SIC
close
영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 속도 FET 종류 테스트 조건 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RFD16N05LSM_NL Fairchild Semiconductor RFD16N05LSM_NL -
보상요청
ECAD 5616 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 50V 16A 4V, 5V 47m옴 @ 16A, 5V 2V @ 250mA 80nC @ 10V ±10V - 60W
FDS6162N7 Fairchild Semiconductor FDS6162N7 2.0100
보상요청
ECAD 15 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SO 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 20V 23A(타) 2.5V, 4.5V 3.5m옴 @ 23A, 4.5V 250μA에서 1.5V 73nC @ 4.5V ±12V 10V에서 5521pF - 3W(타)
FQP4N25 Fairchild Semiconductor FQP4N25 0.2700
보상요청
ECAD 2 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 250V 3.6A(Tc) 10V 1.75옴 @ 1.8A, 10V 5V @ 250μA 5.6nC @ 10V ±30V 200pF @ 25V - 52W(Tc)
FGH60N60SFTU Fairchild Semiconductor FGH60N60SFTU 3.7100
보상요청
ECAD 9 0.00000000 비교차일드 * 대부분 활동적인 다운로드 EAR99 8542.39.0001 81
FDMS9408-F085 Fairchild Semiconductor FDMS9408-F085 -
보상요청
ECAD 9562 0.00000000 비교차일드 자동차, AEC-Q101, PowerTrench® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN FDMS94 MOSFET(금속) 파워56 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 N채널 40V 80A(Tc) 10V 1.8m옴 @ 80A, 10V 4V @ 250μA 92nC @ 10V ±20V 25V에서 5120pF - 214W(티제이)
1N4748A Fairchild Semiconductor 1N4748A 0.0300
보상요청
ECAD 23 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 DO-204AL, DO-41, 축방향 1W DO-41 다운로드 EAR99 8541.10.0050 9,779 1.2V @ 200mA 16.7V에서 5μA 22V 23옴
HUF75309P3 Fairchild Semiconductor HUF75309P3 0.4100
보상요청
ECAD 10 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 400 N채널 55V 19A(TC) 10V 70m옴 @ 19A, 10V 4V @ 250μA 24nC @ 20V ±20V 25V에서 350pF - 55W(Tc)
FDD6030BL Fairchild Semiconductor FDD6030BL 1.1300
보상요청
ECAD 71 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 10A(Ta), 42A(Tc) 4.5V, 10V 16m옴 @ 10A, 10V 3V @ 250μA 31nC @ 10V ±20V 15V에서 1143pF - 1.6W(Ta), 50W(Tc)
FQAF44N10 Fairchild Semiconductor FQAF44N10 1.0400
보상요청
ECAD 1 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-3PF 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 360 N채널 100V 33A(티씨) 10V 39m옴 @ 16.5A, 10V 4V @ 250μA 62nC @ 10V ±25V 25V에서 1800pF - 85W(Tc)
FQU6N40CTU Fairchild Semiconductor FQU6N40CTU -
보상요청
ECAD 6824 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 5,040 N채널 400V 4.5A(Tc) 10V 1옴 @ 2.25A, 10V 4V @ 250μA 20nC @ 10V ±30V 25V에서 625pF - 2.5W(Ta), 48W(Tc)
FDB6021P Fairchild Semiconductor FDB6021P 0.7800
보상요청
ECAD 21 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 800 P채널 20V 28A(타) 1.8V, 4.5V 30m옴 @ 14A, 4.5V 250μA에서 1.5V 28nC @ 4.5V ±8V 10V에서 1890pF - 37W(Tc)
FDC5661N Fairchild Semiconductor FDC5661N -
보상요청
ECAD 2482 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 MOSFET(금속) TSOT-23-6 다운로드 EAR99 8542.29.0095 1 N채널 60V 4.3A(타) 4.5V, 10V 47m옴 @ 4.3A, 10V 3V @ 250μA 19nC @ 10V ±20V 25V에서 763pF - 1.6W(타)
MJE2955TTU Fairchild Semiconductor MJE2955TTU -
보상요청
ECAD 3619 0.00000000 비교차일드 MJE2955T 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 600mW TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 60V 10A 700μA PNP 8V @ 3.3A, 10A 20 @ 4A, 4V 2MHz
HUF75545P3 Fairchild Semiconductor HUF75545P3 1.4300
보상요청
ECAD 1 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 EAR99 8542.39.0001 210 N채널 80V 75A(Tc) 10V 10m옴 @ 75A, 10V 4V @ 250μA 235nC @ 20V ±20V 3750pF @ 25V - 270W(Tc)
KSB564ACGBU Fairchild Semiconductor KSB564ACGBU 0.0700
보상요청
ECAD 4 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 800mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 4,798 25V 1A 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 100mA, 1A 200 @ 100mA, 1V 110MHz
FDZ7296 Fairchild Semiconductor FDZ7296 0.7200
보상요청
