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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 현재의 전압 전압 - 절연 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
FOD817X_5701W Fairchild Semiconductor FOD817X_5701W 0.1100
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ECAD 1 0.00000000 비교차일드 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1
MMBT2222 Fairchild Semiconductor MMBT2222 0.0200
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ECAD 66 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2222 350mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 600mA 10μA(ICBO) NPN 1.6V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 250MHz
MPSW56RLRPG Fairchild Semiconductor MPSW56RLRPG 1.0000
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ECAD 8987 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리(성형 리드) 1W TO-92 (TO-226) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0075 2,000 80V 500mA 500nA PNP 500mV @ 10mA, 250mA 50 @ 250mA, 1V 50MHz
PN2907BU Fairchild Semiconductor PN2907BU 0.0500
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ECAD 9 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN2907 625mW TO-92-3 다운로드 EAR99 8541.21.0095 9,078 40V 800mA 20nA(ICBO) PNP 1.6V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V -
FJV3105RMTF Fairchild Semiconductor FJV3105RMTF 0.0300
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ECAD 36 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FJV310 200mW SOT-23-3(TO-236) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 5mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 10kΩ
BC337A Fairchild Semiconductor BC337A 0.0600
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ECAD 4993 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 373 45V 800mA 100nA NPN 700mV @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 1V 100MHz
2SC4027T-N-TL-E Fairchild Semiconductor 2SC4027T-N-TL-E 0.2900
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ECAD 7 0.00000000 비교차일드 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-2SC4027T-N-TL-E-600039 1
MMBD1202 Fairchild Semiconductor MMBD1202 -
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ECAD 6934 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD12 기준 SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 1 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 100V 1V @ 200mA 4ns 100V에서 25nA 150°C(최대) 200mA -
KSP2222ABU Fairchild Semiconductor KSP2222ABU 0.0500
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ECAD 110 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625mW TO-92-3 다운로드 EAR99 8541.21.0095 6,483 40V 600mA 10nA(ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 300MHz
FDS3601 Fairchild Semiconductor FDS3601 0.3700
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ECAD 49 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) FDS36 MOSFET(금속) 900mW 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 100V 1.3A 480m옴 @ 1.3A, 10V 4V @ 250μA 5nC @ 10V 50V에서 153pF 게임 레벨 레벨
FQU20N06TU Fairchild Semiconductor FQU20N06TU 0.4100
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ECAD 22 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 5,040 N채널 60V 16.8A(Tc) 10V 63m옴 @ 8.4A, 10V 4V @ 250μA 15nC @ 10V ±25V 25V에서 590pF - 2.5W(Ta), 38W(Tc)
HUF75842S3ST Fairchild Semiconductor HUF75842S3ST 1.1300
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ECAD 3 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 800 N채널 150V 43A(Tc) 10V 42m옴 @ 43A, 10V 4V @ 250μA 175nC @ 20V ±20V 2730pF @ 25V - 230W(Tc)
1N753A Fairchild Semiconductor 1N753A 1.9300
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ECAD 118 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 500mW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.10.0050 156 1.5V @ 200mA 100nA @ 1V 6.2V 7옴
FQD17N08LTM Fairchild Semiconductor FQD17N08LTM -
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ECAD 5387 0.00000000 비교차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252-3(DPAK) 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 80V 12.9A(Tc) 5V, 10V 100m옴 @ 6.45A, 10V 2V @ 250μA 11.5nC @ 5V ±20V 25V에서 520pF - 2.5W(Ta), 40W(Tc)
KST06MTF-FS Fairchild Semiconductor KST06MTF-FS -
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ECAD 4273 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 - 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 3,000 80V 500mA 100nA NPN 250mV @ 10mA, 100mA 50 @ 100mA, 1V 100MHz
