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디스크리트 반도체(5251)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	파워 - 최대	공급업체 장치	데이터 시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	FET 종류	전류 - 유지(Ih)(최대)	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	대책악	전압 - 꺼짐 상태	현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대)	전압 - 수채화(Vgt)(최대)	현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm)	메모리 - 메모리(Igt)(최대)	다이오 구성	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	커패시턴스 @ Vr, F	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	- 컬렉터 컷오프(최대)	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)
FLZ12VB	0.0200	보상요청	1854년	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	±3%	-65°C ~ 175°C	표면 실장	DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80			500mW	SOD-80	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.10.0050	10,000																								1.2V @ 200mA		133nA @ 9V							11.7V	9.5옴
FKPF8N80	0.7000	보상요청	1	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-	스루홀	TO-220-3 풀팩				TO-220F-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.30.0080	50	하나의			50mA											기준	800V	8A	1.5V	80A, 88A	30mA
FQPF2N70	0.6300	보상요청	42	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩		MOSFET(금속)		TO-220F-3	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1			N채널		700V	2A(TC)	10V	6.3옴 @ 1A, 10V	5V @ 250μA	11nC @ 10V	±30V	25V에서 350pF	-	28W(Tc)
FDS6688	1.0700	보상요청	20	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)		MOSFET(금속)		8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,500			N채널		30V	16A(타)	4.5V, 10V	6m옴 @ 16A, 10V	3V @ 250μA	56nC @ 5V	±20V	3888pF @ 15V	-	2.5W(타)
BC557ABU	-	보상요청	6850	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			500mW	TO-92-3	-	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	1,000																														45V	100mA	15nA(ICBO)			PNP	650mV @ 5mA, 100mA	110 @ 2mA, 5V	150MHz
KSC388CYTA	0.0300	보상요청	2	비교차일드	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록	KSC388		300mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1																														25V	50mA	100nA(ICBO)			NPN	200mV @ 1.5mA, 15mA	20 @ 12.5mA, 12.5V	300MHz
KSC1008OBU	-	보상요청	2345	비교차일드	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			800mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1																														60V	700mA	100nA(ICBO)			NPN	400mV @ 50mA, 500mA	70 @ 50mA, 2V	50MHz
FDD3680	-	보상요청	5170	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1			N채널		100V	25A(타)	6V, 10V	46m옴 @ 6.1A, 10V	4V @ 250μA	53nC @ 10V	±20V	50V에서 1735pF	-	68W(타)
FQI2N80TU	0.5100	보상요청	3145	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA		MOSFET(금속)		I2PAK	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	550			N채널		800V	2.4A(Tc)	10V	6.3옴 @ 900mA, 10V	5V @ 250μA	15nC @ 10V	±30V	25V에서 550pF	-	3.13W(Ta), 85W(Tc)
KSD1621TTF	0.0600	보상요청	56	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	표면 실장	TO-243AA			500mW	SOT-89-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	4,000																														25V	2A	100nA(ICBO)			NPN	400mV @ 75mA, 1.5A	200 @ 100mA, 2V	150MHz
FJV3113RMTF	0.0200	보상요청	60	비교차일드	-	대부분	활동적인			표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	FJV311		200mW	SOT-23-3(TO-236)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	3,000																														50V	100mA	100nA(ICBO)			NPN - 사전 바이어스됨	500μA, 10mA에서 300mV	68 @ 5mA, 5V	250MHz	2.2kΩ	47kΩ
MPSW3725	0.1000	보상요청	10	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			1W	TO-226-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0075	1,500																														40V	1.2A	100nA(ICBO)			NPN	950mV @ 100mA, 1A	60 @ 100mA, 1V	250MHz
FJY3005R	0.0200	보상요청	18	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우			표면 실장	SC-89, SOT-490	FJY300		200mW	SOT-523F	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	3,000																														50V	100mA	100nA(ICBO)			NPN - 사전 바이어스됨	500μA, 10mA에서 300mV	30 @ 5mA, 5V	250MHz	4.7kΩ	10kΩ
EGP20K	0.2500	보상요청	6	비교차일드	-	대부분	활동적인			스루홀	DO-204AC, DO-15, 축방향		기준		DO-15	다운로드					EAR99	8541.10.0080	1		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																				800V		1.7V @ 2A	75ns	800V에서 5μA	-65°C ~ 150°C	2A	45pF @ 4V, 1MHz
