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디스크리트 반도체(5251)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	작동 온도	장착	세트/케이스	에	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	FET 종류	테스트 조건	현재의	전압	전압 - 절연	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	커패시턴스 @ Vr, F	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	카드가 사라졌습니다	Td(켜기/끄기) @ 25°C	다이오드	전압 - 역방향(최대)	- 컬렉터 컷오프(최대)	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환
HUFA76407D3S	0.2300	보상요청	8	비교차일드	UltraFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63				MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	75			N채널					60V	12A(TC)	4.5V, 10V	92m옴 @ 13A, 10V	3V @ 250μA	11.3nC @ 10V	±16V	25V에서 350pF	-	38W(Tc)
BC309CBU	0.0200	보상요청	80	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)					500mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	1,000																										25V	100mA								15nA			PNP	500mV @ 5mA, 100mA	380 @ 2mA, 5V	130MHz
FDS8947A	1.9100	보상요청	1	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)		FDS89		MOSFET(금속)	900mW	8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	2,500	2 P채널(듀얼)							30V	4A		52m옴 @ 4A, 10V	3V @ 250μA	27nC @ 10V		730pF @ 15V	게임 레벨 레벨
RFD14N05SM	-	보상요청	3408	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63				MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	75			N채널					50V	14A(TC)	10V	100m옴 @ 14A, 10V	4V @ 250μA	40nC @ 20V	±20V	25V에서 570pF	-	48W(Tc)
RB521S30T5G	-	보상요청	3609	비교차일드	-	대부분	활동적인			표면 실장	SC-79, SOD-523				쇼트키		SOD-523	다운로드					EAR99	8541.10.0070	1		작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도																30V	500mV @ 200mA		10V에서 30μA	-55°C ~ 125°C	200mA	-
SFP9614	0.3000	보상요청	2635	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3				MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	726			P채널					250V	1.6A(Tc)	10V	4옴 @ 800mA, 10V	4V @ 250μA		±30V	295pF @ 25V	-	20W(Tc)
MMBT3640	-	보상요청	6693	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3					225mW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1																										12V	200mA								10nA			PNP	600mV @ 5mA, 50mA	30 @ 10mA, 300mV	500MHz
DFB2010	1.3600	보상요청	1	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	4-SIP, TS-6P				기준		TS-6P	다운로드					EAR99	8541.10.0080	240																			1.1V @ 20A		50V에서 10μA		20A										단상	100V
GBPC25005	1.0000	보상요청	3803	비교차일드	-	대부분	활동적인		-65°C ~ 150°C (TJ)	QC 터미널	4 평방, GBPC				기준		GBPC	다운로드					EAR99	8541.10.0080	1																			1.1V @ 12.5A		50V에서 5μA		25A										단상	50V
NDTL01N60ZT1G	0.1700	보상요청	6	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA				MOSFET(금속)		SOT-223 (TO-261)	다운로드	해당 없음				EAR99	8541.29.0095	1,000			N채널					600V	250mA(Tc)		15옴 @ 400mA, 10V	50μA에서 4.5V	4.9nC @ 10V	±30V	25V에서 92pF	-	2W(Tc)
KSB1116SYTA	0.0500	보상요청	12	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록					750mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	2,000																										50V	1A								100nA(ICBO)			PNP	300mV @ 50mA, 1A	135 @ 100mA, 2V	120MHz
FSB50550TB2	10.8400	보상요청	390	비교차일드	SPM®	대부분	활동적인			스루홀	23-DIP 모듈	FET	FSB505					-	해당 없음	3(168시간)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	1	3상				1.8A	500V	1500Vrms
FNB50560T1	7.3700	보상요청	2	비교차일드	모션 SPM® 55	대부분	활동적인			스루홀	20-PowerDIP 모듈(1.220", 31.00mm)	IGBT	FNB50					다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8542.39.0001	41	3상 인버터				5A	600V	1500Vrms
FDG6313N	-	보상요청	1845년	비교차일드	*	대부분	활동적인											다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-FDG6313N-600039			1
SCH1331-TL-W	0.1200	보상요청	10	비교차일드	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	SOT-563, SOT-666				MOSFET(금속)		SOT-563/SCH6	다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-SCH1331-TL-W-600039			1			P채널					12V	3A(타)	1.5V, 4.5V	84m옴 @ 1.5A, 4.5V	1.3V @ 1mA	5.6nC @ 4.5V	±10V	6V에서 405pF	-	1W(타)
