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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 테스트 조건 현재의 전압 전압 - 절연 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
SSR2N60BTF Fairchild Semiconductor SSR2N60BTF 0.1900
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ECAD 196 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252-3(DPAK) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 600V 1.8A(Tc) 10V 5옴 @ 900mA, 10V 4V @ 250μA 17nC @ 10V ±30V 490pF @ 25V - 2.5W(Ta), 44W(Tc)
FQP85N06 Fairchild Semiconductor FQP85N06 -
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ECAD 8435 0.00000000 비교차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 60V 85A(Tc) 10V 10m옴 @ 42.5A, 10V 4V @ 250μA 112nC @ 10V ±25V 4120pF @ 25V - 160W(Tc)
TIP30C Fairchild Semiconductor TIP30C 0.1700
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ECAD 4759 0.00000000 비교차일드 TIP30C 대부분 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 2W TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 100V 1A 300μA PNP 700mV @ 125mA, 1A 40 @ 200mA, 4V 3MHz
FDB8444 Fairchild Semiconductor FDB8444 1.1400
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ECAD 167 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 EAR99 8542.39.0001 264 N채널 40V 70A(Tc) 10V 5.5m옴 @ 70A, 10V 4V @ 250μA 128nC @ 10V ±20V 8035pF @ 25V - 167W(Tc)
BAS16-D87Z Fairchild Semiconductor BAS16-D87Z 0.0600
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ECAD 300 0.00000000 비교차일드 * 대부분 활동적인 BAS16 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BAS16-D87Z-600039 1
BAV19TR Fairchild Semiconductor BAV19TR 0.0300
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ECAD 30 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 기준 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 EAR99 8541.10.0070 9,779 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 120V 1.25V @ 200mA 50ns 100nA @ 100V 175°C(최대) 200mA 5pF @ 0V, 1MHz
KSC10080BU Fairchild Semiconductor KSC10080BU 0.0200
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ECAD 630 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 800mW TO-92-3 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-KSC10080BU-600039 EAR99 8541.21.0095 1 60V 700mA 100nA(ICBO) NPN 400mV @ 50mA, 500mA 40 @ 50mA, 2V 50MHz
FGA15N120ANTDTU Fairchild Semiconductor FGA15N120ANTDTU -
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ECAD 5007 0.00000000 비교차일드 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 FGA15N120 기준 186W TO-3P 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 30 600V, 15A, 10옴, 15V 330ns NPT 및 트렌치 1200V 30A 45A 2.4V @ 15V, 15A 3mJ(켜짐), 600μJ(꺼짐) 120nC 15ns/160ns
FQPF8P10 Fairchild Semiconductor FQPF8P10 0.3700
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ECAD 860 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220F-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 860 P채널 100V 5.3A(Tc) 10V 530m옴 @ 2.65A, 10V 4V @ 250μA 15nC @ 10V ±30V 470pF @ 25V - 28W(Tc)
KSD526YTU Fairchild Semiconductor KSD526YTU 1.0000
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ECAD 7595 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 30W TO-220-3 다운로드 0000.00.0000 1 80V 4A 30μA(ICBO) NPN 1.5V @ 300mA, 3A 120 @ 500mA, 5V 8MHz
ISL9N308AP3 Fairchild Semiconductor ISL9N308AP3 0.8100
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ECAD 3 0.00000000 비교차일드 UltraFET® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 30V 75A(Tc) 4.5V, 10V 8옴 @ 75A, 10V 3V @ 250μA 68nC @ 10V ±20V 2600pF @ 15V - 100W(Tc)
FQH140N10 Fairchild Semiconductor FQH140N10 -
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ECAD 7619 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 450 N채널 100V 140A(Tc) 10V 10m옴 @ 70A, 10V 4V @ 250μA 285nC @ 10V ±25V 25V에서 7900pF - 375W(Tc)
FJV4113RMTF Fairchild Semiconductor FJV4113RMTF -
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ECAD 4762 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FJV411 200mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 68 @ 5mA, 5V 200MHz 2.2kΩ 47kΩ
BSR13 Fairchild Semiconductor BSR13 1.0000
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ECAD 5723 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350mW SOT-23-3 - ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 500mA 30nA(ICBO) NPN 1.6V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 250MHz
FDZ7296 Fairchild Semiconductor FDZ7296 0.7200
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ECAD 4 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 18-WFBGA MOSFET(금속) 18-BGA(2.5x4) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 11A(타) 4.5V, 10V 8.5m옴 @ 11A, 10V 3V @ 250μA 31nC @ 10V ±20V 1520pF @ 15V - 2.1W(타)
