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디스크리트 반도체(5251)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	작동 온도	장착	세트/케이스	에	기본 제품 번호	기술	파워 - 최대	공급업체 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	FET 종류	현재의	전압	전압 - 절연	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	다이오 구성	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	커패시턴스 @ Vr, F	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	- 컬렉터 컷오프(최대)	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	모듈러 전력 에너지 충전 전압(Qg)(최대) @ Vgs	입력 커패시턴스(Ciss)에 입력된 전압(최대) @ Vds
FQN1N50CBU	-	보상요청	8745	비교차일드	QFET®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			MOSFET(금속)		TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	1,447			N채널				500V	380mA(Tc)	10V	6옴 @ 190mA, 10V	4V @ 250μA	6.4nC @ 10V	±30V	25V에서 195pF	-	890mW(Ta), 2.08W(Tc)
MMSZ5245B	-	보상요청	5050	비교차일드	-	대부분	활동적인	±5%	-	표면 실장	SOD-123		MMSZ52		500mW	SOD-123	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	3,000																				900mV @ 10mA		100nA @ 11V							15V	13옴
TIP41BTU	0.4100	보상요청	1	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3				2W	TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	1,000																										80V	6A	700μA			NPN	1.5V @ 600mA, 6A	15 @ 3A, 4V	3MHz
FSB32560	32.7700	보상요청	4	비교차일드	모션 SPM® 3	대부분	활동적인			스루홀	27-PowerDIP 모듈(1.205", 30.60mm)	IGBT					다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8542.39.0001	1	3상 인버터			25A	600V	2500Vrms
MMBT5962	-	보상요청	5656	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				350mW	SOT-23-3	-					EAR99	8541.21.0095	1																										45V	100mA	2nA(ICBO)			NPN	500μA, 10mA에서 200mV	600 @ 10mA, 5V	-
FLZ36VD	1.0000	보상요청	4385	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	±3%	-65°C ~ 175°C	표면 실장	DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80				500mW	SOD-80	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.10.0050	2,500																				1.2V @ 200mA		133nA @ 27V							34.9V	63옴
KSA614Y	-	보상요청	5342	비교차일드	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		KSA614		25W	TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1																										55V	3A	50μA(ICBO)			PNP	500mV @ 100mA, 1A	120 @ 500mA, 5V	-
FQA10N80C	-	보상요청	6988	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3			MOSFET(금속)		TO-3P	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	1			N채널				800V	10A(TC)	10V	1.1옴 @ 5A, 10V	5V @ 250μA	58nC @ 10V	±30V	25V에서 2800pF	-	240W(Tc)
2N3391A	-	보상요청	8172	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				625mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	2,000																										25V	500mA	100nA(ICBO)			NPN	-	250 @ 2mA, 4.5V	-
FCI7N60	-	보상요청	5391	비교차일드	SuperFET™	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA			MOSFET(금속)		I2PAK(TO-262)	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1			N채널				600V	7A(TC)	10V	600m옴 @ 3.5A, 10V	5V @ 250μA	30nC @ 10V	±30V	25V에서 920pF	-	83W(Tc)
2N5771	1.0000	보상요청	2770	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				350mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	1																										15V	200mA	10nA			PNP	600mV @ 5mA, 50mA	50 @ 10mA, 300mV	-
BC556CBU	-	보상요청	6600	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				500mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	11,478																										65V	100mA	15nA(ICBO)			PNP	650mV @ 5mA, 100mA	420 @ 2mA, 5V	150MHz
NTP082N65S3F	-	보상요청	5306	비교차일드	FRFET®, SuperFET® II	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220-3	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-NTP082N65S3F	EAR99	8541.29.0095	1			N채널				650V	40A(Tc)	10V	82m옴 @ 20A, 10V	5V @ 1mA	81nC @ 10V	±30V	400V에서 3410pF	-	313W(Tc)
NDB6060L	1.0000	보상요청	1081	비교차일드	-	대부분	활동적인		-65°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D²PAK(TO-263)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1			N채널				60V	48A(TC)	5V, 10V	20m옴 @ 24A, 10V	2V @ 250μA	60nC @ 5V	±16V	2000pF @ 25V	-	100W(Tc)
