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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) Current -Off State (Max) scr 유형 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
FQPF20N06 Fairchild Semiconductor FQPF20N06 0.5900
RFQ
ECAD 5013 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF20 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 귀 99 8542.39.0001 175 n 채널 60 v 15A (TC) 10V 60mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 25V 590 pf @ 25 v - 30W (TC)
RF1S70N06SM Fairchild Semiconductor RF1S70N06SM 2.2500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 페어차일드 페어차일드 PSPICE® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 70A (TC) 10V 14mohm @ 70a, 10V 4V @ 250µA 215 NC @ 20 v ± 20V 3000 pf @ 25 v - 150W (TC)
FQI47P06TU Fairchild Semiconductor FQI47P06TU 1.5300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 60 v 47A (TC) 10V 26mohm @ 23.5a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 25V 3600 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 160W (TC)
HUF76439S3S Fairchild Semiconductor HUF76439S3S -
RFQ
ECAD 8222 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 60 v 75A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 75A, 10V 3V @ 250µA 84 NC @ 10 v ± 16V 2745 pf @ 25 v - 180W (TC)
FSBM20SH60A Fairchild Semiconductor FSBM20SH60A 1.0000
RFQ
ECAD 8419 0.00000000 페어차일드 페어차일드 SPM® 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 32-powerdip ower (1.370 ", 34.80mm) IGBT 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 48 3 단계 20 a 600 v 2500VRMS
1N5817 Fairchild Semiconductor 1N5817 5.2900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 1N5817 Schottky DO15/DO204AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 57 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 750 mV @ 3 a 1 ma @ 20 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
FNB50560T1 Fairchild Semiconductor FNB50560T1 7.3700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 SPM® 55 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 20-powerdip ip (1.220 ", 31.00mm) IGBT FNB50 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 41 3 상 인버터 5 a 600 v 1500VRMS
BAX16TR Fairchild Semiconductor bax16tr -
RFQ
ECAD 3191 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 Bax16 기준 DO-35 다운로드 귀 99 8541.10.0070 1 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 150 v 650 mV @ 1 ma 120 ns 100 na @ 150 v 175 ° C (°) 200ma -
BAT54A Fairchild Semiconductor BAT54A -
RFQ
ECAD 3675 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bat54 Schottky SOT-23-3 (TO-236) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 30 v 200ma 1 v @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v -55 ° C ~ 150 ° C
S3M Fairchild Semiconductor S3M 0.1300
RFQ
ECAD 43 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S3M 기준 SMC (DO-214AB) 다운로드 귀 99 8541.10.0080 2,412 1000 v 1.15 V @ 3 a 1.5 µs 5 µa @ 1 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
1N4154 Fairchild Semiconductor 1N4154 1.2700
RFQ
ECAD 218 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 기준 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0070 237 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 35 v 1 V @ 30 ma 4 ns 100 na @ 25 v 175 ° C (°) 100ma 4pf @ 0V, 1MHz
FDLL400 Fairchild Semiconductor FDLL400 0.0400
RFQ
ECAD 71 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 기준 SOD-80 다운로드 귀 99 8542.39.0001 7,493 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 150 v 1.1 v @ 300 ma 50 ns 100 na @ 150 v 175 ° C (°) 200ma 2pf @ 0V, 1MHz
FQU6N40CTU Fairchild Semiconductor fqu6n40ctu -
RFQ
ECAD 6824 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 5,040 n 채널 400 v 4.5A (TC) 10V 1ohm @ 2.25a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 625 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 48W (TC)
FSB50450L Fairchild Semiconductor FSB50450L 5.1200
RFQ
ECAD 9 0.00000000 페어차일드 페어차일드 spm® 5 대부분 활동적인 MOSFET - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 0000.00.0000 1 3 상 인버터
1N3070 Fairchild Semiconductor 1N3070 6.2400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 기준 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8541.10.0070 49 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 v @ 100 ma 50 ns 100 na @ 175 v 175 ° C (°) 500ma 5pf @ 0V, 1MHz
73389_Q Fairchild Semiconductor 73389_Q 0.6300
RFQ
ECAD 8832 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 216
FMBS549 Fairchild Semiconductor FMBS549 0.0400
RFQ
ECAD 6326 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 700 MW SUPERSOT ™ -6 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 5 30 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 750mv @ 200ma, 2a 100 @ 500ma, 2v 100MHz
FES16FT Fairchild Semiconductor FES16FT 1.0000
RFQ
ECAD 3029 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 기준 TO-220-2 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.3 V @ 8 a 50 ns 10 µa @ 300 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A 170pf @ 4V, 1MHz
FQI5N60CTU Fairchild Semiconductor fqi5n60ctu 0.8600
RFQ
ECAD 35 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 600 v 4.5A (TC) 10V 2.5ohm @ 2.25a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 30V 670 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 100W (TC)
MBR2545CT Fairchild Semiconductor MBR2545CT -
RFQ
ECAD 2553 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR2545 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0080 214 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 25A 820 MV @ 25 a 200 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
BC559CBU Fairchild Semiconductor BC559CBU 1.0000
RFQ
ECAD 7622 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 1,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 150MHz
FDH333 Fairchild Semiconductor FDH333 0.0300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 기준 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-FDH333 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 125 v 1.05 V @ 200 ma 3 na @ 125 v 175 ° C 200ma 6pf @ 0V, 1MHz
MCR100-8RLG Fairchild Semiconductor MCR100-8RLG -
RFQ
ECAD 7605 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) TO-92 (TO-226) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.30.0080 2,000 5 MA 600 v 800 MA 800 MV 10A @ 60Hz 200 µA 1.7 v 10 µA 민감한 민감한
ISL9N303AS3 Fairchild Semiconductor ISL9N303AS3 2.7100
RFQ
ECAD 12 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 30 v 75A (TC) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 75a, 10V 3V @ 250µA 172 NC @ 10 v ± 20V 7000 pf @ 15 v - 215W (TC)
FMB857B Fairchild Semiconductor FMB857B 0.2400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 700 MW SUPERSOT ™ -6 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V -
SFR9014TF Fairchild Semiconductor SFR9014TF 0.1900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 60 v 5.3A (TC) 10V 500mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 30V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 24W (TC)
BC848A Fairchild Semiconductor BC848A 0.0800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 페어차일드 페어차일드 SOT-23 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW SOT-23 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
FQA11N90 Fairchild Semiconductor fqa11n90 -
RFQ
ECAD 9792 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 900 v 11.4A (TC) 10V 960mohm @ 5.7a, 10V 5V @ 250µA 94 NC @ 10 v ± 30V 3500 pf @ 25 v - 300W (TC)
2N3415 Fairchild Semiconductor 2N3415 -
RFQ
ECAD 8717 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,000 25 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 3ma, 50ma 180 @ 2MA, 4.5V -
1N4154TR Fairchild Semiconductor 1N4154tr 0.0200
RFQ
ECAD 160 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 기준 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 35 v 1 V @ 30 ma 4 ns 100 na @ 25 v 175 ° C (°) 100ma 4pf @ 0V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고