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불연속 불연속 제품 (5251)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	현재	전압	전압 - 분리	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압- v (V (BR) GSS)	전류- id (idss) @ vds (vgs = 0)	전압- v (vgs off) @ id	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	저항 -rds (on)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
MM3Z4V3B	0.0300	RFQ	179	페어차일드 페어차일드	-	벌크	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-90, SOD-323F				200 MW	SOD-323F	다운로드					귀 99	8541.10.0050	11,539																				1 V @ 10 ma		2.7 µa @ 1 v												4.3 v	84 옴
1N5246Btr	0.0300	RFQ	60	페어차일드 페어차일드	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향				500MW	DO-35	다운로드					귀 99	8541.10.0050	11,539																				1.2 v @ 200 ma		100 na @ 12 v												16 v	17 옴
J175	0.1200	RFQ	2089	페어차일드 페어차일드	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				350 MW	To-92-3	다운로드	Rohs3 준수			2156-J175-FS	귀 99	8541.21.0095	2,000			p 채널											5.5pf @ 10V (VGS)																30 v	7 ma @ 15 v	3 V @ 10 NA				125 옴
fjy3005r	0.0200	RFQ	18	페어차일드 페어차일드	-	대부분	쓸모없는			표면 표면	SC-89, SOT-490		fjy300		200 MW	SOT-523F	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8541.21.0075	3,000																										50 v	100 MA						100NA (ICBO)				npn-사전-	300mv @ 500µa, 10ma	30 @ 5MA, 5V	250MHz	4.7 Kohms	10 KOHMS
FQPF19N10L	0.5700	RFQ	1	페어차일드 페어차일드	QFET®	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩			MOSFET (금속 (()		TO-220F-3	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널				100 v	13.6A (TC)	5V, 10V	100mohm @ 6.8a, 10V	2V @ 250µA	18 nc @ 5 v	± 20V	870 pf @ 25 v	-	38W (TC)
FSB50550TB2	10.8400	RFQ	390	페어차일드 페어차일드	SPM®	벌크	활성			구멍을 구멍을	23-DIP 모듈	FET	FSB505				-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	3 단계			1.8 a	500 v	1500VRMS
FSBB15CH60C	1.0000	RFQ	8353	페어차일드 페어차일드	spm® 3	벌크	활동적인			구멍을 구멍을	27-powerdip ip (1.205 ", 30.60mm)	IGBT					다운로드					귀 99	8542.39.0001	1	3 단계			15 a	600 v	2500VRMS
FDB5645	3.8100	RFQ	8	페어차일드 페어차일드	Powertrench®	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET (금속 (()		D2PAK (TO-263)	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8541.29.0095	800			n 채널				60 v	80A (TA)	6V, 10V	9.5mohm @ 40a, 10V	4V @ 250µA	107 NC @ 10 v	± 20V	4468 pf @ 30 v	-	125W (TC)
FDP12N50	0.9800	RFQ	6662	페어차일드 페어차일드	unifet ™	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			MOSFET (금속 (()		TO-220-3	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1			n 채널				500 v	11.5A (TC)	10V	650mohm @ 6a, 10V	5V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 30V	1315 pf @ 25 v	-	165W (TC)
FSAM30SM60A	62.5600	RFQ	398	페어차일드 페어차일드	spm® 2	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	32-powerdip ower (1.370 ", 34.80mm)	IGBT	FSAM30				다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1	3 단계			30 a	600 v	2500VRMS
KSB564AOBU	-	RFQ	6910	페어차일드 페어차일드	-	대부분	쓸모없는		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				800MW	To-92-3	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8541.21.0075	8,000																										25 v	1 a						100NA (ICBO)				PNP	500mv @ 100ma, 1a	70 @ 100MA, 1V	110MHz
KSE45H8TU	0.2500	RFQ	22	페어차일드 페어차일드	-	벌크	활동적인		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		KSE45		1.67 w	TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	0000.00.0000	1																										60 v	10 a						10µA				PNP	1V @ 400MA, 8A	60 @ 2a, 1v	40MHz
1N4747A_NL	0.0400	RFQ	5486	페어차일드 페어차일드	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향				1 W.	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,940																						5 µa @ 15.2 v												20 v	22 옴
HUFA76429D3ST_QF085	-	RFQ	5621	페어차일드 페어차일드	*	대부분	활동적인						HUFA76429	-			-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	300															-
FDS8949-F085	-	RFQ	8513	페어차일드 페어차일드	Automotive, AEC-Q101, Powertrench®	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		FDS89	MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1	2 n 채널 (채널)						40V	6A		29mohm @ 6a, 10V	3V @ 250µA	11nc @ 5v		955pf @ 20V	논리 논리 게이트
