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디스크리트 반도체(5251)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	ECCN	HTSUS	세트 세트	FET 종류	테스트 조건	얻다	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	카드가 사라졌습니다	Td(켜기/끄기) @ 25°C	- 컬렉터 컷오프(최대)	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	모델 지수(dB 일반 @ f)
FDC855N	0.2400	보상요청	10	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6			MOSFET(금속)		SuperSOT™-6	다운로드				EAR99	8542.39.0001	1,265	N채널			30V	6.1A(타)	4.5V, 10V	27m옴 @ 6.1A, 10V	3V @ 250μA	13nC @ 10V	±20V	15V에서 655pF	-	1.6W(타)
FCP11N65	1.4900	보상요청	3	비교차일드	*	대부분	활동적인					FCP11		-			-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우	EAR99	8542.39.0001	1												-
FDB5680	1.7400	보상요청	7	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인		-65°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		TO-263AB	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.	EAR99	8541.29.0095	800	N채널			60V	40A(Tc)	6V, 10V	20m옴 @ 20A, 10V	4V @ 250μA	46nC @ 10V	±20V	25V에서 1850pF	-	65W(Tc)
FQU2N60CTU	-	보상요청	5779	비교차일드	QFET®	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA			MOSFET(금속)		아이팩	다운로드				EAR99	8542.39.0001	1	N채널			600V	1.9A(Tc)	10V	4.7옴 @ 950mA, 10V	4V @ 250μA	12nC @ 10V	±30V	25V에서 235pF	-	2.5W(Ta), 44W(Tc)
FDD8750	0.3700	보상요청	8	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	2,500	N채널			25V	6.5A(Ta), 2.7A(Tc)	4.5V, 10V	40m옴 @ 2.7A, 10V	2.5V @ 250μA	9nC @ 10V	±20V	13V에서 425pF	-	3.7W(Ta), 18W(Tc)
HUFA75333G3	0.9800	보상요청	1	비교차일드	UltraFET®	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-247-3			MOSFET(금속)		TO-247	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0095	1	N채널			55V	66A(티씨)	10V	16m옴 @ 66A, 10V	4V @ 250μA	85nC @ 20V	±20V	25V에서 1300pF	-	150W(Tc)
FDMS86320	0.7200	보상요청	4089	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN			MOSFET(금속)		8-PQFN(5x6)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0095	69	N채널			80V	10.5A(Ta), 22A(Tc)	8V, 10V	11.7m옴 @ 10.5A, 10V	250μA에서 4.5V	41nC @ 10V	±20V	40V에서 2640pF	-	2.5W(Ta), 69W(Tc)
ISL9N2357D3ST	1.0200	보상요청	87	비교차일드	UltraFET®	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252-3(DPAK)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.	EAR99	8541.29.0095	2,500	N채널			30V	35A(Tc)	10V	7m옴 @ 35A, 10V	4V @ 250μA	258nC @ 20V	±20V	5600pF @ 25V	-	100W(Tc)
KSE13007FH2SMTU	-	보상요청	2775	비교차일드	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	KSE13007				TO-220F-3	다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우	EAR99	8541.29.0095	1																									-			NPN	3V @ 2A, 8A	8 @ 2A, 5V	4MHz
BD13610S	0.2300	보상요청	8	비교차일드	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-225AA, TO-126-3				1.25W	TO-126-3	다운로드				EAR99	8541.29.0095	1,421																		45V	1.5A						100nA(ICBO)			PNP	500mV @ 50mA, 500mA	63 @ 150mA, 2V	-
FDU6N50TU	0.4100	보상요청	9	비교차일드	UniFET™	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA			MOSFET(금속)		아이팩	다운로드				EAR99	8542.39.0001	1	N채널			500V	6A(TC)	10V	900m옴 @ 3A, 10V	5V @ 250μA	16.6nC @ 10V	±30V	25V에서 940pF	-	89W(Tc)
SFS9Z34	0.3700	보상요청	2	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩			MOSFET(금속)		TO-220F	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.	EAR99	8541.29.0095	1	P채널			60V	12A(TC)	10V	140m옴 @ 6A, 10V	4V @ 250μA	38nC @ 10V	±30V	25V에서 1155pF	-	36W(Tc)
HUFA76407D3ST	0.4600	보상요청	41	비교차일드	UltraFET™	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	2,500	N채널			60V	12A(TC)	4.5V, 10V	92m옴 @ 13A, 10V	3V @ 250μA	11.3nC @ 10V	±16V	25V에서 350pF	-	38W(Tc)
MPSA06	0.0800	보상요청	26	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	MPSA06			625mW	TO-92	다운로드				EAR99	8541.21.0075	3,842																		80V	500mA						100nA(ICBO)			NPN	250mV @ 10mA, 100mA	100 @ 100mA, 1V	100MHz
