| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 에 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 얻다 | 현재의 | 전압 | 전압 - 절연 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 다이오드 | 전압 - 역방향(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) | 모델 지수(dB 일반 @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GBU8KS | 0.8900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | 4-SIP, GBU | 기준 | GBU | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0080 | 365 | 1V @ 8A | 800V에서 5μA | 8A | 단상 | 800V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75344P3 | 0.9700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N채널 | 55V | 75A(Tc) | 10V | 8m옴 @ 75A, 10V | 4V @ 250μA | 210nC @ 20V | ±20V | 3200pF @ 25V | - | 285W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBPC25005W | 2.7900 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | 4각형, GBPC-W | GBPC25005 | 기준 | GBPC-W | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0080 | 117 | 1.1V @ 7.5A | 50V에서 5μA | 25A | 단상 | 50V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C5V1-T50A | 0.0400 | ![]() | 33 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | ±6% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AL, DO-41, 축방향 | 1W | DO-41 | - | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH의 영향을 받아들입니다. | 2156-BZX85C5V1-T50A-600039 | 1 | 1.2V @ 200mA | 1μA @ 2V | 5.1V | 10옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF005S1 | 0.2100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 4-SMD, 걸윙 | 기준 | 4-SDIP | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1V @ 1A | 50V에서 3μA | 1A | 단상 | 50V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDU8780 | 0.2900 | ![]() | 81 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 25V | 35A(Tc) | 4.5V, 10V | 8.5m옴 @ 35A, 10V | 2.5V @ 250μA | 29nC @ 10V | ±20V | 13V에서 1440pF | - | 50W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75321D3STQ | 0.2500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | HUFA75321 | - | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S2D | - | ![]() | 2723 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | DO-214AA, SMB | 기준 | 설계(DO-214AA) | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 200V | 1.15V @ 2A | 1.5μs | 200V에서 5μA | -50°C ~ 150°C | 2A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSB50825AB | 4.7900 | ![]() | 172 | 0.00000000 | 비교차일드 | 모션-SPM® | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | 23-PowerDIP 모듈(0.644", 16.35mm) | MOSFET | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 68 | 3상 | 3.6A | 250V | 1500Vrms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJN4302RTA | 0.0300 | ![]() | 7488 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | FJN430 | 300mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 472 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | PNP - 사전 바이어스됨 | 500μA, 10mA에서 300mV | 30 @ 5mA, 5V | 200MHz | 10kΩ | 10kΩ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJPF19430TU | 0.7200 | ![]() | 952 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RHRP860-R4647 | - | ![]() | 8543 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-RHRP860-R4647-600039 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC33725 | 0.0600 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45V | 800mA | 100nA | NPN | 700mV @ 50mA, 500mA | 160 @ 100mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQU4N50TU | 0.7000 | ![]() | 27 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,040 | N채널 | 500V | 2.6A(Tc) | 10V | 2.7옴 @ 1.3A, 10V | 5V @ 250μA | 13nC @ 10V | ±30V | 25V에서 460pF | - | 2.5W(Ta), 45W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFD3055LESM | 0.2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,255 | N채널 | 60V | 11A(티씨) | 5V | 107m옴 @ 8A, 5V | 3V @ 250μA | 11.3nC @ 10V | ±16V | 25V에서 350pF | - | 38W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC1623OMTF | 0.0200 | ![]() | 6865 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 200mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN | 300mV @ 10mA, 100mA | 90@1mA, 6V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 73282 | 0.4900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 7328 | - | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 0000.00.0000 | 2,500 | 60V | 12A | 107m옴 @ 8A, 5V | 3V @ 250μA | 6.2nC @ 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC1393OBU | 0.0200 | ![]() | 3503 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 250mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,035 | 20dB ~ 24dB | 30V | 20mA | NPN | 60 @ 2mA, 10V | 700MHz | 200MHz에서 2dB ~ 3dB | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCH125N60E | 1.0000 | ![]() | 7379 | 0.00000000 | 비교차일드 | SuperFET® II | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | MOSFET(금속) | TO-247 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 600V | 29A(TC) | 10V | 125m옴 @ 14.5A, 10V | 250μA에서 3.5V | 95nC @ 10V | ±20V | 380V에서 2990pF | - | 278W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSR17A | - | ![]() | 5551 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350mW | SOT-23-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 40V | 200mA | 5μA(ICBO) | NPN | 300mV @ 5mA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDC632P | 1.0000 | ![]() | 2348 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 | MOSFET(금속) | SuperSOT™-6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P채널 | 20V | 2.7A(타) | 2.7V, 4.5V | 140m옴 @ 2.7A, 4.5V | 1V @ 250μA | 15nC @ 4.5V | -8V | 10V에서 550pF | - | 1.6W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FES6G | - | ![]() | 8840 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | TO-277, 3-PowerDFN | 기준 | TO-277-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 400V | 1.2V @ 6A | 25ns | 400V에서 2μA | -55°C ~ 175°C | 6A | 60pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAW62 | 0.0200 | ![]() | 247 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | BAW62 | 기준 | DO-35 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 75V | 1V @ 100mA | 4ns | 75V에서 5μA | 175°C(최대) | 300mA | 2pF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C30 | 0.0200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 500mW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0050 | 18,006 | 1.5V @ 100mA | 50nA @ 21V | 30V | 80옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF640ACP001 | 0.8000 | ![]() | 47 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | IRF640 | - | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.39.0001 | 375 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA9N50 | - | ![]() | 4882 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET(금속) | TO-3P | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 220 | N채널 | 500V | 9.6A(Tc) | 10V | 730m옴 @ 4.8A, 10V | 5V @ 250μA | 36nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1450pF | - | 160W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5221B | 0.0200 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±5% | -55°C ~ 150°C | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350mW | SOT-23-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 900mV @ 10mA | 100μA @ 1V | 2.4V | 30옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC2690YSTU | 0.1900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-225AA, TO-126-3 | 1.2W | TO-126-3 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-KSC2690YSTU-600039 | 1,750 | 120V | 1.2A | 1μA(ICBO) | NPN | 700mV @ 200mA, 1A | 160 @ 300mA, 5V | 155MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z56V | - | ![]() | 3639 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±7% | -55°C ~ 150°C | 표면 실장 | SC-79, SOD-523 | 200mW | SOD-523F | - | 0000.00.0000 | 1 | 50nA @ 39.2V | 56V | 200옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4750ATR | 0.0300 | ![]() | 338 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AL, DO-41, 축방향 | 1W | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,053 | 20.6V에서 5μA | 27V | 35옴 |

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