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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
FDD6N25TF Fairchild Semiconductor FDD6N25TF -
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ECAD 4233 0.00000000 비교차일드 UniFET™ 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 6 N채널 250V 4.4A(Tc) 10V 1.1옴 @ 2.2A, 10V 5V @ 250μA 6nC @ 10V ±30V 25V에서 250pF - 50W(Tc)
HUF75639G3 Fairchild Semiconductor HUF75639G3 1.0000
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ECAD 5930 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 100V 56A(티씨) 10V 25m옴 @ 56A, 10V 4V @ 250μA 130nC @ 20V ±20V 2000pF @ 25V - 200W(Tc)
RF1S70N06SM Fairchild Semiconductor RF1S70N06SM 2.2500
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ECAD 6 0.00000000 비교차일드 PSPICE® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) TO-263AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 N채널 60V 70A(Tc) 10V 14m옴 @ 70A, 10V 4V @ 250μA 215nC @ 20V ±20V 3000pF @ 25V - 150W(Tc)
MMBT3906T Fairchild Semiconductor MMBT3906T -
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ECAD 2232 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SC-89, SOT-490 250mW SOT-523F - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-MMBT3906T-600039 1 40V 200mA 50nA PNP 400mV @ 5mA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 250MHz
FQPF12N60 Fairchild Semiconductor FQPF12N60 2.8800
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ECAD 55 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220F-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 600V 5.8A(Tc) 10V 700m옴 @ 2.9A, 10V 5V @ 250μA 54nC @ 10V ±30V 1900pF @ 25V - 55W(Tc)
FDP10AN06A0 Fairchild Semiconductor FDP10AN06A0 1.3100
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ECAD 5 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 400 N채널 60V 12A(Ta), 75A(Tc) 6V, 10V 10.5m옴 @ 75A, 10V 4V @ 250μA 37nC @ 10V ±20V 25V에서 1840pF - 135W(Tc)
PN200A-FS Fairchild Semiconductor PN200A-FS 0.1000
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ECAD 17 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 45V 500mA 50nA PNP 400mV @ 20mA, 200mA 300 @ 10mA, 1V 250MHz
SS9013FBU Fairchild Semiconductor SS9013FBU 0.0200
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ECAD 32 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0095 15,000 20V 500mA 100nA(ICBO) NPN 600mV @ 50mA, 500mA 78 @ 50mA, 1V -
MM5Z33V Fairchild Semiconductor MM5Z33V -
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ECAD 6709 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 ±6.06% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SC-79, SOD-523 200mW SOD-523F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 8,000 50nA @ 23.2V 33V 80옴
KSB834Y Fairchild Semiconductor KSB834Y -
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ECAD 8849 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 1.5W TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 200 60V 3A 100μA(ICBO) PNP 1V @ 300mA, 3A 100 @ 500mA, 5V 9MHz
BZX85C5V1 Fairchild Semiconductor BZX85C5V1 0.0300
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ECAD 27 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 ±6% - 스루홀 DO-204AL, DO-41, 축방향 BZX85C5 1.3W DO-41G 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 1 1.2V @ 200mA 1.5V에서 1μA 5.1V 10옴
FDMD8280 Fairchild Semiconductor FDMD8280 -
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ECAD 1017 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 12-PowerWDFN FDMD82 MOSFET(금속) 1W 12-전력3.3x5 다운로드 0000.00.0000 1 2 N채널(듀얼) 80V 11A 8.2m옴 @ 11A, 10V 4V @ 250μA 44nC @ 10V 3050pF @ 40V -
BDX54C Fairchild Semiconductor BDX54C -
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ECAD 5656 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 60W TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 100V 8A 500μA PNP-달링턴 2V @ 12mA, 3A 750 @ 3A, 3V -
NDP7061 Fairchild Semiconductor NDP7061 2.3200
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ECAD 5 0.00000000 비교차일드 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 64A(티씨) 10V 16m옴 @ 35A, 10V 4V @ 250μA 100nC @ 10V ±20V 1930pF @ 25V - 130W(Tc)
MMBT3906K Fairchild Semiconductor MMBT3906K 0.0200
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ECAD 865 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 200mA - PNP 400mV @ 5mA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 250MHz
