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디스크리트 반도체(5251)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	작동 온도	장착	세트/케이스	에	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	현재 - 출력	FET 종류	테스트 조건	현재의	전압	전압 - 절연	자연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	전압 - 브레이크오버	다이오 구성	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	커패시턴스 @ Vr, F	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	카드가 사라졌습니다	Td(켜기/끄기) @ 25°C	- 컬렉터 컷오프(최대)	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	현재 - 현재
FDS6064N3	1.6200	보상요청	30	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)				MOSFET(금속)		8-SO	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,500				N채널					20V	23A(타)	1.8V, 4.5V	4m옴 @ 23A, 4.5V	250μA에서 1.5V	98nC @ 4.5V	±8V	7191pF @ 10V	-	3W(타)
US1KFA	1.0000	보상요청	3723	비교차일드	-	대부분	활동적인			표면 실장	SOD-123W				기준		SOD-123FA	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0080	1		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																			800V		1.7V @ 1A	75ns	800V에서 5μA	-55°C ~ 150°C	1A	15pF @ 4V, 1MHz
FFSH15120ADN-F155	7.3100	보상요청	17	비교차일드	-	대부분	활동적인			스루홀	TO-247-3				SiC(탄화규소) 쇼트키		TO-247-3	다운로드					EAR99	8541.10.0080	42		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																		1쌍의 세션이 시작됩니다	1200V	8A(DC)	1.75V @ 8A		1200V에서 200μA	-55°C ~ 175°C
FDT3612	-	보상요청	5936	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA				MOSFET(금속)		SOT-223-4	-						0000.00.0000	1				N채널					100V	3.7A(타)	6V, 10V	120mΩ @ 3.7A, 10V	4V @ 250μA	20nC @ 10V	±20V	50V에서 632pF	-	3W(타)
FQP4N90	1.5900	보상요청	2	비교차일드	QFET®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3				MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	189				N채널					900V	4.2A(Tc)	10V	3.3옴 @ 2.1A, 10V	5V @ 250μA	30nC @ 10V	±30V	25V에서 1100pF	-	140W(Tc)
KSC2310YBU	0.0500	보상요청	118	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리					800mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	500																														150V	50mA						100nA(ICBO)			NPN	500mV @ 1mA, 10mA	120 @ 10mA, 5V	100MHz
FQPF32N12V2	1.4400	보상요청	83	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩				MOSFET(금속)		TO-220F-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	1,000				N채널					120V	32A(Tc)	10V	50m옴 @ 16A, 10V	4V @ 250μA	53nC @ 10V	±30V	1860pF @ 25V	-	50W(Tc)
ISL9V3036S3STSB82029A	1.0000	보상요청	1646년	비교차일드	EcoSPARK®	대부분	활동적인		-40°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			논리		150W	D2PAK (TO-263)	다운로드						0000.00.0000	50					-																								-	360V	21A		1.6V @ 4V, 6A	-	17nC	-/4.8μs
MBR1560CT	1.0000	보상요청	5560	비교차일드	-	대부분	활동적인			스루홀	TO-220-3				쇼트키		TO-220-3	다운로드					EAR99	8541.10.0080	1		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																		1쌍의 세션이 시작됩니다	60V	15A	900mV @ 15A		60V에서 1mA	-65°C ~ 150°C
BC560BTA	1.0000	보상요청	7158	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록					500mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	2,000																														45V	100mA						15nA(ICBO)			PNP	650mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2mA, 5V	150MHz
MJD127TF	1.0000	보상요청	5044	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63					1.75W	TO-252-3(DPAK)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1																														100V	8A						10μA			PNP-달링턴	4V @ 80mA, 8A	1000 @ 4A, 4V	-
DB3TG	0.0600	보상요청	6252	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-40°C ~ 125°C (TJ)		DO-204AH, DO-35, 축방향						DO-35	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.30.0080	3,371			2A																30~34V																									15μA
FQU8N25TU	0.6400	보상요청	5	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA				MOSFET(금속)		아이팩	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	70				N채널					250V	6.2A(Tc)	10V	550m옴 @ 3.1A, 10V	5V @ 250μA	15nC @ 10V	±30V	25V에서 530pF	-	2.5W(Ta), 50W(Tc)
BC307CBU	0.0200	보상요청	1289	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)					500mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	629																														45V	100mA						15nA			PNP	500mV @ 5mA, 100mA	380 @ 2mA, 5V	130MHz
