| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDD6N25TF | - | ![]() | 4233 | 0.00000000 | 비교차일드 | UniFET™ | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 6 | N채널 | 250V | 4.4A(Tc) | 10V | 1.1옴 @ 2.2A, 10V | 5V @ 250μA | 6nC @ 10V | ±30V | 25V에서 250pF | - | 50W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75639G3 | 1.0000 | ![]() | 5930 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | MOSFET(금속) | TO-247 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 100V | 56A(티씨) | 10V | 25m옴 @ 56A, 10V | 4V @ 250μA | 130nC @ 20V | ±20V | 2000pF @ 25V | - | 200W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RF1S70N06SM | 2.2500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 비교차일드 | PSPICE® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | TO-263AB | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 60V | 70A(Tc) | 10V | 14m옴 @ 70A, 10V | 4V @ 250μA | 215nC @ 20V | ±20V | 3000pF @ 25V | - | 150W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT3906T | - | ![]() | 2232 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-89, SOT-490 | 250mW | SOT-523F | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-MMBT3906T-600039 | 1 | 40V | 200mA | 50nA | PNP | 400mV @ 5mA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF12N60 | 2.8800 | ![]() | 55 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 600V | 5.8A(Tc) | 10V | 700m옴 @ 2.9A, 10V | 5V @ 250μA | 54nC @ 10V | ±30V | 1900pF @ 25V | - | 55W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP10AN06A0 | 1.3100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N채널 | 60V | 12A(Ta), 75A(Tc) | 6V, 10V | 10.5m옴 @ 75A, 10V | 4V @ 250μA | 37nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1840pF | - | 135W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PN200A-FS | 0.1000 | ![]() | 17 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 45V | 500mA | 50nA | PNP | 400mV @ 20mA, 200mA | 300 @ 10mA, 1V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS9013FBU | 0.0200 | ![]() | 32 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 15,000 | 20V | 500mA | 100nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 50mA, 500mA | 78 @ 50mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z33V | - | ![]() | 6709 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | ±6.06% | -55°C ~ 150°C | 표면 실장 | SC-79, SOD-523 | 200mW | SOD-523F | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 50nA @ 23.2V | 33V | 80옴 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSB834Y | - | ![]() | 8849 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 1.5W | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 200 | 60V | 3A | 100μA(ICBO) | PNP | 1V @ 300mA, 3A | 100 @ 500mA, 5V | 9MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C5V1 | 0.0300 | ![]() | 27 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | ±6% | - | 스루홀 | DO-204AL, DO-41, 축방향 | BZX85C5 | 1.3W | DO-41G | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2V @ 200mA | 1.5V에서 1μA | 5.1V | 10옴 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMD8280 | - | ![]() | 1017 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 12-PowerWDFN | FDMD82 | MOSFET(금속) | 1W | 12-전력3.3x5 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 2 N채널(듀얼) | 80V | 11A | 8.2m옴 @ 11A, 10V | 4V @ 250μA | 44nC @ 10V | 3050pF @ 40V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BDX54C | - | ![]() | 5656 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 60W | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 100V | 8A | 500μA | PNP-달링턴 | 2V @ 12mA, 3A | 750 @ 3A, 3V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDP7061 | 2.3200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 60V | 64A(티씨) | 10V | 16m옴 @ 35A, 10V | 4V @ 250μA | 100nC @ 10V | ±20V | 1930pF @ 25V | - | 130W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT3906K | 0.0200 | ![]() | 865 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40V | 200mA | - | PNP | 400mV @ 5mA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSE13007FSMTU | 1.0000 | ![]() | 2827 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | KSE13007 | TO-220F-3 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | NPN | 3V @ 2A, 8A | 8 @ 2A, 5V | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA16N50 | 4.1900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET(금속) | TO-3P | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | N채널 | 500V | 16A(티씨) | 10V | 320m옴 @ 8A, 10V | 5V @ 250μA | 75nC @ 10V | ±30V | 3000pF @ 25V | - | 200W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB5645 | 3.8100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 60V | 80A(타) | 6V, 10V | 9.5m옴 @ 40A, 10V | 4V @ 250μA | 107nC @ 10V | ±20V | 30V에서 4468pF | - | 125W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FMBA14 | 0.1900 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 | FMBA1 | 700mW | SuperSOT™-6 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,750 | 30V | 1.2A | 100nA(ICBO) | 2 NPN(이중) | 1.5V @ 100μA, 100mA | 20000 @ 100mA, 5V | 1.25MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6898AZ-F085 | 1.0000 | ![]() | 9659 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-FDS6898AZ-F085-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75321S3ST | 0.3400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 55V | 35A(Tc) | 10V | 34m옴 @ 35A, 10V | 4V @ 250μA | 44nC @ 20V | ±20V | 680pF @ 25V | - | 93W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C4V7 | - | ![]() | 5180 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C4 | 250mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900mV @ 10mA | 3μA @ 2V | 4.7V | 80옴 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7002V | - | ![]() | 3042 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-563, SOT-666 | 2N7002 | MOSFET(금속) | 250mW | SOT-563F | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 2 N채널(듀얼) | 60V | 280mA | 7.5옴 @ 50mA, 5V | 2.5V @ 250μA | - | 50pF @ 25V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA940 | 1.0000 | ![]() | 4371 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 1.5W | TO-220-3 | - | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 200 | 150V | 1.5A | 10μA(ICBO) | PNP | 1.5V @ 50mA, 500mA | 40 @ 500mA, 10V | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FYPF1010DNTU | 0.6300 | ![]() | 383 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | 쇼트키 | TO-220F-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0080 | 477 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1쌍씩 시작됩니다 | 100V | 10A | 10A에서 950mV | 100V에서 1mA | -40°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD441STU | - | ![]() | 9609 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-225AA, TO-126-3 | 36W | TO-126-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 60 | 80V | 4A | 100μA | NPN | 800mV @ 200mA, 2A | 40 @ 500mA, 1V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9N307AS3ST | - | ![]() | 2686 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | TO-263AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 67 | N채널 | 30V | 75A(Tc) | 4.5V, 10V | 7m옴 @ 75A, 10V | 3V @ 250μA | 75nC @ 10V | ±20V | 15V에서 3000pF | - | 100W(타) | ||||||||||||||||||||||
![]() | NDS335N | 0.1800 | ![]() | 95 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET(금속) | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 20V | 1.7A(타) | 2.7V, 4.5V | 110m옴 @ 1.7A, 4.5V | 1V @ 250μA | 9nC @ 4.5V | 8V | 10V에서 240pF | - | 500mW(타) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3906TAR | - | ![]() | 2685 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 40V | 200mA | - | PNP | 400mV @ 5mA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZTA56 | - | ![]() | 7268 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | 1W | SOT-223-4 | - | 2156-PZTA56 | 1 | 80V | 500mA | 100nA | PNP | 250mV @ 10mA, 100mA | 100 @ 100mA, 1V | 50MHz |

일일 평균 견적 요청량

표준제품단위

전세계 제조업체

재고 창고