| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 에 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 테스트 조건 | 현재의 | 전압 | 전압 - 절연 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 관리요금 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SSR2N60BTF | 0.1900 | ![]() | 196 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252-3(DPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 600V | 1.8A(Tc) | 10V | 5옴 @ 900mA, 10V | 4V @ 250μA | 17nC @ 10V | ±30V | 490pF @ 25V | - | 2.5W(Ta), 44W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP85N06 | - | ![]() | 8435 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 60V | 85A(Tc) | 10V | 10m옴 @ 42.5A, 10V | 4V @ 250μA | 112nC @ 10V | ±25V | 4120pF @ 25V | - | 160W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP30C | 0.1700 | ![]() | 4759 | 0.00000000 | 비교차일드 | TIP30C | 대부분 | 활동적인 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 2W | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100V | 1A | 300μA | PNP | 700mV @ 125mA, 1A | 40 @ 200mA, 4V | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB8444 | 1.1400 | ![]() | 167 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 264 | N채널 | 40V | 70A(Tc) | 10V | 5.5m옴 @ 70A, 10V | 4V @ 250μA | 128nC @ 10V | ±20V | 8035pF @ 25V | - | 167W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS16-D87Z | 0.0600 | ![]() | 300 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | BAS16 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BAS16-D87Z-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV19TR | 0.0300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 기준 | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0070 | 9,779 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 120V | 1.25V @ 200mA | 50ns | 100nA @ 100V | 175°C(최대) | 200mA | 5pF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC10080BU | 0.0200 | ![]() | 630 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 800mW | TO-92-3 | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-KSC10080BU-600039 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 700mA | 100nA(ICBO) | NPN | 400mV @ 50mA, 500mA | 40 @ 50mA, 2V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGA15N120ANTDTU | - | ![]() | 5007 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3, SC-65-3 | FGA15N120 | 기준 | 186W | TO-3P | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V, 15A, 10옴, 15V | 330ns | NPT 및 트렌치 | 1200V | 30A | 45A | 2.4V @ 15V, 15A | 3mJ(켜짐), 600μJ(꺼짐) | 120nC | 15ns/160ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF8P10 | 0.3700 | ![]() | 860 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 860 | P채널 | 100V | 5.3A(Tc) | 10V | 530m옴 @ 2.65A, 10V | 4V @ 250μA | 15nC @ 10V | ±30V | 470pF @ 25V | - | 28W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSD526YTU | 1.0000 | ![]() | 7595 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 30W | TO-220-3 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 80V | 4A | 30μA(ICBO) | NPN | 1.5V @ 300mA, 3A | 120 @ 500mA, 5V | 8MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9N308AP3 | 0.8100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 30V | 75A(Tc) | 4.5V, 10V | 8옴 @ 75A, 10V | 3V @ 250μA | 68nC @ 10V | ±20V | 2600pF @ 15V | - | 100W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQH140N10 | - | ![]() | 7619 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | MOSFET(금속) | TO-247 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | N채널 | 100V | 140A(Tc) | 10V | 10m옴 @ 70A, 10V | 4V @ 250μA | 285nC @ 10V | ±25V | 25V에서 7900pF | - | 375W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJV4113RMTF | - | ![]() | 4762 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | FJV411 | 200mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | PNP - 사전 바이어스됨 | 500μA, 10mA에서 300mV | 68 @ 5mA, 5V | 200MHz | 2.2kΩ | 47kΩ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSR13 | 1.0000 | ![]() | 5723 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350mW | SOT-23-3 | - | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30V | 500mA | 30nA(ICBO) | NPN | 1.6V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDZ7296 | 0.7200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 18-WFBGA | MOSFET(금속) | 18-BGA(2.5x4) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 11A(타) | 4.5V, 10V | 8.5m옴 @ 11A, 10V | 3V @ 250μA | 31nC @ 10V | ±20V | 1520pF @ 15V | - | 2.1W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6009B | 1.8400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 500mW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2V @ 200mA | 100nA @ 18V | 24V | 62옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQU20N06TU | 0.4100 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,040 | N채널 | 60V | 16.8A(Tc) | 10V | 63m옴 @ 8.4A, 10V | 4V @ 250μA | 15nC @ 10V | ±25V | 25V에서 590pF | - | 2.5W(Ta), 38W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSP2222ABU | 0.0500 | ![]() | 110 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0095 | 6,483 | 40V | 600mA | 10nA(ICBO) | NPN | 1V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75842S3ST | 1.1300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 150V | 43A(Tc) | 10V | 42m옴 @ 43A, 10V | 4V @ 250μA | 175nC @ 20V | ±20V | 2730pF @ 25V | - | 230W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS3601 | 0.3700 | ![]() | 49 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | FDS36 | MOSFET(금속) | 900mW | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 N채널(듀얼) | 100V | 1.3A | 480m옴 @ 1.3A, 10V | 4V @ 250μA | 5nC @ 10V | 50V에서 153pF | 게임 레벨 레벨 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD17N08LTM | - | ![]() | 5387 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252-3(DPAK) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 80V | 12.9A(Tc) | 5V, 10V | 100m옴 @ 6.45A, 10V | 2V @ 250μA | 11.5nC @ 5V | ±20V | 25V에서 520pF | - | 2.5W(Ta), 40W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBD1202 | - | ![]() | 6934 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBD12 | 기준 | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 100V | 1V @ 200mA | 4ns | 100V에서 25nA | 150°C(최대) | 200mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KST06MTF-FS | - | ![]() | 4273 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 80V | 500mA | 100nA | NPN | 250mV @ 10mA, 100mA | 50 @ 100mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS630A | 0.4400 | ![]() | 55 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 200V | 6.5A(Tc) | 10V | 400m옴 @ 3.25A, 10V | 4V @ 250μA | 29nC @ 10V | ±30V | 25V에서 650pF | - | 38W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR750 | 0.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | TO-220-2 | 쇼트키 | TO-220AC | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 50V | 750mV @ 7.5A | 500μA @ 50V | -55°C ~ 150°C | 7.5A | 400pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSBM20SL60 | 21.6000 | ![]() | 96 | 0.00000000 | 비교차일드 | SPM® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | 32-PowerDIP 모듈(1.370", 34.80mm) | IGBT | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8542.39.0001 | 48 | 3상 | 20A | 600V | 2500Vrms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP121TU | 0.4400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 2W | TO-220-3 | 다운로드 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-TIP121TU-600039 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80V | 5A | 500μA | NPN-달링턴 | 4V @ 20mA, 5A | 1000 @ 3A, 3V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UF4001 | 0.0800 | ![]() | 47 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | DO-204AL, DO-41, 축방향 | UF400 | 기준 | DO-41 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-UF4001-600039 | 3,899 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 50V | 1V @ 1A | 50ns | 50V에서 10μA | -65°C ~ 150°C | 1A | 17pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFM120A | - | ![]() | 2953 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET(금속) | SOT-223-4 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 89 | N채널 | 100V | 2.3A(타) | 10V | 200m옴 @ 1.15A, 10V | 4V @ 250μA | 22nC @ 10V | ±20V | 25V에서 480pF | - | 2.4W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5257B | - | ![]() | 7381 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±5% | -65°C ~ 200°C (TJ) | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 500mW | DO-35 | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-1N5257B-600039 | 1 | 1.2V @ 200mA | 100nA @ 25V | 33V | 58옴 |

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