ECAD 4 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 18-WFBGA MOSFET(금속) 18-BGA(2.5x4) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 11A(타) 4.5V, 10V 8.5m옴 @ 11A, 10V 3V @ 250μA 31nC @ 10V ±20V 1520pF @ 15V - 2.1W(타)
BSR13 Fairchild Semiconductor BSR13 1.0000
보상요청
ECAD 5723 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350mW SOT-23-3 - ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 500mA 30nA(ICBO) NPN 1.6V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 250MHz
FGA15N120ANTDTU Fairchild Semiconductor FGA15N120ANTDTU -
보상요청
ECAD 5007 0.00000000 비교차일드 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 FGA15N120 기준 186W TO-3P 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 30 600V, 15A, 10옴, 15V 330ns NPT 및 트렌치 1200V 30A 45A 2.4V @ 15V, 15A 3mJ(켜짐), 600μJ(꺼짐) 120nC 15ns/160ns
FQH140N10 Fairchild Semiconductor FQH140N10 -
보상요청
ECAD 7619 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 450 N채널 100V 140A(Tc) 10V 10m옴 @ 70A, 10V 4V @ 250μA 285nC @ 10V ±25V 25V에서 7900pF - 375W(Tc)
TIP30C Fairchild Semiconductor TIP30C 0.1700
보상요청
ECAD 4759 0.00000000 비교차일드 TIP30C 대부분 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 2W TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 100V 1A 300μA PNP 700mV @ 125mA, 1A 40 @ 200mA, 4V 3MHz
BAV19TR Fairchild Semiconductor BAV19TR 0.0300
보상요청
ECAD 30 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 기준 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 EAR99 8541.10.0070 9,779 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 120V 1.25V @ 200mA 50ns 100nA @ 100V 175°C(최대) 200mA 5pF @ 0V, 1MHz
SSR2N60BTF Fairchild Semiconductor SSR2N60BTF 0.1900
보상요청
ECAD 196 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252-3(DPAK) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 600V 1.8A(Tc) 10V 5옴 @ 900mA, 10V 4V @ 250μA 17nC @ 10V ±30V 490pF @ 25V - 2.5W(Ta), 44W(Tc)
1N6009B Fairchild Semiconductor 1N6009B 1.8400
보상요청
ECAD 1 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 500mW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.10.0050 163 1.2V @ 200mA 100nA @ 18V 24V 62옴
FDB7030BLS Fairchild Semiconductor FDB7030BLS 1.8700
보상요청
ECAD 34 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -65°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 30V 60A(타) 4.5V, 10V 9m옴 @ 30A, 10V 3V @ 250μA 24nC @ 5V ±20V 1760pF @ 15V - 60W(Tc)
FQPF8P10 Fairchild Semiconductor FQPF8P10 0.3700
보상요청
ECAD 860 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220F-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 860 P채널 100V 5.3A(Tc) 10V 530m옴 @ 2.65A, 10V 4V @ 250μA 15nC @ 10V ±30V 470pF @ 25V - 28W(Tc)
BAS16-D87Z Fairchild Semiconductor BAS16-D87Z 0.0600
보상요청
ECAD 300 0.00000000 비교차일드 * 대부분 활동적인 BAS16 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BAS16-D87Z-600039 1
FJV4113RMTF Fairchild Semiconductor FJV4113RMTF -
보상요청
ECAD 4762 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FJV411 200mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 68 @ 5mA, 5V 200MHz 2.2kΩ 47kΩ
FDB8444 Fairchild Semiconductor FDB8444 1.1400
보상요청
ECAD 167 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 EAR99 8542.39.0001 264 N채널 40V 70A(Tc) 10V 5.5m옴 @ 70A, 10V 4V @ 250μA 128nC @ 10V ±20V 8035pF @ 25V - 167W(Tc)
KSC10080BU Fairchild Semiconductor KSC10080BU 0.0200
보상요청
ECAD 630 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 800mW TO-92-3 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-KSC10080BU-600039 EAR99 8541.21.0095 1 60V 700mA 100nA(ICBO) NPN 400mV @ 50mA, 500mA 40 @ 50mA, 2V 50MHz
FQU2N90TU Fairchild Semiconductor FQU2N90TU 0.4800
보상요청
ECAD 332 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 5,040 N채널 900V 1.7A(Tc) 10V 7.2옴 @ 850mA, 10V 5V @ 250μA 15nC @ 10V ±30V 25V에서 500pF - 2.5W(Ta), 50W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고