| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TIP30C | 0.1700 | ![]() | 4759 | 0.00000000 | 비교차일드 | TIP30C | 대부분 | 활동적인 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 2W | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100V | 1A | 300μA | PNP | 700mV @ 125mA, 1A | 40 @ 200mA, 4V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV19TR | 0.0300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 기준 | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0070 | 9,779 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 120V | 1.25V @ 200mA | 50ns | 100nA @ 100V | 175°C(최대) | 200mA | 5pF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6009B | 1.8400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 500mW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2V @ 200mA | 100nA @ 18V | 24V | 62옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJV4113RMTF | - | ![]() | 4762 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | FJV411 | 200mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | PNP - 사전 바이어스됨 | 500μA, 10mA에서 300mV | 68 @ 5mA, 5V | 200MHz | 2.2kΩ | 47kΩ | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB8444 | 1.1400 | ![]() | 167 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 264 | N채널 | 40V | 70A(Tc) | 10V | 5.5m옴 @ 70A, 10V | 4V @ 250μA | 128nC @ 10V | ±20V | 8035pF @ 25V | - | 167W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQU2N90TU | 0.4800 | ![]() | 332 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,040 | N채널 | 900V | 1.7A(Tc) | 10V | 7.2옴 @ 850mA, 10V | 5V @ 250μA | 15nC @ 10V | ±30V | 25V에서 500pF | - | 2.5W(Ta), 50W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP85N06 | - | ![]() | 8435 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 60V | 85A(Tc) | 10V | 10m옴 @ 42.5A, 10V | 4V @ 250μA | 112nC @ 10V | ±25V | 4120pF @ 25V | - | 160W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4747ATR | - | ![]() | 5439 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AL, DO-41, 축방향 | 1N4747 | 1W | DO-41 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 15.2V에서 5μA | 20V | 22옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI5N30TU | 0.5700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | I2PAK(TO-262) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 300V | 5.4A(Tc) | 10V | 900m옴 @ 2.7A, 10V | 5V @ 250μA | 13nC @ 10V | ±30V | 25V에서 430pF | - | 3.13W(Ta), 70W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN6705A | 0.1200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 1W | TO-226-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,500 | 45V | 1.5A | 100nA(ICBO) | NPN | 1V @ 100mA, 1A | 40 @ 250mA, 2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | US2FA | - | ![]() | 9112 | 0.00000000 | 비교차일드 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | DO-214AC, SMA | 기준 | DO-214AC(SMA) | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,977 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 300V | 1V @ 1.5A | 50ns | 300V에서 5μA | -55°C ~ 150°C | 1.5A | 50pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI4822DY | 0.4300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 701 | N채널 | 30V | 12.5A(타) | 4.5V, 10V | 9.5m옴 @ 12.5A, 10V | 3V @ 250μA | 33nC @ 5V | ±20V | 15V에서 2180pF | - | 1W(타) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFR9034TF | 1.0000 | ![]() | 5332 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | P채널 | 60V | 14A(TC) | 10V | 140m옴 @ 7A, 10V | 4V @ 250μA | 38nC @ 10V | ±25V | 25V에서 1155pF | - | 2.5W(Ta), 49W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5088BU | 1.0000 | ![]() | 5264 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 2N5088 | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 30V | 100mA | 50nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 1mA, 10mA | 300 @ 100μA, 5V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR1545CT | 1.0000 | ![]() | 2464 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | TO-220-3 | 쇼트키 | TO-220-3 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1쌍씩 시작됩니다 | 45V | 15A | 840mV @ 15A | 45V에서 100μA | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJY3008R | - | ![]() | 3421 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | SC-89, SOT-490 | FJY300 | 200mW | SOT-523F | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN - 사전 바이어스됨 | 500μA, 10mA에서 300mV | 56 @ 5mA, 5V | 250MHz | 47kΩ | 22kΩ | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5282 | 1.0000 | ![]() | 3457 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 기준 | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 80V | 900mV @ 100mA | 4ns | 55V에서 100nA | 175°C(최대) | 200mA | 2.5pF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDZ2554P | 1.2000 | ![]() | 89 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 18-WFBGA | FDZ25 | MOSFET(금속) | 2.1W | 18-BGA(2.5x4) | 다운로드 | RoHS 비준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 P채널(듀얼) | 20V | 6.5A | 28m옴 @ 6.5A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 20nC @ 4.5V | 1900pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS9012HTA | - | ![]() | 2713 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 20V | 500mA | 100nA(ICBO) | PNP | 600mV @ 50mA, 500mA | 144 @ 50mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C56 | 0.0200 | ![]() | 45 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 500mW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.5V @ 100mA | 50nA @ 39.2V | 56V | 200옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDT3055 | - | ![]() | 1770년 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET(금속) | SOT-223-4 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 60V | 4A(타) | 10V | 100m옴 @ 4A, 10V | 4V @ 250μA | 15nC @ 10V | ±20V | 30V에서 250pF | - | 1.1W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP4N25 | 0.2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 250V | 3.6A(Tc) | 10V | 1.75옴 @ 1.8A, 10V | 5V @ 250μA | 5.6nC @ 10V | ±30V | 200pF @ 25V | - | 52W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFU9214TU | 0.3200 | ![]() | 56 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | P채널 | 250V | 1.53A(Tc) | 10V | 4옴 @ 770mA, 10V | 4V @ 250μA | 11nC @ 10V | ±30V | 295pF @ 25V | - | 2.5W(Ta), 19W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC239BTA | 0.0200 | ![]() | 6681 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,241 | 25V | 100mA | 15nA | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 180 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF9N50 | 1.0100 | ![]() | 673 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-3PF | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | N채널 | 500V | 7.2A(Tc) | 10V | 730m옴 @ 3.6A, 10V | 5V @ 250μA | 36nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1450pF | - | 90W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS7066ASN3 | 1.1900 | ![]() | 623 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 19A(타) | 4.5V, 10V | 4.8m옴 @ 19A, 10V | 3V @ 1mA | 62nC @ 10V | ±20V | 15V에서 2460pF | - | 3W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDFM2P110 | 0.3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-WDFN옆패드 | MOSFET(금속) | 마이크로FET 3x3mm | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 825 | P채널 | 20V | 3.5A(타) | 2.5V, 4.5V | 140m옴 @ 3.5A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 4nC @ 4.5V | ±12V | 10V에서 280pF | 쇼트키 다이오드(절연) | 2W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS7096N3 | 0.9900 | ![]() | 183 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 14A(타) | 4.5V, 10V | 9m옴 @ 14A, 10V | 3V @ 250μA | 22nC @ 5V | ±20V | 1587pF @ 15V | - | 3W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSI4N60BTU | 0.4400 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | I2PAK(TO-262) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 600V | 4A(TC) | 10V | 2.5옴 @ 2A, 10V | 4V @ 250μA | 29nC @ 10V | ±30V | 25V에서 920pF | - | 3.13W(Ta), 100W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP79N15 | 3.3100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 비교차일드 | UniFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 150V | 79A (Tc) | 10V | 30m옴 @ 39.5A, 10V | 5V @ 250μA | 73nC @ 10V | ±30V | 3410pF @ 25V | - | 463W(Tc) |

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