| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 에 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 테스트 조건 | 현재의 | 전압 | 전압 - 절연 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 관리요금 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | 다이오드 | 전압 - 역방향(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FFB20U60STM | 0.2700 | ![]() | 4634 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | 기준 | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 600V | 2.2V @ 20A | 90ns | 600V에서 10μA | -65°C ~ 150°C | 20A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD8424H-F085A | - | ![]() | 8930 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-5, DPak(4리드 + 탭), TO-252AD | FDD8424 | MOSFET(금속) | 1.3W | TO-252-4 | 다운로드 | 해당 없음 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N 및 P 채널 | 40V | 9A, 6.5A | 24m옴 @ 9A, 10V | 3V @ 250μA | 20nC @ 10V | 1000pF @ 20V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FSBB30CH60B | 26.0300 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 비교차일드 | 모션-SPM® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | 27-PowerDIP 모듈(1.205", 30.60mm) | IGBT | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 | 3상 | 30A | 600V | 2500Vrms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFP4N05L | 0.5300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-RFP4N05L-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FD6M045N06 | 6.1600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워-SPM™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | EPM15 | FD6M045 | MOSFET(금속) | - | EPM15 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 19 | 2 N채널(듀얼) | 60V | 60A | 4.5m옴 @ 40A, 10V | 4V @ 250μA | 87nC @ 10V | 3890pF @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMF6823 | - | ![]() | 1548년 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-FDMF6823-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA10N80C | - | ![]() | 6988 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET(금속) | TO-3P | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 800V | 10A(TC) | 10V | 1.1옴 @ 5A, 10V | 5V @ 250μA | 58nC @ 10V | ±30V | 25V에서 2800pF | - | 240W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3391A | - | ![]() | 8172 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 25V | 500mA | 100nA(ICBO) | NPN | - | 250 @ 2mA, 4.5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDH832P | 0.3700 | ![]() | 73 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-TSOP(0.130", 3.30mm 너비) | MOSFET(금속) | SuperSOT™-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P채널 | 20V | 4.2A(타) | 2.7V, 4.5V | 60m옴 @ 4.2A, 4.5V | 1V @ 250μA | 30nC @ 4.5V | -8V | 10V에서 1000pF | - | 1.8W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76129D3ST | 0.5200 | ![]() | 42 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252-3(DPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 30V | 20A(TC) | 4.5V, 10V | 16m옴 @ 20A, 10V | 3V @ 250μA | 46nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1425pF | - | 105W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS8962C | 1.0000 | ![]() | 8273 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | FDS89 | MOSFET(금속) | 900mW | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,500 | N 및 P 채널 | 30V | 7A, 5A | 30m옴 @ 7A, 10V | 3V @ 250μA | 26nC @ 10V | 575pF @ 15V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDI9406 | 1.8500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | FDI940 | - | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF19N60 | 2.6500 | ![]() | 681 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-3PF | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | N채널 | 600V | 11.2A(Tc) | 10V | 380m옴 @ 5.6A, 10V | 5V @ 250μA | 90nC @ 10V | ±30V | 3600pF @ 25V | - | 120W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQU10N20LTU | 0.4300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 70 | N채널 | 200V | 7.6A(Tc) | 5V, 10V | 360m옴 @ 3.8A, 10V | 2V @ 250μA | 17nC @ 5V | ±20V | 25V에서 830pF | - | 2.5W(Ta), 51W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCH060N80-F155 | 1.0000 | ![]() | 3001 | 0.00000000 | 비교차일드 | SuperFET® II | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | MOSFET(금속) | TO-247-3 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 800V | 56A(티씨) | 10V | 60m옴 @ 29A, 10V | 4.5V @ 5.8mA | 350nC @ 10V | ±20V | 14685pF @ 100V | - | 500W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSP2222A | - | ![]() | 5922 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | - | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD3672-F085 | - | ![]() | 7875 | 0.00000000 | 비교차일드 | 자동차, AEC-Q101, UltraFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252AA | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-FDD3672-F085-600039 | 1 | N채널 | 100V | 44A(Tc) | 6V, 10V | 47m옴 @ 21A, 6V | 4V @ 250μA | 36nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1635pF | - | 144W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGA20S125P | - | ![]() | 3102 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-3P-3, SC-65-3 | FGA20S125 | 기준 | 250W | TO-3PN | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | - | 트렌치 필드스톱 | 1250V | 40A | 60A | 2.5V @ 15V, 20A | - | 129nC | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCP68 | 0.0500 | ![]() | 125 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | 1.5W | SOT-223-4 | - | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BCP68-600039 | 1 | 20V | 1A | 10μA(ICBO) | NPN | 500mV @ 100mA, 1A | 85 @ 500mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBU6A | 1.1100 | ![]() | 287 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | 4-SIP, KBU | 기준 | KBU | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0080 | 287 | 1V @ 6A | 50V에서 10μA | 6A | 단상 | 50V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDN304P | - | ![]() | 6522 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET(금속) | SOT-23-3 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | P채널 | 20V | 2.4A(타) | 1.8V, 4.5V | 52m옴 @ 2.4A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 20nC @ 4.5V | ±8V | 1312pF @ 10V | - | 500mW(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZTA64 | 0.1500 | ![]() | 76 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | 1W | SOT-223-4 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,994 | 30V | 1.2A | 100nA(ICBO) | PNP-달링턴 | 1.5V @ 100μA, 100mA | 20000 @ 100mA, 5V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9N310AD3 | 0.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 스텁 레코드, IPak | MOSFET(금속) | TO-251(IPAK) | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 30V | 35A(Tc) | 4.5V, 10V | 10옴 @ 35A, 10A | 3V @ 250μA | 48nC @ 10V | ±20V | 15V에서 1800pF | - | 70W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSP8098TA | 0.0200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 60V | 500mA | 100nA | NPN | 300mV @ 10mA, 100mA | 100 @ 1mA, 5V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB86102LZ | 0.8700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 345 | N채널 | 100V | 8.3A(Ta), 30A(Tc) | 4.5V, 10V | 24m옴 @ 8.3A, 10V | 3V @ 250μA | 21nC @ 10V | ±20V | 50V에서 1275pF | - | 3.1W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGP10A | 0.0600 | ![]() | 55 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | DO-204AL, DO-41, 축방향 | 기준 | DO-41 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-RGP10A-600039 | 5,362 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 50V | 1.3V @ 1A | 150ns | 50V에서 5μA | -65°C ~ 175°C | 1A | 15pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3N258 | 0.5200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | 4-SIP, KBPM | 기준 | KBPM | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 1.1V @ 3.14A | 800V에서 5μA | 2A | 단상 | 800V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6517CTA | 1.0000 | ![]() | 3450 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92-3 | - | 0000.00.0000 | 1 | 400V | 500mA | 50nA(ICBO) | NPN | 1V @ 5mA, 50mA | 20 @ 50mA, 10V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJPF6806DTU | - | ![]() | 7696 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | 40W | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 750V | 6A | 1mA | NPN | 5V @ 1A, 4A | 4 @ 4A, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN6719A | - | ![]() | 4174 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 1W | TO-226-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,500 | 300V | 200mA | 100nA(ICBO) | NPN | 750mV @ 3mA, 30mA | 40 @ 30mA, 10V | - |

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