J176	0.1000	RFQ	8001	페어차일드 페어차일드	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				350 MW	To-92-3	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8541.21.0095	2,000			p 채널											-																30 v	2 ma @ 15 v	1 V @ 10 NA				250 옴
ffb10up20stm	0.8600	RFQ	1	페어차일드 페어차일드	-	벌크	활성			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			기준		D2PAK (TO-263)	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																200 v		1.15 V @ 10 a	45 ns	100 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	-
FQPF3N25	0.4300	RFQ	204	페어차일드 페어차일드	QFET®	대부분	활성		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩			MOSFET (금속 (()		TO-220F-3	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1			n 채널				250 v	2.3A (TC)	10V	2.2ohm @ 1.15a, 10V	5V @ 250µA	5.2 NC @ 10 v	± 30V	170 pf @ 25 v	-	27W (TC)
RHRG1560CC-F085	-	RFQ	2886	페어차일드 페어차일드	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-247-3			표준		TO-247-3	다운로드					귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)															1 음극 음극 공통	600 v	15a	2.3 V @ 15 a	55 ns	100 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C
BC639	-	RFQ	3093	페어차일드 페어차일드	-	벌크	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드				625 MW	TO-92 (TO-226)	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8541.21.0075	2,000																										80 v	1 a						100NA (ICBO)				NPN	500mv @ 50ma, 500ma	40 @ 150ma, 2v	200MHz
PN2222ABU	-	RFQ	4933	페어차일드 페어차일드	-	대부분	활성		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				625 MW	To-92-3	다운로드					귀 99	8541.21.0075	1																										40 v	1 a						10NA (ICBO)				NPN	1V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	300MHz
fqi50n06tu	0.7300	RFQ	1	페어차일드 페어차일드	QFET®	대부분	활성		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA			MOSFET (금속 (()		I2PAK (TO-262)	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1			n 채널				60 v	50A (TC)	10V	25A, 25A, 10V	4V @ 250µA	41 NC @ 10 v	± 25V	1540 pf @ 25 v	-	3.75W (TA), 120W (TC)
1N754A_NL	0.0200	RFQ	7505	페어차일드 페어차일드	-	벌크	활성	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향				500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000																				1.5 v @ 200 ma		100 na @ 1 v												6.8 v	5 옴
gbu6g	0.7000	RFQ	532	페어차일드 페어차일드	-	대부분	활성		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에시, GBU			표준		GBU	다운로드					귀 99	8541.10.0080	1																				1 V @ 6 a		5 µa @ 400 v		4.2 a				단일 단일	400 v
FDSS2407S_B82086	0.7000	RFQ	783	페어차일드 페어차일드	Powertrench®	벌크	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		FDSS24	MOSFET (금속 (()	2.27W (TA)	8-SOIC	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	2 n 채널 (채널)						62V	3.3A (TA)		110mohm @ 3.3a, 10V	3V @ 250µA	4.3NC @ 5V		300pf @ 15V	논리 논리 게이트
FGD3245G2	1.0000	RFQ	4146	페어차일드 페어차일드	*	벌크	활동적인										-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	2,500
KSE2955T	-	RFQ	5328	페어차일드 페어차일드	-	대부분	쓸모없는		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3				600MW	TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8541.21.0095	895																										60 v	10 a						700µA				PNP	8V @ 3.3A, 10A	20 @ 4a, 4v	2MHz
SFR9210TF	-	RFQ	7818	페어차일드 페어차일드	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			MOSFET (금속 (()		TO-252-3 (DPAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,000			p 채널				200 v	1.6A (TC)	10V	3ohm @ 800ma, 10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 v	± 30V	285 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 19W (TC)
SSR1N60BTM	0.1800	RFQ	33	페어차일드 페어차일드	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			MOSFET (금속 (()		TO-252, (D-PAK)	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널				600 v	900ma (TC)	10V	12ohm @ 450ma, 10V	4V @ 250µA	7.7 NC @ 10 v	± 30V	215 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 28W (TC)
SS9013GTA	0.0200	RFQ	20	페어차일드 페어차일드	-	대부분	쓸모없는		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드				625 MW	To-92-3	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8541.21.0095	15,000																										20 v	500 MA						100NA (ICBO)				NPN	600mv @ 50ma, 500ma	112 @ 50MA, 1V	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5251)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²