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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
FDMC7680 Fairchild Semiconductor FDMC7680 0.6100
RFQ
ECAD 11 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8MLP (3.3x3.3) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 492 n 채널 30 v 14.8A (TA) 4.5V, 10V 7.2MOHM @ 14.8A, 10V 3V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 2855 pf @ 15 v - 2.3W (TA), 31W (TC)
SS9014BBU Fairchild Semiconductor SS9014BBU -
RFQ
ECAD 2021 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 450 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 1,000 45 v 100 MA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5ma, 100ma 100 @ 1ma, 5V 270MHz
FDP16AN08A0 Fairchild Semiconductor FDP16AN08A0 0.9100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 357 n 채널 75 v 9A (TA), 58A (TC) 6V, 10V 16mohm @ 58a, 10V 4V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 1857 pf @ 25 v - 135W (TC)
BZX84C3V9 Fairchild Semiconductor BZX84C3V9 0.0200
RFQ
ECAD 30 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 BZX84C3 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-BZX84C3V9-600039 귀 99 8541.10.0050 1
FJL4215OTU Fairchild Semiconductor fjl4215otu 2.4200
RFQ
ECAD 34 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA 150 W. HPM F2 다운로드 귀 99 8542.39.0001 124 250 v 17 a 5µA (ICBO) PNP 3V @ 800ma, 8a 80 @ 1a, 5V 30MHz
FDD6796A Fairchild Semiconductor FDD6796A 0.5200
RFQ
ECAD 749 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 750 n 채널 25 v 20A (TA), 40A (TC) 5.7mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1780 pf @ 13 v - 3.7W (TA), 42W (TC)
BUT11TU Fairchild Semiconductor BUT11TU 0.4000
RFQ
ECAD 16 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 100 W. TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 400 v 5 a 1MA NPN 1.5V @ 600MA, 3A - -
KSA708YBU Fairchild Semiconductor KSA708YBU 0.0500
RFQ
ECAD 80 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 800MW To-92-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 5,495 60 v 700 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 120 @ 50MA, 2V 50MHz
HGT1S14N41G3VLT Fairchild Semiconductor HGT1S14N41G3VLT 1.9100
RFQ
ECAD 800 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 공급 공급 정의되지 업체는 2156-HGT1S14N41G3VLT-600039 1
FLZ6V8A Fairchild Semiconductor flz6v8a 0.0200
RFQ
ECAD 25 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 15,000 1.2 v @ 200 ma 1.1 µa @ 3.5 v 6.5 v 6.6 옴
FCPF380N60E Fairchild Semiconductor fcpf380n60e 1.0000
RFQ
ECAD 3434 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Superfet® II 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 fcpf380 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 10.2A (TC) 10V 380mohm @ 5a, 10V 3.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1770 pf @ 25 v - 31W (TC)
KST5551MTF Fairchild Semiconductor KST5551MTF 1.0000
RFQ
ECAD 4546 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 KST55 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 3,000 160 v 600 MA 50NA (ICBO) NPN 200mv @ 5ma, 50ma 80 @ 10ma, 5V 300MHz
FFB3904 Fairchild Semiconductor FFB3904 0.0800
RFQ
ECAD 423 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 FFB39 300MW SC-88 (SC-70-6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 40V 200ma - 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
NDP4060 Fairchild Semiconductor NDP4060 0.4800
RFQ
ECAD 134 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 15A (TC) 10V 100mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 450 pf @ 25 v - 50W (TC)
HUF75309P3 Fairchild Semiconductor huf75309p3 0.4100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 55 v 19A (TC) 10V 70mohm @ 19a, 10V 4V @ 250µA 24 nc @ 20 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 55W (TC)
