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디스크리트 반도체(5251)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	FET 종류	테스트 조건	얻다	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	커패시턴스 @ Vr, F	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	카드가 사라졌습니다	Td(켜기/끄기) @ 25°C	- 컬렉터 컷오프(최대)	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	모델 지수(dB 일반 @ f)
FQA65N20	-	보상요청	2980	비교차일드	QFET®	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3			MOSFET(금속)		TO-3PN	다운로드						0000.00.0000	1			N채널			200V	65A(Tc)	10V	32m옴 @ 32.5A, 10V	5V @ 250μA	200nC @ 10V	±30V	25V에서 7900pF	-	310W(Tc)
FQP17N08L	0.4300	보상요청	2	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	1,000			N채널			80V	16.5A(Tc)	5V, 10V	100m옴 @ 8.25A, 10V	2V @ 250μA	11.5nC @ 5V	±20V	25V에서 520pF	-	65W(Tc)
2N6076	0.0200	보상요청	36	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				625mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	2,000																								25V	500mA					100nA			PNP	250mV @ 1mA, 10mA	100 @ 10mA, 1V	-
PN3563	0.0400	보상요청	65	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				350mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	2,000					14dB ~ 26dB																			15V	50mA								NPN		20 @ 8mA, 10V	1.5GHz	-
HUFA76409D3ST	0.3800	보상요청	2	비교차일드	자동차, AEC-Q101, UltraFET™	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	HUFA76		MOSFET(금속)		TO-252AA	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	0000.00.0000	2,500			N채널			60V	18A(TC)	4.5V, 10V	63m옴 @ 18A, 10V	3V @ 250μA	15nC @ 10V	±16V	25V에서 485pF	-	49W(Tc)
327년	0.0600	보상요청	3746	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록				1.5W	TO-92 (TO-226)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	5,000																								45V	800mA					100nA			PNP	700mV @ 50mA, 500mA	100 @ 100mA, 1V	260MHz
FLZ18VA	0.0200	보상요청	25	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	±3%	-65°C ~ 175°C	표면 실장	DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80				500mW	SOD-80	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.10.0050	15,000																	1.2V @ 200mA		133nA @ 13V												16.7V	19.4옴
HGTP14N36G3VL	-	보상요청	8017	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-40°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		논리		100W	TO-220AB	-				2156-HGTP14N36G3VL			1				-																			도랑	390V	18A	2.2V @ 5V, 14A	-	24nC	-
1N4736A-T50A	0.0300	보상요청	18	비교차일드	-	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AL, DO-41, 축방향	1N4736			1W	DO-41	다운로드	해당 없음	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	10,414																			4V에서 10μA												6.8V	3.5옴
HUF76633P3-F085	0.9300	보상요청	2919	비교차일드	자동차, AEC-Q101, UltraFET™	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1			N채널			100V	39A(Tc)	4.5V, 10V	35m옴 @ 39A, 10V	3V @ 250μA	67nC @ 10V	±16V	25V에서 1820pF	-	145W(Tc)
HUF75631SK8T_NB82083	0.7100	보상요청	651	비교차일드	UltraFET®	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)			MOSFET(금속)		8-SOIC	다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	1			N채널			100V	5.5A(타)	10V	39m옴 @ 5.5A, 10V	4V @ 250μA	79nC @ 20V	±20V	25V에서 1225pF	-	2.5W(타)
FQAF9P25	1.1300	보상요청	590	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3 풀팩			MOSFET(금속)		TO-3PF	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	360			P채널			250V	7.1A(Tc)	10V	620m옴 @ 3.55A, 10V	5V @ 250μA	38nC @ 10V	±30V	25V에서 1180pF	-	70W(Tc)
HUFA76429D3ST	0.9200	보상요청	38	비교차일드	UltraFET™	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,500			N채널			60V	20A(TC)	4.5V, 10V	23m옴 @ 20A, 10V	3V @ 250μA	46nC @ 10V	±16V	25V에서 1480pF	-	110W(Tc)
FDS8928A	1.0000	보상요청	1457	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)	FDS89		MOSFET(금속)	900mW	8-SOIC	다운로드					EAR99	8541.21.0095	1	N 및 P 채널					30V, 20V	5.5A, 4A		30m옴 @ 5.5A, 4.5V	1V @ 250μA	28nC @ 4.5V		900pF @ 10V	게임 레벨 레벨