KSH31TF Fairchild Semiconductor KSH31TF 0.2300
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ECAD 3 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 1.56W TO-252, (D-박) - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-KSH31TF EAR99 8541.29.0095 1 40V 3A 50μA NPN 1.2V @ 375mA, 3A 25 @ 1A, 4V 3MHz
BCX70G Fairchild Semiconductor BCX70G -
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ECAD 4855 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 - 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX70 350mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 3,000 45V 200mA 20nA NPN 550mV @ 1.25mA, 50mA 120 @ 2mA, 5V 125MHz
2N5400RA Fairchild Semiconductor 2N5400RA 0.0400
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ECAD 17 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 2,000 120V 600mA 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 5mA, 50mA 40 @ 10mA, 5V 400MHz
FSBF3CH60B Fairchild Semiconductor FSBF3CH60B 10.6700
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ECAD 108 0.00000000 비교차일드 모션-SPM® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 27-PowerDIP 모듈(1.205", 30.60mm) IGBT 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8542.39.0001 10 3상 3A 600V 2500Vrms
FSB660 Fairchild Semiconductor FSB660 0.0900
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ECAD 8 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 500mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0095 3,000 60V 2A 100nA(ICBO) PNP 350mV @ 200mA, 2A 100 @ 500mA, 2V 75MHz
1N5990B Fairchild Semiconductor 1N5990B 1.8400
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ECAD 21 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 500mW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.10.0050 163 1.2V @ 200mA 10μA @ 1V 3.9V 90옴
NDS8961 Fairchild Semiconductor NDS8961 -
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ECAD 4953 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) NDS896 MOSFET(금속) 900mW 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0095 551 2 N채널(듀얼) 30V 3.1A 100m옴 @ 3.1A, 10V 3V @ 250μA 10nC @ 10V 190pF @ 15V 게임 레벨 레벨
HUF75631P3 Fairchild Semiconductor HUF75631P3 1.1100
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ECAD 16 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 400 N채널 100V 33A(티씨) 10V 40m옴 @ 33A, 10V 4V @ 250μA 79nC @ 20V ±20V 25V에서 1220pF - 120W(Tc)
FQPF9N30 Fairchild Semiconductor FQPF9N30 0.7500
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ECAD 2 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220F-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 300V 6A(TC) 10V 450m옴 @ 3A, 10V 5V @ 250μA 22nC @ 10V ±30V 25V에서 740pF - 42W(Tc)
1N6002B Fairchild Semiconductor 1N6002B 2.0000
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ECAD 10 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 500mW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.10.0050 163 1.2V @ 200mA 100nA @ 9.1V 12V 22옴
HUFA75639S3ST Fairchild Semiconductor HUFA75639S3ST 1.4800
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ECAD 33 0.00000000 비교차일드 자동차, AEC-Q101, UltraFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB HUFA75 MOSFET(금속) D²PAK(TO-263AB) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 800 N채널 100V 56A(티씨) 10V 25m옴 @ 56A, 10V 4V @ 250μA 130nC @ 10V ±20V 2000pF @ 25V - 200W(Tc)
FFPF15UP20STTU Fairchild Semiconductor FFPF15UP20STTU 0.4400
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ECAD 1 0.00000000 비교차일드 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-220-2 풀팩 기준 TO-220F-2L 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 200V 1.15V @ 15A 45ns 200V에서 100μA -65°C ~ 150°C 15A -
HUF76121S3ST Fairchild Semiconductor HUF76121S3ST 0.4600
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ECAD 4 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 30V 47A (Tc) 4.5V, 10V 21m옴 @ 47A, 10V 3V @ 250μA 30nC @ 10V ±20V 25V에서 850pF - 75W(Tc)
FQP17N08 Fairchild Semiconductor FQP17N08 0.3100
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ECAD 2 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 80V 16.5A(Tc) 10V 115m옴 @ 8.25A, 10V 4V @ 250μA 15nC @ 10V ±25V 25V에서 450pF - 65W(Tc)
RFD4N06LSM9A Fairchild Semiconductor RFD4N06LSM9A 0.5600
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ECAD 67 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 4A(TC) 5V 600m옴 @ 1A, 5V 2.5V @ 250μA 8nC @ 10V ±10V - 30W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고