MPSA05 Fairchild Semiconductor MPSA05 -
RFQ
ECAD 4173 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 2,203 60 v 500 MA 100NA NPN 250mv @ 10ma, 100ma 100 @ 100ma, 1v 100MHz
FQB16N25CTM Fairchild Semiconductor FQB16N25CTM 0.8100
RFQ
ECAD 845 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 250 v 15.6A (TC) 10V 270mohm @ 7.8a, 10V 4V @ 250µA 53.5 nc @ 10 v ± 30V 1080 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 139W (TC)
TIP112 Fairchild Semiconductor tip112 -
RFQ
ECAD 4968 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 2 w TO-220-3 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받습니다 2156-TIP112-600039 귀 99 8541.29.0095 1 100 v 2 a 2MA npn-달링턴 2.5V @ 8MA, 2A 1000 @ 1a, 4v -
FDG315N Fairchild Semiconductor FDG315N 0.2600
RFQ
ECAD 15 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 FDG315 MOSFET (금속 (() SC-88 (SC-70-6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 3,000 n 채널 30 v 2A (TA) 4.5V, 10V 120mohm @ 2a, 10V 3V @ 250µA 4 NC @ 5 v ± 20V 220 pf @ 15 v - 750MW (TA)
1N914A Fairchild Semiconductor 1N914A 0.0200
RFQ
ECAD 340 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 기준 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0070 2,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1 V @ 20 ma 4 ns 5 µa @ 75 v 175 ° C (°) 200ma 4pf @ 0V, 1MHz
30A02MH-TL-H Fairchild Semiconductor 30A02MH-TL-H -
RFQ
ECAD 7539 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 리드 600MW 3mcph - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-30A02MH-TL-H-600039 1 30 v 700 MA 100NA PNP 220MV @ 10MA, 200MA 200 @ 10ma, 2v 520MHz
FQD13N10TM Fairchild Semiconductor FQD13N10TM 1.0000
RFQ
ECAD 8426 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 100 v 10A (TC) 10V 180mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 25V 450 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 40W (TC)
HUF75333P3 Fairchild Semiconductor HUF75333P3 0.8200
RFQ
ECAD 139 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 55 v 66A (TC) 10V 16mohm @ 66a, 10V 4V @ 250µA 85 NC @ 20 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 150W (TC)
2SA1708T-AN-FS Fairchild Semiconductor 2SA1708T-an-FS 0.2000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-71 2SA1708 1 W. 3-nmp 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 100NA (ICBO) 600mv @ 40ma, 400ma 200 @ 100ma, 10V 120MHz
BC239BTA Fairchild Semiconductor BC239BTA 0.0200
RFQ
ECAD 6681 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 1,241 25 v 100 MA 15NA NPN 600mv @ 5ma, 100ma 180 @ 2MA, 5V 250MHz
KSB1116AGBU Fairchild Semiconductor KSB1116AGBU 0.0500
RFQ
ECAD 9 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 750 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 10,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 50ma, 1a 200 @ 100ma, 2v 120MHz
FDSS2407 Fairchild Semiconductor FDSS2407 0.7200
RFQ
ECAD 565 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDSS24 MOSFET (금속 (() 2.27W 8-SOIC 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 2 n 채널 (채널) 62V 3.3a 110mohm @ 3.3a, 10V 3V @ 250µA 4.3NC @ 5V 300pf @ 15V 논리 논리 게이트
FDB13AN06A0 Fairchild Semiconductor FDB13AN06A0 -
RFQ
ECAD 8081 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 0000.00.0000 1 n 채널 60 v 10.9A (TA), 62A (TC) 6V, 10V 13.5mohm @ 62a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 1350 pf @ 25 v - 115W (TC)
MM3Z20VC Fairchild Semiconductor MM3Z20VC 0.0300
RFQ
ECAD 55 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F 200 MW SOD-323F 다운로드 귀 99 8541.10.0050 11,539 1 V @ 10 ma 45 na @ 14 v 20 v 51 옴
1N6005B Fairchild Semiconductor 1N6005B 1.8400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 163 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 12 v 16 v 36 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고