FCPF380N60	1.4800	보상요청	2	비교차일드	SuperFET® II	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩			MOSFET(금속)		TO-220F-3	다운로드					EAR99	8541.29.0095	204			N채널			600V	10.2A(Tc)	10V	380m옴 @ 5A, 10V	250μA에서 3.5V	40nC @ 10V	±20V	25V에서 1665pF	-	31W(Tc)
MMBZ5249B	0.0200	보상요청	60	비교차일드	-	대부분	활동적인	±5%	-	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ52			300mW	SOT-23	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	3,000																	900mV @ 10mA		100nA @ 14V												19V	23옴
TIP42CTU-T	0.3000	보상요청	422	비교차일드	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3				2W	TO-220-3	다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-TIP42CTU-T-600039			1																								100V	6A					700μA			PNP	1.5V @ 600mA, 6A	15 @ 3A, 4V	3MHz
BC33716BU	0.0400	보상요청	122	비교차일드	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				625mW	TO-92-3	다운로드					EAR99	8541.21.0075	7,474																								45V	800mA					100nA			NPN	700mV @ 50mA, 500mA	100 @ 100mA, 1V	100MHz
KSA643YTA	0.0500	보상요청	559	비교차일드	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록				500mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1																								20V	500mA					200nA(ICBO)			PNP	400mV @ 50mA, 500A	120 @ 100mA, 1V	-
MUR460FFG	1.0000	보상요청	4059	비교차일드	스위치 모드™	대부분	활동적인			스루홀	DO-201AA, DO-27, 축방향			기준		축방향	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)														600V	1.28V @ 4A	75ns	600V에서 10μA	-65°C ~ 175°C	4A	-
KSC388YBU	0.0500	보상요청	60	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				300mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	1,000																								25V	50mA					100nA(ICBO)			NPN	200mV @ 1.5mA, 15mA	20 @ 12.5mA, 12.5V	300MHz
KSC2330YBU	0.0700	보상요청	270	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리				1W	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0075	500																								300V	100mA					100nA(ICBO)			NPN	500mV @ 1mA, 10mA	120 @ 20mA, 10V	50MHz
FDS4435A	1.2100	보상요청	27	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)			MOSFET(금속)		8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,500			P채널			30V	9A(타)	4.5V, 10V	17m옴 @ 9A, 10V	2V @ 250μA	30nC @ 5V	±20V	2010pF @ 15V	-	2.5W(타)
IRF610B	0.3400	보상요청	4	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1			N채널			200V	3.3A(Tc)	10V	1.5옴 @ 1.65A, 10V	4V @ 250μA	9.3nC @ 10V	±30V	25V에서 225pF	-	38W(Tc)
BC32825	0.0500	보상요청	10	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				625mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	6,662																								25V	800mA					100nA			PNP	700mV @ 50mA, 500mA	160 @ 100mA, 1V	100MHz
FLZ3V6B	0.0200	보상요청	2081	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	±3%	-65°C ~ 175°C	표면 실장	DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80				500mW	SOD-80	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.10.0050	2,077																	1.2V @ 200mA		2.8μA @ 1V												3.7V	48옴
FDD8780	0.4100	보상요청	999	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1			N채널			25V	35A(Tc)	4.5V, 10V	8.5m옴 @ 35A, 10V	2.5V @ 250μA	29nC @ 10V	±20V	13V에서 1440pF	-	50W(Tc)
SSU2N60BTU	0.3200	보상요청	1	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA			MOSFET(금속)		아이팩	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	1			N채널			600V	1.8A(Tc)	10V	5옴 @ 900mA, 10V	4V @ 250μA	17nC @ 10V	±30V	490pF @ 25V	-	2.5W(Ta), 44W(Tc)
FDP15N50	2.0600	보상요청	4	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	400			N채널			500V	15A(Tc)	10V	380m옴 @ 7.5A, 10V	4V @ 250μA	41nC @ 10V	±30V	25V에서 1850pF	-	300W(Tc)
1N5256B	1.8600	보상요청	221	비교차일드	-	대부분	활동적인	±0.5%	-	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향	1N5256			500mW	-	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	162																	900mV @ 200mA		100nA @ 23V												30V	49옴

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(5251)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²