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디스크리트 반도체(5251)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	파워 - 파워	공급업체 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	FET 종류	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	다이오 구성	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	커패시턴스 @ Vr, F	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	- 컬렉터 컷오프(최대)	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환
MM3Z6V8C	0.0300	보상요청	126	비교차일드	-	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 150°C	표면 실장	SC-90, SOD-323F			200mW	SOD-323F	다운로드					EAR99	8541.10.0050	8,663																	1V @ 10mA		4V에서 1.8μA							6.8V	14옴
FQP9N90C	2.1200	보상요청	364	비교차일드	QFET®	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드					EAR99	8542.39.0001	142			N채널	900V	8A(TC)	10V	1.4옴 @ 4A, 10V	5V @ 250μA	58nC @ 10V	±30V	2730pF @ 25V	-	205W(Tc)
FDW2601NZ	0.4000	보상요청	3463	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-TSSOP(0.173", 4.40mm 너비)	FDW26	MOSFET(금속)	1.6W	8-TSSOP	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	26	2 N채널(이중) 시작			30V	8.2A		15m옴 @ 8.2A, 4.5V	250μA에서 1.5V	30nC @ 4.5V		1840pF @ 15V	게임 레벨 레벨
FDS6064N3	1.6200	보상요청	30	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)		MOSFET(금속)		8-SO	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,500			N채널	20V	23A(타)	1.8V, 4.5V	4m옴 @ 23A, 4.5V	250μA에서 1.5V	98nC @ 4.5V	±8V	7191pF @ 10V	-	3W(타)
SFR9014TF	0.1900	보상요청	5	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,000			P채널	60V	5.3A(Tc)	10V	500m옴 @ 2.7A, 10V	4V @ 250μA	11nC @ 10V	±30V	25V에서 350pF	-	2.5W(Ta), 24W(Tc)
FDW2506P	0.6400	보상요청	180	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-TSSOP(0.173", 4.40mm 너비)	FDW25	MOSFET(금속)	600mW	8-TSSOP	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	2,500	2 P채널(듀얼)			20V	5.3A		22m옴 @ 5.3A, 4.5V	250μA에서 1.5V	34nC @ 4.5V		1015pF @ 10V	게임 레벨 레벨
FDP040N06	1.7300	보상요청	800	비교차일드	파워트렌치®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	400			N채널	60V	120A(Tc)	10V	4m옴 @ 75A, 10V	250μA에서 4.5V	133nC @ 10V	±20V	8235pF @ 25V	-	231W(Tc)
FQI2P25TU	0.7500	보상요청	1	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA		MOSFET(금속)		I2PAK(TO-262)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	1,000			P채널	250V	2.3A(Tc)	10V	4옴 @ 1.15A, 10V	5V @ 250μA	8.5nC @ 10V	±30V	25V에서 250pF	-	3.13W(Ta), 52W(Tc)
FQD2N60CTM	-	보상요청	5588	비교차일드	QFET®	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1			N채널	600V	1.9A(Tc)	10V	4.7옴 @ 950mA, 10V	4V @ 250μA	12nC @ 10V	±30V	25V에서 235pF	-	2.5W(Ta), 44W(Tc)
1N4151	0.8100	보상요청	13	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우			스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향		기준		DO-35 (DO-204AH)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.10.0070	369		작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도													75V		1V @ 50mA	4ns	50V에서 50nA	175°C(최대)	150mA	2pF @ 0V, 1MHz
BC32716	0.0500	보상요청	6	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			625mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	2,000																							45V	800mA	100nA			PNP	700mV @ 50mA, 500mA	100 @ 100mA, 1V	100MHz
4N92	0.4200	보상요청	35	비교차일드	*	대부분	활동적인									-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우			0000.00.0000	1
BZX79C30-T50A	0.0200	보상요청	25	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	±5%	-65°C ~ 200°C (TJ)	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향			500mW	DO-35 (DO-204AH)	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-BZX79C30-T50A	EAR99	8541.10.0050	1																	1.5V @ 100mA		50nA @ 21V							30V	80옴
FQD1N50TM	0.5300	보상요청	241	비교차일드	QFET®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,500			N채널	500V	1.1A(Tc)	10V	9옴 @ 550mA, 10V	5V @ 250μA	5.5nC @ 10V	±30V	25V에서 150pF	-	2.5W(Ta), 25W(Tc)