HUF76121S3S	0.7000	보상요청	1	비교차일드	UltraFET™	대부분	활동적인		-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우	EAR99	8541.29.0095	1	N채널			30V	47A (Tc)	4.5V, 10V	21m옴 @ 47A, 10V	3V @ 250μA	30nC @ 10V	±20V	25V에서 850pF	-	75W(Tc)
FDFS2P103A	0.4300	보상요청	11	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)			MOSFET(금속)		8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.21.0095	2,500	P채널			30V	5.3A(타)	4.5V, 10V	59m옴 @ 5.3A, 10V	3V @ 250μA	8nC @ 5V	±25V	535pF @ 15V	쇼트키 다이오드(절연)	900mW(타)
1N5992B	1.8400	보상요청	29	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	±5%	-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향				500mW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.10.0050	163														1.2V @ 200mA		1.5V에서 3μA										4.7V	70옴
HUF75542S3S	1.5900	보상요청	400	비교차일드	UltraFET™	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0095	1	N채널			80V	75A(Tc)	10V	14m옴 @ 75A, 10V	4V @ 250μA	180nC @ 20V	±20V	2750pF @ 25V	-	230W(Tc)
FDB8453LZ	0.6700	보상요청	1	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	800	N채널			40V	16.1A(Ta), 50A(Tc)	4.5V, 10V	7m옴 @ 17.6A, 10V	3V @ 250μA	66nC @ 10V	±20V	20V에서 3545pF	-	3.1W(Ta), 66W(Tc)
FDN5632N	-	보상요청	6899	비교차일드	*	대부분	활동적인					FDN5632		-			-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우	EAR99	8542.39.0001	3,000												-
KSC3123OMTF	0.0200	보상요청	8269	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				150mW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.21.0075	2,409			20dB ~ 23dB															20V	50mA									NPN		90 @ 5mA, 10V	1.4GHz	3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz
MMSZ5254B-FS	1.0000	보상요청	9212	비교차일드	*	대부분	활동적인										-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.10.0050	3,000
SGL40N150DTU	11.6600	보상요청	1	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-264-3, TO-264AA	SGL40	기준		200W	HPM F2	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	25		-													300ns		-	1500V	40A	120A	4.7V @ 15V, 40A	-	140nC	-
HRFZ44N	0.4200	보상요청	12	비교차일드	UltraFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	400	N채널			55V	49A(TC)	10V	22m옴 @ 25A, 10V	4V @ 250μA	75nC @ 20V	±20V	1060pF @ 25V	-	120W(Tc)
KSC2757OMTF	0.0200	보상요청	16	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				150mW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.21.0075	16,000			-															15V	50mA									NPN		90 @ 5mA, 10V	1.1GHz	-
KSD261CYBU	0.0300	보상요청	3939	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록				500mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.21.0095	9,000																		20V	500mA						100nA(ICBO)			NPN	400mV @ 50mA, 500mA	120 @ 100mA, 1V	-
HUF76139P3_NS2552	1.0000	보상요청	9045	비교차일드	*	대부분	활동적인										-	해당 없음	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0095	1
TIP31A	-	보상요청	4435	비교차일드	TIP31A	대부분	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3				2W	TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0095	1																		60V	3A						300μA			NPN	1.2V @ 375mA, 3A	25 @ 1A, 4V	3MHz
FDMB506P	0.6600	보상요청	5	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-파워WDFN			MOSFET(금속)		8-MLP, 마이크로FET(3x1.9)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	3,000	P채널			20V	6.8A(타)	1.8V, 4.5V	30m옴 @ 6.8A, 4.5V	250μA에서 1.5V	30nC @ 4.5V	±8V	2960pF @ 10V	-	1.9W(타)
HUFA76609D3ST	0.4300	보상요청	3	비교차일드	UltraFET™	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	2,500	N채널			100V	10A(TC)	4.5V, 10V	160m옴 @ 10A, 10V	3V @ 250μA	16nC @ 10V	±16V	25V에서 425pF	-	49W(Tc)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(5251)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²