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디스크리트 반도체(5251)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 에 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 테스트 조건 얻다 현재의 전압 전압 - 절연 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
FFPF15UP20STTU Fairchild Semiconductor FFPF15UP20STTU 0.4400
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 ECAD 1 0.00000000 비교차일드 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-220-2 풀팩 기준 TO-220F-2L 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 200V 1.15V @ 15A 45ns 200V에서 100μA -65°C ~ 150°C 15A -
HUF75631P3 Fairchild Semiconductor HUF75631P3 1.1100
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 ECAD 16 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 400 N채널 100V 33A(티씨) 10V 40m옴 @ 33A, 10V 4V @ 250μA 79nC @ 20V ±20V 25V에서 1220pF - 120W(Tc)
FSB660 Fairchild Semiconductor FSB660 0.0900
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 ECAD 8 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 500mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0095 3,000 60V 2A 100nA(ICBO) PNP 350mV @ 200mA, 2A 100 @ 500mA, 2V 75MHz
1N753A Fairchild Semiconductor 1N753A 1.9300
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 ECAD 118 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 500mW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.10.0050 156 1.5V @ 200mA 100nA @ 1V 6.2V 7옴
RFD4N06LSM9A Fairchild Semiconductor RFD4N06LSM9A 0.5600
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 ECAD 67 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 4A(TC) 5V 600m옴 @ 1A, 5V 2.5V @ 250μA 8nC @ 10V ±10V - 30W(Tc)
HUFA75639S3ST Fairchild Semiconductor HUFA75639S3ST 1.4800
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 ECAD 33 0.00000000 비교차일드 자동차, AEC-Q101, UltraFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB HUFA75 MOSFET(금속) D²PAK(TO-263AB) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 800 N채널 100V 56A(티씨) 10V 25m옴 @ 56A, 10V 4V @ 250μA 130nC @ 10V ±20V 2000pF @ 25V - 200W(Tc)
NDS8961 Fairchild Semiconductor NDS8961 -
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 ECAD 4953 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) NDS896 MOSFET(금속) 900mW 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0095 551 2 N채널(듀얼) 30V 3.1A 100m옴 @ 3.1A, 10V 3V @ 250μA 10nC @ 10V 190pF @ 15V 게임 레벨 레벨
KSC1730YTA Fairchild Semiconductor KSC1730YTA 0.0600
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 ECAD 264 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 250mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 2,000 - 15V 50mA NPN 120 @ 5mA, 10V 1.1GHz -
BZX85C6V2-T50A Fairchild Semiconductor BZX85C6V2-T50A 0.0400
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 ECAD 15 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 ±6.45% -65°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 DO-204AL, DO-41, 축방향 1W DO-204AL (DO-41) - 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH의 영향을 받아들입니다. 2156-BZX85C6V2-T50A-600039 1 1.2V @ 200mA 3V에서 1μA 6.2V 4옴
FQPF9N30 Fairchild Semiconductor FQPF9N30 0.7500
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 ECAD 2 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220F-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 300V 6A(TC) 10V 450m옴 @ 3A, 10V 5V @ 250μA 22nC @ 10V ±30V 25V에서 740pF - 42W(Tc)
HUF76121S3ST Fairchild Semiconductor HUF76121S3ST 0.4600
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 ECAD 4 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 30V 47A (Tc) 4.5V, 10V 21m옴 @ 47A, 10V 3V @ 250μA 30nC @ 10V ±20V 25V에서 850pF - 75W(Tc)
2N5400RA Fairchild Semiconductor 2N5400RA 0.0400
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 ECAD 17 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 2,000 120V 600mA 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 5mA, 50mA 40 @ 10mA, 5V 400MHz
FSBF3CH60B Fairchild Semiconductor FSBF3CH60B 10.6700
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 ECAD 108 0.00000000 비교차일드 모션-SPM® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 27-PowerDIP 모듈(1.205", 30.60mm) IGBT 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8542.39.0001 10 3상 3A 600V 2500Vrms
1N5990B Fairchild Semiconductor 1N5990B 1.8400
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 ECAD 21 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 500mW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.10.0050 163 1.2V @ 200mA 10μA @ 1V 3.9V 90옴
HUF75545P3 Fairchild Semiconductor HUF75545P3 1.4300
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 ECAD 1 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 EAR99 8542.39.0001 210 N채널 80V 75A(Tc) 10V 10m옴 @ 75A, 10V 4V @ 250μA 235nC @ 20V ±20V 3750pF @ 25V - 270W(Tc)