IRFS634BT	0.1800	보상요청	3	비교차일드	*	대부분	활동적인					IRFS634	-			-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우				1,803												-
1N4738A	0.0300	보상요청	19	비교차일드	-	대부분	활동적인	±5%	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	DO-204AL, DO-41, 축방향			1W	DO-41	다운로드					EAR99	8541.10.0050	9,616																	1.2V @ 200mA		6V에서 10μA							8.2V	4.5옴
FYPF1010DNTU	0.6300	보상요청	383	비교차일드	-	대부분	활동적인			스루홀	TO-220-3 풀팩		쇼트키		TO-220F-3	다운로드					EAR99	8541.10.0080	477		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)												1쌍의 세션이 시작됩니다	100V	10A	10A에서 950mV		100V에서 1mA	-40°C ~ 150°C
BD441STU	-	보상요청	9609	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-225AA, TO-126-3			36W	TO-126-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	60																							80V	4A	100μA			NPN	800mV @ 200mA, 2A	40 @ 500mA, 1V	3MHz
BZX79C22	0.0200	보상요청	24	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	±5%	-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향			500mW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.10.0050	1,000																	1.5V @ 100mA		15.4V에서 50nA							22V	55옴
FDD6030L	0.8900	보상요청	637	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	339			N채널	30V	12A(Ta), 50A(Tc)	4.5V, 10V	14.5m옴 @ 12A, 10V	3V @ 250μA	28nC @ 5V	±20V	1230pF @ 15V	-	3.2W(Ta), 56W(Tc)
NDS335N	0.1800	보상요청	95	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET(금속)		SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	3,000			N채널	20V	1.7A(타)	2.7V, 4.5V	110m옴 @ 1.7A, 4.5V	1V @ 250μA	9nC @ 4.5V	8V	10V에서 240pF	-	500mW(타)
2N3906TAR	-	보상요청	2685	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록			625mW	TO-92-3	다운로드					EAR99	8541.21.0075	1																							40V	200mA	-			PNP	400mV @ 5mA, 50mA	100 @ 10mA, 1V	250MHz
ISL9N307AS3ST	-	보상요청	2686	비교차일드	UltraFET®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET(금속)		TO-263AB	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	67			N채널	30V	75A(Tc)	4.5V, 10V	7m옴 @ 75A, 10V	3V @ 250μA	75nC @ 10V	±20V	15V에서 3000pF	-	100W(타)
RFD14N05SM9A_NL	-	보상요청	5637	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	1			N채널	50V	14A(TC)	10V	100m옴 @ 14A, 10V	4V @ 250μA	40nC @ 20V	±20V	25V에서 570pF	-	48W(Tc)
FCP165N65S3R0	2.1000	보상요청	2	비교차일드	SuperFET® III	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-FCP165N65S3R0	EAR99	8541.29.0095	155			N채널	650V	19A(TC)	10V	165m옴 @ 9.5A, 10V	4.5V @ 440mA	39nC @ 10V	±30V	400V에서 1500pF	-	154W(Tc)
1N5817	5.2900	보상요청	3	비교차일드	-	대부분	활동적인			스루홀	DO-204AC, DO-15, 축방향	1N5817	쇼트키		DO15/DO204AC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0080	57		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)													20V		750mV @ 3A		20V에서 1mA	-50°C ~ 150°C	1A	-
2N4400TA	0.0200	보상요청	7295	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록			625mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	10,000																							40V	600mA	-			NPN	750mV @ 50mA, 500mA	50 @ 150mA, 1V	-
GF1M	-	보상요청	2560	비교차일드	-	대부분	활동적인			표면 실장	DO-214AC, SMA	GF1	기준		SMA(DO-214AC)	다운로드					EAR99	8541.10.0080	1		표준 복구 >500ns, > 200mA(Io)													1000V		1.2V @ 1A	2μs	1V에서 5μA	-65°C ~ 175°C	1A	15pF @ 4V, 1MHz
KSC900LTA	0.0200	보상요청	8238	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록			250mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	2,925																							25V	50mA	50nA(ICBO)			NPN	200mV @ 2mA, 20mA	500μA에서 350, 3V	100MHz
BZX85C9V1	0.0300	보상요청	67	비교차일드	-	대부분	활동적인	±5%	-	스루홀	DO-204AL, DO-41, 축방향	BZX85C9		1.3W	DO-41G	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	3,000																	1.2V @ 200mA		6.8V에서 1μA							9.1V	5옴

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(5251)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²