FDMS3600S	-	보상요청	6104	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN		FDMS3600		MOSFET(금속)	2.2W(타), 2.5W(타)	8-PQFN(5x6)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1	2 N채널(이중) 배열								25V	15A(Ta), 30A(Tc), 30A(Ta), 40A(Tc)		5.6m옴 @ 15A, 10V, 1.6m옴 @ 30A, 10V	2.7V @ 250μA, 3V @ 1mA	27nC @ 10V, 82nC @ 10V		13V에서 1680pF, 13V에서 5375pF	-
FQP7N80	1.9400	보상요청	16	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3				MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	1,000				N채널					800V	6.6A(Tc)	10V	1.5옴 @ 3.3A, 10V	5V @ 250μA	52nC @ 10V	±30V	25V에서 1850pF	-	167W(Tc)
MPSL51	0.0400	보상요청	6686	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)					625mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	446																														100V	200mA						1μA(ICBO)			PNP	300mV @ 5mA, 50mA	40 @ 50mA, 5V	60MHz
BC860BMTF	-	보상요청	4952	비교차일드	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		BC860			310mW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	3,000																														45V	100mA						15nA(ICBO)			PNP	650mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2mA, 5V	150MHz
SGR15N40LTM	0.8000	보상요청	765	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		SGR15	기준		45W	TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,500					-																								도랑	400V		130A	8V @ 4.5V, 130A	-		-
HUF75545S3S	1.0000	보상요청	8349	비교차일드	UltraFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	50				N채널					80V	75A(Tc)	10V	10m옴 @ 75A, 10V	4V @ 250μA	235nC @ 20V	±20V	3750pF @ 25V	-	270W(Tc)
FDD8880_F054	0.4200	보상요청	501	비교차일드	*	대부분	활동적인											-	해당 없음	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1
FQP9N25	0.4600	보상요청	132	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3				MOSFET(금속)		TO-220	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1				N채널					250V	9.4A(Tc)	10V	420m옴 @ 4.7A, 10V	5V @ 250μA	20nC @ 10V	±30V	25V에서 700pF	-	90W(Tc)
FDAF75N28	3.2100	보상요청	1	비교차일드	UniFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3 풀팩				MOSFET(금속)		TO-3PF	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	360				N채널					280V	46A(Tc)	10V	41m옴 @ 23A, 10V	5V @ 250μA	144nC @ 10V	±30V	6700pF @ 25V	-	215W(Tc)
SGL50N60RUFDTU	-	보상요청	3313	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-264-3, TO-264AA		SGL50N60	기준		250W	HPM F2	-						0000.00.0000	1					300V, 50A, 5.9옴, 15V																			100ns					-	600V	80A	150A	2.8V @ 15V, 50A	1.68mJ(켜짐), 1.03mJ(꺼짐)	145nC	26ns/66ns
1N970BNL	0.0600	보상요청	4802	비교차일드	-	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 200°C (TJ)	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향					500mW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	해당 없음	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	3,830																									18.2V에서 5μA													24V	33옴
ES1B	1.0000	보상요청	8391	비교차일드	-	대부분	활동적인			표면 실장	DO-214AC, SMA				기준		DO-214AC, SMA	다운로드					EAR99	8541.10.0080	1		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																			100V		920mV @ 1A	15ns	100V에서 5μA	-50°C ~ 150°C	1A	-
FSBM15SM60A	19.8200	보상요청	126	비교차일드	SPM®	대부분	활동적인			스루홀	32-PowerDIP 모듈(1.370", 34.80mm)	IGBT						다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	48	3상					15A	600V	2500Vrms
1N754A_NL	0.0200	보상요청	7505	비교차일드	-	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 200°C (TJ)	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향					500mW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	2,000																							1.5V @ 200mA		100nA @ 1V													6.8V	5옴
HGT1S14N41G3VLT	1.9100	보상요청	800	비교차일드	*	대부분	활동적인											다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	공급자가 규정하지 않는 경우	2156-HGT1S14N41G3VLT-600039			1
2N4401RA	-	보상요청	7300	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록		2N4401			625mW	TO-92 (TO-226)	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.21.0075	2,000																														40V	600mA						100nA			NPN	750mV @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 1V	250MHz

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(5251)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²