| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 속도 | FET 종류 | 테스트 조건 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 카드가 사라졌습니다 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RFD16N05LSM_NL | - | ![]() | 5616 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 50V | 16A | 4V, 5V | 47m옴 @ 16A, 5V | 2V @ 250mA | 80nC @ 10V | ±10V | - | 60W | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6162N7 | 2.0100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 20V | 23A(타) | 2.5V, 4.5V | 3.5m옴 @ 23A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 73nC @ 4.5V | ±12V | 10V에서 5521pF | - | 3W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP4N25 | 0.2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 250V | 3.6A(Tc) | 10V | 1.75옴 @ 1.8A, 10V | 5V @ 250μA | 5.6nC @ 10V | ±30V | 200pF @ 25V | - | 52W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGH60N60SFTU | 3.7100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 81 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS9408-F085 | - | ![]() | 9562 | 0.00000000 | 비교차일드 | 자동차, AEC-Q101, PowerTrench® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | FDMS94 | MOSFET(금속) | 파워56 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 40V | 80A(Tc) | 10V | 1.8m옴 @ 80A, 10V | 4V @ 250μA | 92nC @ 10V | ±20V | 25V에서 5120pF | - | 214W(티제이) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4748A | 0.0300 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | DO-204AL, DO-41, 축방향 | 1W | DO-41 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 9,779 | 1.2V @ 200mA | 16.7V에서 5μA | 22V | 23옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75309P3 | 0.4100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | RoHS 비준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N채널 | 55V | 19A(TC) | 10V | 70m옴 @ 19A, 10V | 4V @ 250μA | 24nC @ 20V | ±20V | 25V에서 350pF | - | 55W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD6030BL | 1.1300 | ![]() | 71 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 10A(Ta), 42A(Tc) | 4.5V, 10V | 16m옴 @ 10A, 10V | 3V @ 250μA | 31nC @ 10V | ±20V | 15V에서 1143pF | - | 1.6W(Ta), 50W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF44N10 | 1.0400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-3PF | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | N채널 | 100V | 33A(티씨) | 10V | 39m옴 @ 16.5A, 10V | 4V @ 250μA | 62nC @ 10V | ±25V | 25V에서 1800pF | - | 85W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQU6N40CTU | - | ![]() | 6824 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,040 | N채널 | 400V | 4.5A(Tc) | 10V | 1옴 @ 2.25A, 10V | 4V @ 250μA | 20nC @ 10V | ±30V | 25V에서 625pF | - | 2.5W(Ta), 48W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB6021P | 0.7800 | ![]() | 21 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | P채널 | 20V | 28A(타) | 1.8V, 4.5V | 30m옴 @ 14A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 28nC @ 4.5V | ±8V | 10V에서 1890pF | - | 37W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDC5661N | - | ![]() | 2482 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 | MOSFET(금속) | TSOT-23-6 | 다운로드 | EAR99 | 8542.29.0095 | 1 | N채널 | 60V | 4.3A(타) | 4.5V, 10V | 47m옴 @ 4.3A, 10V | 3V @ 250μA | 19nC @ 10V | ±20V | 25V에서 763pF | - | 1.6W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJE2955TTU | - | ![]() | 3619 | 0.00000000 | 비교차일드 | MJE2955T | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 600mW | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 60V | 10A | 700μA | PNP | 8V @ 3.3A, 10A | 20 @ 4A, 4V | 2MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75545P3 | 1.4300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 210 | N채널 | 80V | 75A(Tc) | 10V | 10m옴 @ 75A, 10V | 4V @ 250μA | 235nC @ 20V | ±20V | 3750pF @ 25V | - | 270W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSB564ACGBU | 0.0700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 800mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 4,798 | 25V | 1A | 100nA(ICBO) | PNP | 500mV @ 100mA, 1A | 200 @ 100mA, 1V | 110MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDZ7296 | 0.7200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 18-WFBGA | MOSFET(금속) | 18-BGA(2.5x4) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 11A(타) | 4.5V, 10V | 8.5m옴 @ 11A, 10V | 3V @ 250μA | 31nC @ 10V | ±20V | 1520pF @ 15V | - | 2.1W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSR13 | 1.0000 | ![]() | 5723 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350mW | SOT-23-3 | - | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30V | 500mA | 30nA(ICBO) | NPN | 1.6V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGA15N120ANTDTU | - | ![]() | 5007 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3, SC-65-3 | FGA15N120 | 기준 | 186W | TO-3P | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V, 15A, 10옴, 15V | 330ns | NPT 및 트렌치 | 1200V | 30A | 45A | 2.4V @ 15V, 15A | 3mJ(켜짐), 600μJ(꺼짐) | 120nC | 15ns/160ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQH140N10 | - | ![]() | 7619 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | MOSFET(금속) | TO-247 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | N채널 | 100V | 140A(Tc) | 10V | 10m옴 @ 70A, 10V | 4V @ 250μA | 285nC @ 10V | ±25V | 25V에서 7900pF | - | 375W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP30C | 0.1700 | ![]() | 4759 | 0.00000000 | 비교차일드 | TIP30C | 대부분 | 활동적인 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 2W | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100V | 1A | 300μA | PNP | 700mV @ 125mA, 1A | 40 @ 200mA, 4V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV19TR | 0.0300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 기준 | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0070 | 9,779 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 120V | 1.25V @ 200mA | 50ns | 100nA @ 100V | 175°C(최대) | 200mA | 5pF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSR2N60BTF | 0.1900 | ![]() | 196 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252-3(DPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 600V | 1.8A(Tc) | 10V | 5옴 @ 900mA, 10V | 4V @ 250μA | 17nC @ 10V | ±30V | 490pF @ 25V | - | 2.5W(Ta), 44W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6009B | 1.8400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 500mW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2V @ 200mA | 100nA @ 18V | 24V | 62옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB7030BLS | 1.8700 | ![]() | 34 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -65°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 30V | 60A(타) | 4.5V, 10V | 9m옴 @ 30A, 10V | 3V @ 250μA | 24nC @ 5V | ±20V | 1760pF @ 15V | - | 60W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF8P10 | 0.3700 | ![]() | 860 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 860 | P채널 | 100V | 5.3A(Tc) | 10V | 530m옴 @ 2.65A, 10V | 4V @ 250μA | 15nC @ 10V | ±30V | 470pF @ 25V | - | 28W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS16-D87Z | 0.0600 | ![]() | 300 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | BAS16 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BAS16-D87Z-600039 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJV4113RMTF | - | ![]() | 4762 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | FJV411 | 200mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | PNP - 사전 바이어스됨 | 500μA, 10mA에서 300mV | 68 @ 5mA, 5V | 200MHz | 2.2kΩ | 47kΩ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB8444 | 1.1400 | ![]() | 167 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 264 | N채널 | 40V | 70A(Tc) | 10V | 5.5m옴 @ 70A, 10V | 4V @ 250μA | 128nC @ 10V | ±20V | 8035pF @ 25V | - | 167W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC10080BU | 0.0200 | ![]() | 630 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 800mW | TO-92-3 | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-KSC10080BU-600039 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 700mA | 100nA(ICBO) | NPN | 400mV @ 50mA, 500mA | 40 @ 50mA, 2V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQU2N90TU | 0.4800 | ![]() | 332 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,040 | N채널 | 900V | 1.7A(Tc) | 10V | 7.2옴 @ 850mA, 10V | 5V @ 250μA | 15nC @ 10V | ±30V | 25V에서 500pF | - | 2.5W(Ta), 50W(Tc) |

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