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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
FQAF9N50 Fairchild Semiconductor fqaf9n50 1.0100
RFQ
 ECAD 673 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 360 n 채널 500 v 7.2A (TC) 10V 730mohm @ 3.6a, 10V 5V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 30V 1450 pf @ 25 v - 90W (TC)
MMSZ5228B Fairchild Semiconductor MMSZ5228B -
RFQ
 ECAD 6434 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% - 표면 표면 SOD-123 MMSZ52 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 3.9 v 24 옴
FQA13N50CF Fairchild Semiconductor fqa13n50cf 1.0000
RFQ
 ECAD 8834 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 500 v 15A (TC) 10V 480mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 30V 2055 PF @ 25 v - 218W (TC)
FDS6064N3 Fairchild Semiconductor FDS6064N3 1.6200
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 23A (TA) 1.8V, 4.5V 4mohm @ 23a, 4.5v 1.5V @ 250µA 98 NC @ 4.5 v ± 8V 7191 pf @ 10 v - 3W (TA)
1N4744A-T50A Fairchild Semiconductor 1N4744A-T50A -
RFQ
 ECAD 6004 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-1N4744A-T50A-600039 1 5 µa @ 11.4 v 15 v 14 옴
FDP5800 Fairchild Semiconductor FDP5800 1.0000
RFQ
 ECAD 3857 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 0000.00.0000 1 n 채널 60 v 14A (TA), 80A (TC) 4.5V, 10V 6ohm @ 80a, 10V 2.5V @ 250µA 145 NC @ 10 v ± 20V 9160 pf @ 15 v - 242W (TC)
HUF75639S3_NL Fairchild Semiconductor HUF75639S3_NL 1.1300
RFQ
 ECAD 655 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 56A (TC) 10V 25mohm @ 56a, 10V 4V @ 250µA 130 nc @ 20 v ± 20V 2000 pf @ 25 v - 200W (TC)
MM3Z3V6C Fairchild Semiconductor MM3Z3V6C 0.0300
RFQ
 ECAD 128 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F 200 MW SOD-323F 다운로드 귀 99 8541.10.0050 11,539 1 V @ 10 ma 4.5 µa @ 1 v 3.6 v 84 옴
1N6015B Fairchild Semiconductor 1N6015B 1.8400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 163 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 33 v 43 v 150 옴
BZX85C6V2-T50A Fairchild Semiconductor BZX85C6V2-T50A 0.0400
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 6.45% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-204AL (DO-41) - 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받습니다 2156-BZX85C6V2-T50A-600039 1 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 3 v 6.2 v 4 옴
FQA16N50 Fairchild Semiconductor FQA16N50 4.1900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 500 v 16A (TC) 10V 320mohm @ 8a, 10V 5V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 30V 3000 pf @ 25 v - 200W (TC)
BCW31 Fairchild Semiconductor BCW31 0.0200
RFQ
 ECAD 6326 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 681 32 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 500µa, 10ma 110 @ 2MA, 5V 200MHz
FLZ4V7A Fairchild Semiconductor flz4v7a 1.0000
RFQ
 ECAD 4660 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 190 na @ 1 v 4.6 v 21 옴
RURD660S Fairchild Semiconductor RURD660S 1.0000
RFQ
 ECAD 6699 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 눈사태 TO-252, (D-PAK) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.5 v @ 6 a 60 ns 100 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
HGTP14N44G3VL Fairchild Semiconductor HGTP14N44G3VL 1.0000
RFQ
 ECAD 9388 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 논리 231 W. TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 300V, 7.5A, 1KOHM, 5V - 490 v 27 a 1.9V @ 4.5V, 8A - -/18µs
MM5Z18V-FS Fairchild Semiconductor MM5Z18V-FS 1.0000
RFQ
 ECAD 2653 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 6.39% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 50 na @ 12.6 v 18 v 45 옴
EGF1B Fairchild Semiconductor EGF1B 0.2500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 귀 99 8541.10.0080 1,205 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 1 a 50 ns 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
1N4742ATR Fairchild Semiconductor 1N4742AT 1.0000
RFQ
 ECAD 9155 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1 5 µa @ 9.1 v 12 v 9 옴
BZX84C4V7 Fairchild Semiconductor BZX84C4V7 -
RFQ
 ECAD 5180 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C4 250 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 2 v 4.7 v 80 옴
USB10H Fairchild Semiconductor USB10H 1.0000
RFQ
 ECAD 1200 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 USB10 MOSFET (금속 (() 700MW SUPERSOT ™ -6 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 1.9a 170mohm @ 1.9a, 4.5v 1.5V @ 250µA 4.2NC @ 4.5V 441pf @ 10V 논리 논리 게이트
FAM65V05DF1 Fairchild Semiconductor FAM65V05DF1 41.0100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Auto SPM® 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 27-powerdip ip (0.300 ", 7.62mm) IGBT 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 3 단계 50 a 650 v 2500VRMS
GF1M Fairchild Semiconductor GF1M -
RFQ
 ECAD 2560 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA GF1 기준 SMA (DO-214AC) 다운로드 귀 99 8541.10.0080 1 짐 1000 v 1.2 v @ 1 a 2 µs 5 µa @ 1 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
1N3070 Fairchild Semiconductor 1N3070 6.2400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 기준 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8541.10.0070 49 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 v @ 100 ma 50 ns 100 na @ 175 v 175 ° C (°) 500ma 5pf @ 0V, 1MHz
SS9015-DBU Fairchild Semiconductor SS9015-DBU 0.0200
RFQ
 ECAD 6618 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 450 MW To-92-3 다운로드 귀 99 8541.21.0075 9,900 45 v 100 MA 50NA (ICBO) PNP 700mv @ 5ma, 100ma 400 @ 1ma, 5V 190mhz
S310 Fairchild Semiconductor S310 0.3400
RFQ
 ECAD 378 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky SMC (DO-214AB) 다운로드 귀 99 8541.10.0080 948 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 3 a 500 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SS16 Fairchild Semiconductor SS16 -
RFQ
 ECAD 8293 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SS16 Schottky SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,316 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 1 a 200 µa @ 60 v -65 ° C ~ 125 ° C 1A -
FGAF40N60UFTU Fairchild Semiconductor fgaf40n60uftu 1.8800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8542.39.0001 160
S2B Fairchild Semiconductor S2B -
RFQ
 ECAD 1122 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 SMB (DO-214AA) 다운로드 귀 99 8541.10.0080 1 짐 100 v 1.15 V @ 2 a 1.5 µs 5 µa @ 100 v -50 ° C ~ 150 ° C 2A -
FDLL914B Fairchild Semiconductor FDLL914B 0.0300
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 기준 SOD-80 다운로드 귀 99 8542.39.0001 11,539 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1 v @ 5 ma 4 ns 5 µa @ 75 v 175 ° C (°) 200ma 4pf @ 0V, 1MHz
FGH40T65SHD-F155 Fairchild Semiconductor FGH40T65SHD-F155 1.0000
RFQ
 ECAD 5048 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FGH40 기준 268 w TO-247 긴 7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 400V, 40A, 6ohm, 15V 31.8 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 80 a 120 a 2.1V @ 15V, 40A 1.01mj (on), 297µJ (OFF) 72.2 NC 19.2ns/65.6ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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