KSE13007FSMTU Fairchild Semiconductor KSE13007FSMTU 1.0000
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ECAD 2827 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 KSE13007 TO-220F-3 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 - NPN 3V @ 2A, 8A 8 @ 2A, 5V 4MHz
FQA16N50 Fairchild Semiconductor FQA16N50 4.1900
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ECAD 1 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET(금속) TO-3P 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 450 N채널 500V 16A(티씨) 10V 320m옴 @ 8A, 10V 5V @ 250μA 75nC @ 10V ±30V 3000pF @ 25V - 200W(Tc)
FDB5645 Fairchild Semiconductor FDB5645 3.8100
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ECAD 8 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 800 N채널 60V 80A(타) 6V, 10V 9.5m옴 @ 40A, 10V 4V @ 250μA 107nC @ 10V ±20V 30V에서 4468pF - 125W(Tc)
FMBA14 Fairchild Semiconductor FMBA14 0.1900
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ECAD 12 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 FMBA1 700mW SuperSOT™-6 다운로드 EAR99 8541.21.0095 1,750 30V 1.2A 100nA(ICBO) 2 NPN(이중) 1.5V @ 100μA, 100mA 20000 @ 100mA, 5V 1.25MHz
FDS6898AZ-F085 Fairchild Semiconductor FDS6898AZ-F085 1.0000
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ECAD 9659 0.00000000 비교차일드 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-FDS6898AZ-F085-600039 1
HUF75321S3ST Fairchild Semiconductor HUF75321S3ST 0.3400
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ECAD 1 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 N채널 55V 35A(Tc) 10V 34m옴 @ 35A, 10V 4V @ 250μA 44nC @ 20V ±20V 680pF @ 25V - 93W(Tc)
BZX84C4V7 Fairchild Semiconductor BZX84C4V7 -
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ECAD 5180 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C4 250mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 3μA @ 2V 4.7V 80옴
2N7002V Fairchild Semiconductor 2N7002V -
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ECAD 3042 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 2N7002 MOSFET(금속) 250mW SOT-563F 다운로드 0000.00.0000 1 2 N채널(듀얼) 60V 280mA 7.5옴 @ 50mA, 5V 2.5V @ 250μA - 50pF @ 25V 게임 레벨 레벨
KSA940 Fairchild Semiconductor KSA940 1.0000
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ECAD 4371 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 1.5W TO-220-3 - ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 200 150V 1.5A 10μA(ICBO) PNP 1.5V @ 50mA, 500mA 40 @ 500mA, 10V 4MHz
FYPF1010DNTU Fairchild Semiconductor FYPF1010DNTU 0.6300
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ECAD 383 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 스루홀 TO-220-3 풀팩 쇼트키 TO-220F-3 다운로드 EAR99 8541.10.0080 477 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍씩 시작됩니다 100V 10A 10A에서 950mV 100V에서 1mA -40°C ~ 150°C
BD441STU Fairchild Semiconductor BD441STU -
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ECAD 9609 0.00000000 비교차일드 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-225AA, TO-126-3 36W TO-126-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 60 80V 4A 100μA NPN 800mV @ 200mA, 2A 40 @ 500mA, 1V 3MHz
ISL9N307AS3ST Fairchild Semiconductor ISL9N307AS3ST -
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ECAD 2686 0.00000000 비교차일드 UltraFET® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) TO-263AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 67 N채널 30V 75A(Tc) 4.5V, 10V 7m옴 @ 75A, 10V 3V @ 250μA 75nC @ 10V ±20V 15V에서 3000pF - 100W(타)
NDS335N Fairchild Semiconductor NDS335N 0.1800
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ECAD 95 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 20V 1.7A(타) 2.7V, 4.5V 110m옴 @ 1.7A, 4.5V 1V @ 250μA 9nC @ 4.5V 8V 10V에서 240pF - 500mW(타)
2N3906TAR Fairchild Semiconductor 2N3906TAR -
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ECAD 2685 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 625mW TO-92-3 다운로드 EAR99 8541.21.0075 1 40V 200mA - PNP 400mV @ 5mA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 250MHz
PZTA56 Fairchild Semiconductor PZTA56 -
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ECAD 7268 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA 1W SOT-223-4 - 2156-PZTA56 1 80V 500mA 100nA PNP 250mV @ 10mA, 100mA 100 @ 100mA, 1V 50MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고