MMBD1504	0.0900	보상요청	37	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우			표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		기준		SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.10.0070	3,000		작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도																			1쌍의 세션이 시작됩니다	200V	200mA	1.1V @ 200mA		180V에서 10nA	150°C(최대)
MMBZ5232B	0.0200	보상요청	8809	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	±5%	-55°C ~ 150°C	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			350mW	SOT-23-3	다운로드					EAR99	8541.10.0050	14,852																								900mV @ 10mA		3V에서 5μA							5.6V	11옴
FCP130N60	2.8900	보상요청	127	비교차일드	SuperFET® II	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드					EAR99	8542.39.0001	127			N채널		600V	28A(TC)	10V	130m옴 @ 14A, 10V	250μA에서 3.5V	70nC @ 10V	±20V	3590pF @ 380V	-	278W(Tc)
FCPF380N60E-F152	-	보상요청	5776	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩		MOSFET(금속)		TO-220F-3	-				2156-FCPF380N60E-F152			1			N채널		600V	10.2A(Tc)	10V	380m옴 @ 5A, 10V	250μA에서 3.5V	45nC @ 10V	±20V	1770pF @ 25V	-	31W(Tc)
FQP6N50C	0.7500	보상요청	1	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	50			N채널		500V	5.5A(Tc)	10V	1.2옴 @ 2.8A, 10V	4V @ 250μA	25nC @ 10V	±30V	25V에서 700pF	-	98W(Tc)
IRL540A	0.7000	보상요청	3	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	50			N채널		100V	28A(TC)	5V	58m옴 @ 14A, 5V	2V @ 250μA	54nC @ 5V	±20V	25V에서 1580pF	-	121W(Tc)
MM3Z43VB	0.0300	보상요청	10	비교차일드	-	대부분	활동적인	±2%	-65°C ~ 150°C	표면 실장	SC-90, SOD-323F			200mW	SOD-323F	다운로드					EAR99	8541.10.0050	1																								1V @ 10mA		30.1V에서 45nA							43V	141옴
FDB0300N1007L	-	보상요청	2786	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-7, D²Pak(6 리드 + 탭)		MOSFET(금속)		TO-263-7	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1			N채널		100V	200A(Tc)	6V, 10V	3m옴 @ 26A, 10V	4V @ 250μA	113nC @ 10V	±20V	50V에서 8295pF	-	3.8W(Ta), 250W(Tc)
FJC1308RTF	0.0700	보상요청	5963	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	표면 실장	TO-243AA			500mW	SOT-89-3	다운로드	ROHS3 준수			2156-FJC1308RTF	EAR99	8541.21.0095	4,000																														30V	3A	500nA			PNP	450mV @ 150mA, 1.5A	180 @ 500mA, 2V	-
PN2222TF	0.0500	보상요청	80	비교차일드	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록			625mW	TO-92-3	다운로드					EAR99	8541.21.0075	5,805																														30V	600mA	10nA(ICBO)			NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10mV	300MHz
FJE5304DTU	-	보상요청	1613	비교차일드	-	대부분	활동적인		-	스루홀	TO-225AA, TO-126-3			30W	TO-126-3	다운로드						0000.00.0000	1																														400V	4A	100μA			NPN	1.5V @ 500mA, 2.5A	8 @ 2A, 5V	-
FJAFS1510ATU	2.2800	보상요청	5	비교차일드	ESBC™	대부분	활동적인		-55°C ~ 125°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3 풀팩			60W	TO-3PF	다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-FJAFS1510ATU-600039			1																														750V	6A	100μA			NPN	500mV @ 1.5A, 6A	7 @ 3A, 5V	15.4MHz
FDS2170N3	2.0700	보상요청	2	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)		MOSFET(금속)		8-SO	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,500			N채널		200V	3A(타)	10V	128m옴 @ 3A, 10V	250μA에서 4.5V	36nC @ 10V	±20V	100V에서 1292pF	-	3W(타)
KSC3953DSTU	0.1000	보상요청	80	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-225AA, TO-126-3			1.3W	TO-126-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0075	1,920																														120V	200mA	100nA(ICBO)			NPN	1V @ 3mA, 30mA	60 @ 10mA, 10V	400MHz
HUF76145S3	-	보상요청	8130	비교차일드	-	대부분	활동적인		-40°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA		MOSFET(금속)		I2PAK(TO-262)	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	1			N채널		30V	75A(Tc)	4.5V, 10V	4.5m옴 @ 75A, 10V	3V @ 250μA	156nC @ 10V	±20V	25V에서 4900pF	-	270W(Tc)
BZX84C4V3	0.0200	보상요청	90	비교차일드	-	대부분	활동적인	±5%	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C4		250mW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	3,000																								900mV @ 10mA		1V에서 5μA							4.3V	90옴

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(5251)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²