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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 테스트 테스트 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) Current -Off State (Max) scr 유형 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
NSBC114YDXV6T1G Fairchild Semiconductor NSBC114YDXV6T1G 0.0800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1
FQB6N40CTM Fairchild Semiconductor fqb6n40ctm 0.8100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) - 0000.00.0000 1 n 채널 400 v 6A (TC) 10V 1ohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 625 pf @ 25 v - 73W (TC)
FQD8N25TF Fairchild Semiconductor FQD8N25TF 0.4600
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 250 v 6.2A (TC) 10V 550mohm @ 3.1a, 10V 5V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 30V 530 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 50W (TC)
FCPF21N60NT Fairchild Semiconductor fcpf21n60nt 3.0800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FCPF21 MOSFET (금속 (() TO-220F - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 600 v - - - - -
HUF76121S3ST Fairchild Semiconductor HUF76121S3st 0.4600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 47A (TC) 4.5V, 10V 21mohm @ 47a, 10V 3V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 850 pf @ 25 v - 75W (TC)
BC559CBU Fairchild Semiconductor BC559CBU 1.0000
RFQ
 ECAD 7622 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 1,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 150MHz
FQD4P40TM Fairchild Semiconductor FQD4P40TM 1.0000
RFQ
 ECAD 8830 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 0000.00.0000 1 p 채널 400 v 2.7A (TC) 10V 3.1ohm @ 1.35a, 10V 5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 680 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 50W (TC)
KSE13007FH2SMTU Fairchild Semiconductor KSE13007FH2SMTU -
RFQ
 ECAD 2775 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 KSE13007 TO-220F-3 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 - NPN 3v @ 2a, 8a 8 @ 2a, 5V 4MHz
KSA708YBU Fairchild Semiconductor KSA708YBU 0.0500
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 800MW To-92-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 5,495 60 v 700 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 120 @ 50MA, 2V 50MHz
FDG326P Fairchild Semiconductor FDG326P 0.0900
RFQ
 ECAD 524 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (금속 (() SC-88 (SC-70-6) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 1.5A (TA) 1.8V, 4.5V 140mohm @ 1.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 7 NC @ 4.5 v ± 8V 467 pf @ 10 v - 750MW (TA)
FDMA291P Fairchild Semiconductor FDMA291P 1.0000
RFQ
 ECAD 6897 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 MOSFET (금속 (() 6 x 2 (2x2) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 p 채널 20 v 6.6A (TA) 1.8V, 4.5V 42mohm @ 6.6a, 4.5v 1V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 8V 1000 pf @ 10 v - 2.4W (TA)
FDU068AN03L Fairchild Semiconductor FDU068AN03L 0.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 17A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 35a, 10V 2.5V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 2525 pf @ 15 v - 80W (TC)
FGD3440G2 Fairchild Semiconductor FGD3440G2 -
RFQ
 ECAD 5523 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ecospark® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FGD3 논리 166 w TO-252AA - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 300V, 6.5A, 1KOHM, 5V - 400 v 26.9 a 1.2V @ 4V, 6A - 24 NC -/5.3µs
HUFA76419D3S Fairchild Semiconductor HUFA76419D3S 1.0000
RFQ
 ECAD 6133 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 60 v 20A (TC) 4.5V, 10V 37mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 27.5 nc @ 10 v ± 16V 900 pf @ 25 v - 75W (TC)
FQU20N06TU Fairchild Semiconductor FQU20N06TU 0.4100
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 5,040 n 채널 60 v 16.8A (TC) 10V 63mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 25V 590 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 38W (TC)
HRFZ44N Fairchild Semiconductor HRFZ44N 0.4200
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 55 v 49A (TC) 10V 25A, 25A, 10V 4V @ 250µA 75 NC @ 20 v ± 20V 1060 pf @ 25 v - 120W (TC)
MMBT3906T-FS Fairchild Semiconductor MMBT3906T-FS -
RFQ
 ECAD 8161 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 250 MW SOT-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 3,000 40 v 200 MA 50NA PNP 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
FQB12N50TM Fairchild Semiconductor FQB12N50TM 1.0700
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 FQB12N - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 800 -
SSR4N60BTM Fairchild Semiconductor SSR4N60BTM 1.0000
RFQ
 ECAD 6413 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-3 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 2.8A (TC) 10V 2.5ohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 30V 920 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 49W (TC)
FCP130N60 Fairchild Semiconductor FCP130N60 2.8900
RFQ
 ECAD 127 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Superfet® II 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 127 n 채널 600 v 28A (TC) 10V 130mohm @ 14a, 10V 3.5V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 3590 pf @ 380 v - 278W (TC)
KSH44H11TF Fairchild Semiconductor KSH44H11TF -
RFQ
 ECAD 3611 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 1.75 w TO-252-3 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 8 a 10µA NPN 1V @ 400MA, 8A 40 @ 4a, 1v 50MHz
SB350 Fairchild Semiconductor SB350 0.1200
RFQ
 ECAD 1361 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 Schottky Do-201 다운로드 귀 99 8541.10.0080 1,954 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 680 mV @ 3 a 500 µa @ 50 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
KSE2955T Fairchild Semiconductor KSE2955T -
RFQ
 ECAD 5328 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 600MW TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 895 60 v 10 a 700µA PNP 8V @ 3.3A, 10A 20 @ 4a, 4v 2MHz
FFPF10U40STU Fairchild Semiconductor FFPF10U40STU 0.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 기준 TO-220F-2L 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.4 V @ 10 a 50 ns 30 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 10A -
KST55MTF Fairchild Semiconductor KST55MTF -
RFQ
 ECAD 9303 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 KST55 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 3,000 60 v 500 MA 100NA PNP 250mv @ 10ma, 100ma 50 @ 100MA, 1V 50MHz
KSC3123OMTF Fairchild Semiconductor KSC3123OMTF 0.0200
RFQ
 ECAD 8269 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 150MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 2,409 20dB ~ 23dB 20V 50ma NPN 90 @ 5MA, 10V 1.4GHz 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz
IRF740A Fairchild Semiconductor IRF740A 1.0000
RFQ
 ECAD 8305 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 30V 1030 pf @ 25 v - 125W (TC)
FQD1N50TM Fairchild Semiconductor FQD1N50TM 0.5300
RFQ
 ECAD 241 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 500 v 1.1A (TC) 10V 9ohm @ 550ma, 10V 5V @ 250µA 5.5 nc @ 10 v ± 30V 150 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
FDPF5N50NZ Fairchild Semiconductor FDPF5N50NZ 0.8500
RFQ
 ECAD 414 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8542.39.0001 353
MCR100-8RLG Fairchild Semiconductor MCR100-8RLG -
RFQ
 ECAD 7605 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) TO-92 (TO-226) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.30.0080 2,000 5 MA 600 v 800 MA 800 MV 10A @ 60Hz 200 µA 1.7 v 10 µA 민감한 민감한
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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