fairchild Semiconductor MMBF4392 -
RFQ
 ECAD 1075 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 n 채널 14pf @ 20V 30 v 25 ma @ 20 v 2 v @ 1 na 60 옴
FGL35N120FTDTU Fairchild Semiconductor fgl35n120ftdtu 6.0600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA 기준 368 w HPM F2 다운로드 귀 99 8542.39.0001 50 600V, 35A, 10ohm, 15V 337 ns 트렌치 트렌치 정지 1200 v 70 a 105 a 2.2V @ 15V, 35A 2.5mj (on), 1.7mj (OFF) 210 NC 34ns/172ns
FDN352AP Fairchild Semiconductor FDN352AP 1.0000
RFQ
 ECAD 6950 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FDN352 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 귀 99 8541.21.0095 1 p 채널 30 v 1.3A (TA) 4.5V, 10V 180mohm @ 1.3a, 10V 2.5V @ 250µA 1.9 NC @ 4.5 v ± 25V 150 pf @ 15 v - 500MW (TA)
FDS4885C Fairchild Semiconductor FDS4885C 1.0000
RFQ
 ECAD 6937 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS48 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 1 n 및 p 채널 40V 7.5A, 6A 22mohm @ 7.5a, 10V 5V @ 250µA 21NC @ 10V 900pf @ 20V -
FDD6N20TF Fairchild Semiconductor FDD6N20TF 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 unifet ™ 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 200 v 4.5A (TC) 10V 800mohm @ 2.3a, 10V 5V @ 250µA 6.1 NC @ 10 v ± 30V 230 pf @ 25 v - 40W (TC)
FJP5304DTU Fairchild Semiconductor FJP5304DTU 1.0000
RFQ
 ECAD 9133 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 70 W. TO-220-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 400 v 4 a 250ma NPN 1.5v @ 500ma, 2.5a 8 @ 2a, 5V -
IRFU220BTU Fairchild Semiconductor IRFU220BTU 0.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받습니다 2156-IRFU220BTU-600039 1
KSD1616GTA Fairchild Semiconductor KSD1616GTA -
RFQ
 ECAD 7609 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 750 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 4,000 50 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 50ma, 1a 200 @ 100ma, 2v 160MHz
FKPF2N80 Fairchild Semiconductor FKPF2N80 -
RFQ
 ECAD 1594 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 10 MA 논리 - 게이트 민감한 800 v 2 a 1.5 v 9A, 10A 10 MA
FDD16AN08A0_NF054 Fairchild Semiconductor FDD16AN08A0_NF054 1.0000
RFQ
 ECAD 3965 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 75 v 9A (TA), 50A (TC) 6V, 10V 16mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 20V 1874 pf @ 25 v - 135W (TC)
2N3905TFR Fairchild Semiconductor 2N3905Tfr 0.0200
RFQ
 ECAD 6136 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 4,373 40 v 200 MA - PNP 400mv @ 5ma, 50ma 50 @ 10ma, 1v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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