KSB564ACGBU Fairchild Semiconductor KSB564ACGBU 0.0700
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 ECAD 4 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 800mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 4,798 25V 1A 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 100mA, 1A 200 @ 100mA, 1V 110MHz
FDB7030BLS Fairchild Semiconductor FDB7030BLS 1.8700
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 ECAD 34 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -65°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 30V 60A(타) 4.5V, 10V 9m옴 @ 30A, 10V 3V @ 250μA 24nC @ 5V ±20V 1760pF @ 15V - 60W(Tc)
1N486B-T50A Fairchild Semiconductor 1N486B-T50A 0.0200
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 ECAD 55 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 기준 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 해당 없음 EAR99 8541.10.0070 5,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 250V 1V @ 100mA 225V에서 50nA 175°C(최대) 200mA -
FQU2N90TU Fairchild Semiconductor FQU2N90TU 0.4800
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 ECAD 332 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 5,040 N채널 900V 1.7A(Tc) 10V 7.2옴 @ 850mA, 10V 5V @ 250μA 15nC @ 10V ±30V 25V에서 500pF - 2.5W(Ta), 50W(Tc)
2N4401NLBU Fairchild Semiconductor 2N4401NLBU 0.2900
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 ECAD 25 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 1,000 40V 600mA - NPN 750mV @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 1V 250MHz
FJY4001R Fairchild Semiconductor FJY4001R 0.0200
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 ECAD 15 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-89, SOT-490 FJY400 200mW SOT-523F 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 15,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 20 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
MMSZ5228B Fairchild Semiconductor MMSZ5228B -
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 ECAD 6434 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 ±5% - 표면 실장 SOD-123 MMSZ52 500mW SOD-123 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 10μA @ 1V 3.9V 24옴
MPSA20 Fairchild Semiconductor MPSA20 0.0400
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 ECAD 97 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 625mW TO-92 (TO-226) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 5,000 40V 100mA 100nA(ICBO) NPN 250mV @ 1mA, 10mA 40 @ 5mA, 10V 125MHz
ISL9V3036D3S Fairchild Semiconductor ISL9V3036D3S 1.2300
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 ECAD 3 0.00000000 비교차일드 EcoSPARK® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 논리 150W TO-252, (D-박) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 1,800 300V, 1k옴, 5V - 360V 21A 1.6V @ 4V, 6A - 17nC -/4.8μs
FDP12N50NZ Fairchild Semiconductor FDP12N50NZ -
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 ECAD 9483 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 500V 11.5A(Tc) 10V 520m옴 @ 5.75A, 10V 5V @ 250μA 30nC @ 10V ±25V 25V에서 1235pF - 170W(Tc)
FQPF11N50CF Fairchild Semiconductor FQPF11N50CF 1.5600
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 ECAD 985 0.00000000 비교차일드 FRFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220F-3 다운로드 EAR99 8542.39.0001 193 N채널 500V 11A(티씨) 10V 550m옴 @ 5.5A, 10V 4V @ 250μA 55nC @ 10V ±30V 2055pF @ 25V - 48W(Tc)
KSH45H11TM Fairchild Semiconductor KSH45H11TM 0.3400
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 ECAD 13 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 1.75W TO-252-3(DPAK) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 500 80V 8A 10μA PNP 1V @ 400mA, 8A 60 @ 2A, 1V 40MHz
FDB6021P Fairchild Semiconductor FDB6021P 0.7800
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 ECAD 21 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 800 P채널 20V 28A(타) 1.8V, 4.5V 30m옴 @ 14A, 4.5V 250μA에서 1.5V 28nC @ 4.5V ±8V 10V에서 1890pF - 37W(Tc)
MJE2955TTU Fairchild Semiconductor MJE2955TTU -
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 ECAD 3619 0.00000000 비교차일드 MJE2955T 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 600mW TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 60V 10A 700μA PNP 8V @ 3.3A, 10A 20 @ 4A, 4V 2MHz
MJD31CTF-FS Fairchild Semiconductor MJD31CTF-FS 1.0000
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 ECAD 5695 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MJD31 1.56W TO-252-3(DPAK) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 2,000 100V 3A 50μA NPN 1.2V @ 375mA, 3A 25 @ 1A, 4V 3MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

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