| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 에 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 현재의 | 전압 | 전압 - 절연 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FOD817X_5701W | 0.1100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT2222 | 0.0200 | ![]() | 66 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT2222 | 350mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30V | 600mA | 10μA(ICBO) | NPN | 1.6V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSW56RLRPG | 1.0000 | ![]() | 8987 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리(성형 리드) | 1W | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 80V | 500mA | 500nA | PNP | 500mV @ 10mA, 250mA | 50 @ 250mA, 1V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN2907BU | 0.0500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | PN2907 | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0095 | 9,078 | 40V | 800mA | 20nA(ICBO) | PNP | 1.6V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJV3105RMTF | 0.0300 | ![]() | 36 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | FJV310 | 200mW | SOT-23-3(TO-236) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN - 사전 바이어스됨 | 500μA, 10mA에서 300mV | 30 @ 5mA, 5V | 250MHz | 4.7kΩ | 10kΩ | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC337A | 0.0600 | ![]() | 4993 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 373 | 45V | 800mA | 100nA | NPN | 700mV @ 50mA, 500mA | 100 @ 100mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4027T-N-TL-E | 0.2900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-2SC4027T-N-TL-E-600039 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBD1202 | - | ![]() | 6934 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBD12 | 기준 | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 100V | 1V @ 200mA | 4ns | 100V에서 25nA | 150°C(최대) | 200mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSP2222ABU | 0.0500 | ![]() | 110 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0095 | 6,483 | 40V | 600mA | 10nA(ICBO) | NPN | 1V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS3601 | 0.3700 | ![]() | 49 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | FDS36 | MOSFET(금속) | 900mW | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 N채널(듀얼) | 100V | 1.3A | 480m옴 @ 1.3A, 10V | 4V @ 250μA | 5nC @ 10V | 50V에서 153pF | 게임 레벨 레벨 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQU20N06TU | 0.4100 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,040 | N채널 | 60V | 16.8A(Tc) | 10V | 63m옴 @ 8.4A, 10V | 4V @ 250μA | 15nC @ 10V | ±25V | 25V에서 590pF | - | 2.5W(Ta), 38W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75842S3ST | 1.1300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 150V | 43A(Tc) | 10V | 42m옴 @ 43A, 10V | 4V @ 250μA | 175nC @ 20V | ±20V | 2730pF @ 25V | - | 230W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N753A | 1.9300 | ![]() | 118 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 500mW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0050 | 156 | 1.5V @ 200mA | 100nA @ 1V | 6.2V | 7옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD17N08LTM | - | ![]() | 5387 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252-3(DPAK) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 80V | 12.9A(Tc) | 5V, 10V | 100m옴 @ 6.45A, 10V | 2V @ 250μA | 11.5nC @ 5V | ±20V | 25V에서 520pF | - | 2.5W(Ta), 40W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KST06MTF-FS | - | ![]() | 4273 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 80V | 500mA | 100nA | NPN | 250mV @ 10mA, 100mA | 50 @ 100mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSH31TF | 0.2300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 1.56W | TO-252, (D-박) | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-KSH31TF | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 40V | 3A | 50μA | NPN | 1.2V @ 375mA, 3A | 25 @ 1A, 4V | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX70G | - | ![]() | 4855 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCX70 | 350mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 45V | 200mA | 20nA | NPN | 550mV @ 1.25mA, 50mA | 120 @ 2mA, 5V | 125MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5400RA | 0.0400 | ![]() | 17 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 120V | 600mA | 100nA(ICBO) | PNP | 500mV @ 5mA, 50mA | 40 @ 10mA, 5V | 400MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FSBF3CH60B | 10.6700 | ![]() | 108 | 0.00000000 | 비교차일드 | 모션-SPM® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | 27-PowerDIP 모듈(1.205", 30.60mm) | IGBT | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 | 3상 | 3A | 600V | 2500Vrms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSB660 | 0.0900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 500mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 60V | 2A | 100nA(ICBO) | PNP | 350mV @ 200mA, 2A | 100 @ 500mA, 2V | 75MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5990B | 1.8400 | ![]() | 21 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 500mW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2V @ 200mA | 10μA @ 1V | 3.9V | 90옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS8961 | - | ![]() | 4953 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | NDS896 | MOSFET(금속) | 900mW | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 551 | 2 N채널(듀얼) | 30V | 3.1A | 100m옴 @ 3.1A, 10V | 3V @ 250μA | 10nC @ 10V | 190pF @ 15V | 게임 레벨 레벨 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75631P3 | 1.1100 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N채널 | 100V | 33A(티씨) | 10V | 40m옴 @ 33A, 10V | 4V @ 250μA | 79nC @ 20V | ±20V | 25V에서 1220pF | - | 120W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF9N30 | 0.7500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 300V | 6A(TC) | 10V | 450m옴 @ 3A, 10V | 5V @ 250μA | 22nC @ 10V | ±30V | 25V에서 740pF | - | 42W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6002B | 2.0000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 500mW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2V @ 200mA | 100nA @ 9.1V | 12V | 22옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75639S3ST | 1.4800 | ![]() | 33 | 0.00000000 | 비교차일드 | 자동차, AEC-Q101, UltraFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | HUFA75 | MOSFET(금속) | D²PAK(TO-263AB) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 800 | N채널 | 100V | 56A(티씨) | 10V | 25m옴 @ 56A, 10V | 4V @ 250μA | 130nC @ 10V | ±20V | 2000pF @ 25V | - | 200W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFPF15UP20STTU | 0.4400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-220-2 풀팩 | 기준 | TO-220F-2L | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 200V | 1.15V @ 15A | 45ns | 200V에서 100μA | -65°C ~ 150°C | 15A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76121S3ST | 0.4600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 30V | 47A (Tc) | 4.5V, 10V | 21m옴 @ 47A, 10V | 3V @ 250μA | 30nC @ 10V | ±20V | 25V에서 850pF | - | 75W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP17N08 | 0.3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 80V | 16.5A(Tc) | 10V | 115m옴 @ 8.25A, 10V | 4V @ 250μA | 15nC @ 10V | ±25V | 25V에서 450pF | - | 65W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFD4N06LSM9A | 0.5600 | ![]() | 67 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 60V | 4A(TC) | 5V | 600m옴 @ 1A, 5V | 2.5V @ 250μA | 8nC @ 10V | ±10V | - | 30W(Tc) |

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