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디스크리트 반도체(5251)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	파워 - 파워	입력	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	FET 종류	얻다	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	커패시턴스 @ Vr, F	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	- 컬렉터 컷오프(최대)	NTC 서미스터	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)	입력 커패시턴스(Cies) @ Vce	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	모델 지수(dB 일반 @ f)
HUFA75343G3	1.0200	보상요청	821	비교차일드	UltraFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-247-3		MOSFET(금속)			TO-247	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	150			N채널		55V	75A(Tc)	10V	9m옴 @ 75A, 10V	4V @ 250μA	205nC @ 20V	±20V	3000pF @ 25V	-	270W(Tc)
MMSZ5246B	1.0000	보상요청	8636	비교차일드	-	대부분	활동적인	±5%	150°C (TJ)	표면 실장	SOD-123			500mW		SOD-123	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	3,000																900mV @ 10mA		100nA @ 12V										16V	17옴
FDLL300	0.2900	보상요청	436	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우			표면 실장	DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80		기준			SOD-80	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.10.0070	2,500		작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도													125V	1V @ 200mA		125V에서 1nA	175°C(최대)	200mA	6pF @ 0V, 1MHz
1N964B	2.0200	보상요청	18	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	±5%	-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향			500mW		DO-35 (DO-204AH)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.10.0050	149																		9.9V에서 5μA										13V	13옴
FQD6P25TF	0.6000	보상요청	72	비교차일드	QFET®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		MOSFET(금속)			TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,000			P채널		250V	4.7A(Tc)	10V	1.1옴 @ 2.35A, 10V	5V @ 250μA	27nC @ 10V	±30V	25V에서 780pF	-	2.5W(Ta), 55W(Tc)
2SA1943RTU	2.7700	보상요청	2	비교차일드	-	대부분	활동적인		-50°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-264-3, TO-264AA			150W		HPM F2	다운로드					EAR99	8541.29.0075	109																							250V	17A		5μA(ICBO)					PNP	3V @ 800mA, 8A	55 @ 1A, 5V	30MHz
FDFS2P102	0.4300	보상요청	14	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)		MOSFET(금속)			8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	2,500			P채널		20V	3.3A(타)	4.5V, 10V	125m옴 @ 3.3A, 10V	2V @ 250μA	10nC @ 10V	±20V	10V에서 270pF	쇼트키 다이오드(절연)	900mW(타)
SSS4N60BT	0.3100	보상요청	1	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩		MOSFET(금속)			TO-220F-3	다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	1			N채널		600V	4A(티제이)	10V	2.5옴 @ 2A, 10V	4V @ 250μA	29nC @ 10V	±30V	25V에서 920pF	-	33W(Tc)
FQI4N25TU	0.1900	보상요청	8002	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA		MOSFET(금속)			I2PAK(TO-262)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	1,175			N채널		250V	3.6A(Tc)	10V	1.75옴 @ 1.8A, 10V	5V @ 250μA	5.6nC @ 10V	±30V	200pF @ 25V	-	3.13W(Ta), 52W(Tc)
HUF75345P3	-	보상요청	6800	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)			TO-220-3	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-HUF75345P3-600039			1			N채널		55V	75A(Tc)	10V	7m옴 @ 75A, 10V	4V @ 250μA	275nC @ 20V	±20V	25V에서 4000pF	-	325W(Tc)
KSC1730YBU	0.0200	보상요청	584	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			250mW		TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	1,000				-																			15V	50mA							NPN		120 @ 5mA, 10V	1.1GHz	-
FDMA1025P	0.2900	보상요청	92	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-VDFN옆패드	FDMA1025	MOSFET(금속)	700mW		6-MicroFET(2x2)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1	2 P채널(듀얼)				20V	3.1A		155m옴 @ 3.1A, 4.5V	250μA에서 1.5V	4.8nC @ 4.5V		450pF @ 10V	게임 레벨 레벨
HUF76409D3	0.4700	보상요청	3	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA		MOSFET(금속)			아이팩	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	1			N채널		60V	18A(TC)	4.5V, 10V	63m옴 @ 18A, 10V	3V @ 250μA	15nC @ 10V	±16V	25V에서 485pF	-	49W(Tc)
FQI7N10LTU	0.3200	보상요청	4	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA		MOSFET(금속)			I2PAK(TO-262)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	50			N채널		100V	7.3A(Tc)	5V, 10V	350m옴 @ 3.65A, 10V	2V @ 250μA	6nC @ 5V	±20V	290pF @ 25V	-	3.75W(Ta), 40W(Tc)