SFR9110TF	0.5600	보상요청	122	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,000			P채널				100V	2.8A(Tc)	10V	1.2옴 @ 1.4A, 10V	4V @ 250μA	10nC @ 10V	±30V	335pF @ 25V	-	2.5W(Ta), 20W(Tc)
MMSZ5246B	1.0000	보상요청	8636	비교차일드	-	대부분	활동적인	±5%	150°C (TJ)	표면 실장	SOD-123				500mW	SOD-123	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	3,000																				900mV @ 10mA		100nA @ 12V							16V	17옴
FQD12N20TF	0.5300	보상요청	6346	비교차일드	QFET®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	5			N채널				200V	9A(TC)	10V	280m옴 @ 4.5A, 10V	5V @ 250μA	23nC @ 10V	±30V	25V에서 910pF	-	2.5W(Ta), 55W(Tc)
FLZ2V7B	0.0200	보상요청	27	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	±4%	-65°C ~ 175°C	표면 실장	DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80				500mW	SOD-80	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.10.0050	2,500																				1.2V @ 200mA		70μA @ 1V							2.8V	35옴
1N486B	1.0000	보상요청	1948년	비교차일드	-	대부분	활동적인			스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향			기준		DO-35 (DO-204AH)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0070	10,000		작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도																250V		1V @ 100mA		225V에서 50nA	175°C	200mA	-
FDN357N	0.1500	보상요청	3	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			MOSFET(금속)		SOT-23-3	다운로드					EAR99	8541.21.0095	1,976			N채널				30V	1.9A(타)	4.5V, 10V	60m옴 @ 2.2A, 10V	2V @ 250μA	5.9nC @ 5V	±20V	10V에서 235pF	-	500mW(타)
FJP3307DH2TU	0.1700	보상요청	3	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3				80W	TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	200																										400V	8A	-			NPN	3V @ 2A, 8A	26 @ 2A, 5V	-
NDS351N	-	보상요청	6227	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		NDS351	MOSFET(금속)		슈퍼SOT-3	다운로드					EAR99	8541.21.0095	1			N채널				30V	1.1A(타)	4.5V, 10V	160m옴 @ 1.4A, 10V	2V @ 250μA	3.5nC @ 5V	±20V	10V에서 140pF	-	500mW(타)
BAV99T	-	보상요청	3075	비교차일드	-	대부분	활동적인			표면 실장	SOT-523		BAV99	기준		SOT-523	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0070	3,000		작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도															1쌍 직렬 연결	85V	75mA	1V @ 50mA	4ns	75V에서 2μA	125°C(최대)
FQAF90N08	2.3700	보상요청	340	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3 풀팩			MOSFET(금속)		TO-3PF	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	360			N채널				80V	56A(티씨)	10V	16m옴 @ 28A, 10V	4V @ 250μA	110nC @ 10V	±25V	3250pF @ 25V	-	100W(Tc)
FYD0504SATM	-	보상요청	5460	비교차일드	-	대부분	활동적인			표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		FYD05	쇼트키		D-박	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.10.0080	2,500		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																40V		550mV @ 5A		40V에서 1mA	-65°C ~ 150°C	5A	-
FDMS3616S	0.8300	보상요청	65	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우			표면 실장	8파워TDFN		FDMS3616	MOSFET(금속)	1W	8-PQFN(5x6)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	3,000	2 N채널(이중) 배열						25V	16A, 18A		6.6m옴 @ 16A, 10V	2.5V @ 250μA	27nC @ 10V		1765pF @ 13V	게임 레벨 레벨
FQP8N60C	1.2200	보상요청	4	비교차일드	QFET®	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드					EAR99	8542.39.0001	247			N채널					7.5A(Tc)	10V	1.2옴 @ 3.75A, 10V	4V @ 250μA	36	±30V	1255	-	147W(Tc)																			10	25
SS9015ABU	0.0200	보상요청	3817	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				450mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수			2156-SS9015ABU-FS	EAR99	8541.21.0075	1,000																										45V	100mA	50nA(ICBO)			PNP	700mV @ 5mA, 100mA	60 @ 1mA, 5V	190MHz
FCI17N60	-	보상요청	7348	비교차일드	*	대부분	활동적인						FCI17	-			-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우				1															-
FDLL914	0.0300	보상요청	137	비교차일드	-	대부분	활동적인			표면 실장	DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80			기준		SOD-80	다운로드					EAR99	8542.39.0001	11,539		작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도																100V		1V @ 10mA	4ns	75V에서 5μA	175°C(최대)	200mA	4pF @ 0V, 1MHz

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(5251)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²