HUF76129S3S	0.5900	보상요청	1	비교차일드	UltraFET®	대부분	활동적인		-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	1			N채널					30V	56A(티씨)	4.5V, 10V	16옴 @ 56A, 10V	3V @ 250μA	45nC @ 10V	±20V	1350pF @ 25V	-	105W(Tc)
FQD20N06TF	0.4000	보상요청	5421	비교차일드	QFET®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63				MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	525			N채널					60V	16.8A(Tc)	10V	63m옴 @ 8.4A, 10V	4V @ 250μA	15nC @ 10V	±25V	25V에서 590pF	-	2.5W(Ta), 38W(Tc)
TN2907A	0.2700	보상요청	10	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)					625mW	TO-226-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	1,500																										60V	800mA								10nA(ICBO)			PNP	1.6V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
HUF75345S3ST_NL	1.0000	보상요청	4487	비교차일드	UltraFET®	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	1			N채널					55V	75A(Tc)	10V	7m옴 @ 75A, 10V	4V @ 250μA	275nC @ 20V	±20V	25V에서 4000pF	-	325W(Tc)
SI3445DV	0.1200	보상요청	30	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6				MOSFET(금속)		SuperSOT™-6	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.21.0095	1			P채널					20V	5.5A(타)	1.8V, 4.5V	33m옴 @ 5.5A, 4.5V	250μA에서 1.5V	30nC @ 4.5V	±8V	10V에서 1926pF	-	800mW(타)
FSB50550T	10.5600	보상요청	410	비교차일드	모션 SPM® 5	대부분	활동적인			스루홀	23-PowerDIP 모듈(0.748", 19.00mm)	MOSFET	FSB505					다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8542.39.0001	29	3상				1.8A	500V	1500Vrms
HGTD7N60C3S9A	1.2200	보상요청	249	비교차일드	-	대부분	활동적인		-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			기준		60W	TO-252, (D-박)	다운로드					EAR99	8541.29.0095	249				-																					-	600V	14A	56A	2V @ 15V, 7A	165μJ(켜짐), 600μJ(꺼짐)	23nC	-
RS1DFA	0.0700	보상요청	9184	비교차일드	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			표면 실장	SOD-123W		RS1D		기준		SOD-123FA	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0080	658		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																200V	1.3V @ 800mA	150ns	200V에서 5μA	-55°C ~ 150°C	800mA	10pF @ 4V, 1MHz
BC550ABU	0.0200	보상요청	27	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)					500mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	1,000																										45V	100mA								15nA(ICBO)			NPN	600mV @ 5mA, 100mA	110 @ 2mA, 5V	300MHz
KSD560YTU	-	보상요청	5589	비교차일드	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		KSD560			1.5W	TO-220-3	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1																										100V	5A								1μA(ICBO)			NPN-달링턴	1.5V @ 3mA, 3A	5000 @ 3A, 2V	-
FDP120AN15A0	0.9000	보상요청	9	비교차일드	파워트렌치®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3				MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	400			N채널					150V	2.8A(Ta), 14A(Tc)	6V, 10V	120m옴 @ 4A, 10V	4V @ 250μA	14.5nC @ 10V	±20V	25V에서 770pF	-	65W(Tc)
FDP2614	-	보상요청	2460	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3				MOSFET(금속)		TO-220-3	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-FDP2614	EAR99	8541.29.0095	1			N채널					200V	62A(Tc)	10V	27m옴 @ 31A, 10V	5V @ 250μA	99nC @ 10V	±30V	25V에서 7230pF	-	260W(Tc)
FFPF06UP20STU	0.6100	보상요청	14	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우			스루홀	TO-220-2 풀팩				기준		TO-220F-2L	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.10.0080	1,000		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																200V	1.15V @ 6A	31ns	200V에서 100μA	-65°C ~ 150°C	6A	-
SFR9210TF	-	보상요청	7818	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63				MOSFET(금속)		TO-252-3(DPAK)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	2,000			P채널					200V	1.6A(Tc)	10V	3옴 @ 800mA, 10V	4V @ 250μA	11nC @ 10V	±30V	25V에서 285pF	-	2.5W(Ta), 19W(Tc)
1N5988B	2.7500	보상요청	1	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	±5%	-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향					500mW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.10.0050	110																			1.2V @ 200mA		25μA @ 1V															3.3V	95옴

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(5251)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²