1N6009B Fairchild Semiconductor 1N6009B 1.8400
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ECAD 1 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 500mW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.10.0050 163 1.2V @ 200mA 100nA @ 18V 24V 62옴
FQU20N06TU Fairchild Semiconductor FQU20N06TU 0.4100
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ECAD 22 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 5,040 N채널 60V 16.8A(Tc) 10V 63m옴 @ 8.4A, 10V 4V @ 250μA 15nC @ 10V ±25V 25V에서 590pF - 2.5W(Ta), 38W(Tc)
KSP2222ABU Fairchild Semiconductor KSP2222ABU 0.0500
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ECAD 110 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625mW TO-92-3 다운로드 EAR99 8541.21.0095 6,483 40V 600mA 10nA(ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 300MHz
HUF75842S3ST Fairchild Semiconductor HUF75842S3ST 1.1300
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ECAD 3 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 800 N채널 150V 43A(Tc) 10V 42m옴 @ 43A, 10V 4V @ 250μA 175nC @ 20V ±20V 2730pF @ 25V - 230W(Tc)
FDS3601 Fairchild Semiconductor FDS3601 0.3700
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ECAD 49 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) FDS36 MOSFET(금속) 900mW 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 100V 1.3A 480m옴 @ 1.3A, 10V 4V @ 250μA 5nC @ 10V 50V에서 153pF 게임 레벨 레벨
FQD17N08LTM Fairchild Semiconductor FQD17N08LTM -
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ECAD 5387 0.00000000 비교차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252-3(DPAK) 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 80V 12.9A(Tc) 5V, 10V 100m옴 @ 6.45A, 10V 2V @ 250μA 11.5nC @ 5V ±20V 25V에서 520pF - 2.5W(Ta), 40W(Tc)
MMBD1202 Fairchild Semiconductor MMBD1202 -
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ECAD 6934 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD12 기준 SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 1 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 100V 1V @ 200mA 4ns 100V에서 25nA 150°C(최대) 200mA -
KST06MTF-FS Fairchild Semiconductor KST06MTF-FS -
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ECAD 4273 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 - 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 3,000 80V 500mA 100nA NPN 250mV @ 10mA, 100mA 50 @ 100mA, 1V 100MHz
IRFS630A Fairchild Semiconductor IRFS630A 0.4400
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ECAD 55 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220F 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 200V 6.5A(Tc) 10V 400m옴 @ 3.25A, 10V 4V @ 250μA 29nC @ 10V ±30V 25V에서 650pF - 38W(Tc)
MBR750 Fairchild Semiconductor MBR750 0.6600
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ECAD 1 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 스루홀 TO-220-2 쇼트키 TO-220AC 다운로드 EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 50V 750mV @ 7.5A 500μA @ 50V -55°C ~ 150°C 7.5A 400pF @ 4V, 1MHz
FSBM20SL60 Fairchild Semiconductor FSBM20SL60 21.6000
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ECAD 96 0.00000000 비교차일드 SPM® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 32-PowerDIP 모듈(1.370", 34.80mm) IGBT 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8542.39.0001 48 3상 20A 600V 2500Vrms
TIP121TU Fairchild Semiconductor TIP121TU 0.4400
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ECAD 1 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 2W TO-220-3 다운로드 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-TIP121TU-600039 EAR99 8541.29.0095 1 80V 5A 500μA NPN-달링턴 4V @ 20mA, 5A 1000 @ 3A, 3V -
UF4001 Fairchild Semiconductor UF4001 0.0800
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ECAD 47 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 스루홀 DO-204AL, DO-41, 축방향 UF400 기준 DO-41 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-UF4001-600039 3,899 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 50V 1V @ 1A 50ns 50V에서 10μA -65°C ~ 150°C 1A 17pF @ 4V, 1MHz
IRFM120A Fairchild Semiconductor IRFM120A -
보상요청
ECAD 2953 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA MOSFET(금속) SOT-223-4 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 89 N채널 100V 2.3A(타) 10V 200m옴 @ 1.15A, 10V 4V @ 250μA 22nC @ 10V ±20V 25V에서 480pF - 2.4W(타)
1N5257B Fairchild Semiconductor 1N5257B -
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ECAD 7381 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±5% -65°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 500mW DO-35 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-1N5257B-600039 1 1.2V @ 200mA 100nA @ 25V 33V 58옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고