MMBT2907AK	1.0000	보상요청	1193	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			350mW		SOT-23-3	-	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	3,000																							60V	600mA		10nA(ICBO)					PNP	1.6V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	200MHz
1N4933GP	0.1900	보상요청	44	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우			스루홀	DO-204AL, DO-41, 축방향		기준			DO-204AL (DO-41)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.10.0080	25,000		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)													50V	1.2V @ 1A	150ns	50V에서 5μA	-65°C ~ 175°C	1A	12pF @ 4V, 1MHz
1S921TR	0.0200	보상요청	20	비교차일드	-	대부분	활동적인			스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향	1S92	기준			DO-35	-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우			0000.00.0000	5,000		작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도													100V	1.2V @ 200mA		100nA @ 100V		200mA	-
FDY301NZ	-	보상요청	6207	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SC-89, SOT-490		MOSFET(금속)			SOT-523F	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1			N채널		20V	200mA(타)	1.5V, 4.5V	5옴 @ 200mA, 4.5V	250μA에서 1.5V	1.1nC @ 4.5V	±12V	10V에서 60pF	-	625mW(타)
FCH041N65F-F085	9.5400	보상요청	163	비교차일드	자동차, AEC-Q101, SuperFET® II	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3		MOSFET(금속)			TO-247	다운로드					EAR99	8541.29.0095	35			N채널		650V	76A(티씨)	10V	41m옴 @ 38A, 10V	5V @ 250μA	304nC @ 10V	±20V	25V에서 13566pF	-	595W(Tc)
FDS6612A	0.3300	보상요청	144	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)		MOSFET(금속)			8-SOIC	다운로드					EAR99	8542.39.0001	917			N채널		30V	8.4A(타)	4.5V, 10V	22m옴 @ 8.4A, 10V	3V @ 250μA	7.6nC @ 5V	±20V	15V에서 560pF	-	2.5W(타)
BZX55C33	0.0600	보상요청	20	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	±6%	-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향			500mW		DO-35 (DO-204AH)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.10.0050	1,000																1.3V @ 100mA		24V에서 100nA										33V	80옴
KSC5019MTA	0.0700	보상요청	29	비교차일드	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록	KSC5019		750mW		TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1																							10V	2A		100nA(ICBO)					NPN	500mV @ 50mA, 2A	140 @ 500mA, 1V	150MHz
FMC7G15US60	-	보상요청	4427	비교차일드	-	대부분	활동적인		-40°C ~ 150°C (TJ)	방역	기준기준			45W	삼상 다리 정류기	-	다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	4	브레이크가 있는 3상인터																					-	600V	15A	2.8V @ 15V, 15A	250μA	아니요			30V에서 948pF
FDMS3606AS	1.0900	보상요청	7	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN	FDMS3606	MOSFET(금속)	1W		8-PQFN(5x6)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1	2 N채널(이중) 배열				30V	13A, 27A		8m옴 @ 13A, 10V	2.7V @ 250μA	29nC @ 10V		15V에서 1695pF	게임 레벨 레벨
BZX84C11	0.0200	보상요청	48	비교차일드	-	대부분	활동적인			표면 실장		BZX84					다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	공급자가 규정하지 않는 경우	2156-BZX84C11-600039			1																		100nA @ 8V										11V	20옴
EGP20A	0.2200	보상요청	27	비교차일드	-	대부분	활동적인			스루홀	DO-204AC, DO-15, 축방향		기준			DO-15	다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-EGP20A-600039			1,348		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)													50V	950mV @ 2A	50ns	50V에서 5μA	-65°C ~ 150°C	2A	70pF @ 4V, 1MHz
NDS9936	0.5400	보상요청	40	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	NDS993	MOSFET(금속)	900mW		8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	2,500	2 N채널(듀얼)				30V	5A		50m옴 @ 5A, 10V	3V @ 250μA	35nC @ 10V		525pF @ 15V	게임 레벨 레벨
MPSA42RA	1.0000	보상요청	8905	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록			625mW		TO-92-3	-	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	2,000																							300V	500mA		100nA(ICBO)					NPN	500mV @ 2mA, 20mA	40 @ 30mA, 10V	50MHz
MMSZ5229B	-	보상요청	7071	비교차일드	-	대부분	활동적인	±5%	-	표면 실장	SOD-123	MMSZ52		500mW		SOD-123	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	3,000																900mV @ 10mA		1V에서 5μA										4.3V	23옴
FDMS3672	-	보상요청	7179	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-파워WDFN		MOSFET(금속)			8-MLP(5x6), 전원56	다운로드	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-FDMS3672	EAR99	8541.29.0095	1			N채널		100V	7.4A(Ta), 22A(Tc)	6V, 10V	23m옴 @ 7.4A, 10V	4V @ 250μA	44nC @ 10V	±20V	50V에서 2680pF	-	2.5W(Ta), 78W(Tc)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(5251)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²