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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 - 최대 테스트 테스트 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 저항 -rds (on) 저항 @ if, f 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 노이즈 노이즈 (db typ @ f) 전류 전류 (ID) - 최대
FDD8750 Fairchild Semiconductor FDD8750 0.3700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 6.5A (TA), 2.7A (TC) 4.5V, 10V 40mohm @ 2.7a, 10V 2.5V @ 250µA 9 NC @ 10 v ± 20V 425 pf @ 13 v - 3.7W (TA), 18W (TC)
FJV3111RMTF Fairchild Semiconductor FJV3111RMTF -
RFQ
 ECAD 4062 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 fjv311 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 22 KOHMS
FFAF60A150DSTU Fairchild Semiconductor FFAF60A150DSTU 0.8500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) TO-3P-3 p 팩 to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0080 360 20 a - 표준 -1 쌍 1 연결 600V -
FQP5N40 Fairchild Semiconductor FQP5N40 -
RFQ
 ECAD 5148 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 4.5A (TC) 10V 1.6ohm @ 2.25a, ​​10V 5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 30V 460 pf @ 25 v - 70W (TC)
FDD5810 Fairchild Semiconductor FDD5810 0.9000
RFQ
 ECAD 540 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 7.4A (TA), 37A (TC) 5V, 10V 22mohm @ 32a, 10V 2V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1890 pf @ 25 v - 72W (TC)
FQD20N06LETM Fairchild Semiconductor fqd20n06letm 0.3100
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 17.2A (TC) 5V, 10V 60mohm @ 8.6a, 10V 2.5V @ 250µA 13 nc @ 5 v ± 20V 665 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 38W (TC)
HUF75545S3S Fairchild Semiconductor HUF75545S3S 1.0000
RFQ
 ECAD 8349 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 75A (TC) 10V 10mohm @ 75a, 10v 4V @ 250µA 235 NC @ 20 v ± 20V 3750 pf @ 25 v - 270W (TC)
IRL540A Fairchild Semiconductor IRL540A 0.7000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 28A (TC) 5V 58mohm @ 14a, 5V 2V @ 250µA 54 NC @ 5 v ± 20V 1580 pf @ 25 v - 121W (TC)
FQU20N06TU Fairchild Semiconductor FQU20N06TU 0.4100
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 5,040 n 채널 60 v 16.8A (TC) 10V 63mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 25V 590 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 38W (TC)
1N6010B Fairchild Semiconductor 1N6010B 1.8400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 163 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 21 v 27 v 70 옴
DBG150G Fairchild Semiconductor DBG150G 3.9000
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, DBF 기준 - 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0080 250 900 MV @ 7.5 a 10 µa @ 600 v 3.6 a 단일 단일 600 v
FDMB668P Fairchild Semiconductor FDMB668P 0.2700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8-mlp,, 펫 (3x1.9) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 6.1A (TA) 1.8V, 4.5V 35mohm @ 6.1a, 4.5v 1V @ 250µA 59 NC @ 10 v ± 8V 2085 pf @ 10 v - 1.9W (TA)
FQAF9N50 Fairchild Semiconductor fqaf9n50 1.0100
RFQ
 ECAD 673 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 360 n 채널 500 v 7.2A (TC) 10V 730mohm @ 3.6a, 10V 5V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 30V 1450 pf @ 25 v - 90W (TC)
FDB42AN15A0 Fairchild Semiconductor FDB42AN15A0 1.0000
RFQ
 ECAD 1899 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 5A (TA), 35A (TC) 6V, 10V 42mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 2150 pf @ 25 v - 150W (TC)
3N255 Fairchild Semiconductor 3N255 0.2500
RFQ
 ECAD 5782 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 기준 KBPM 다운로드 Rohs3 준수 2156-3N255-FS 귀 99 8541.10.0080 30 1.1 v @ 3.14 a 5 µa @ 200 v 2 a 단일 단일 200 v
FQB32N12V2TM Fairchild Semiconductor FQB32N12V2TM 1.1400
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 120 v 32A (TC) 10V 50mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 30V 1860 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 150W (TC)
FDW258P Fairchild Semiconductor FDW258P 1.3600
RFQ
 ECAD 92 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,500 p 채널 12 v 9A (TA) 1.8V, 4.5V 11mohm @ 9a, 4.5v 1.5V @ 250µA 73 NC @ 4.5 v ± 8V 5049 pf @ 5 v - 1.3W (TA)
HUF76407D3 Fairchild Semiconductor HUF76407D3 0.3700
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,800 n 채널 60 v 12A (TC) 4.5V, 10V 92mohm @ 13a, 10V 3V @ 250µA 11.3 NC @ 10 v ± 16V 350 pf @ 25 v - 38W (TC)
3N246 Fairchild Semiconductor 3N246 0.2200
RFQ
 ECAD 8906 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 기준 KBPM 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0080 112 1 V @ 1 a 5 µa @ 50 v 1.5 a 단일 단일 50 v
KSC1393YBU Fairchild Semiconductor KSC1393YBU 0.0200
RFQ
 ECAD 879 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 250MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 1,000 20dB ~ 24dB 30V 20MA NPN 90 @ 2MA, 10V 700MHz 2DB ~ 3db @ 200MHz
HUFA75307D3ST Fairchild Semiconductor hufa75307d3st 0.2400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 15A (TC) 10V 90mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 20 v ± 20V 250 pf @ 25 v - 45W (TC)
FJX597JHTF Fairchild Semiconductor FJX597JHTF 0.0200
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 100MW SC-70-3 (SOT323) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 3.5pf @ 5V 20 v 150 µa @ 5 v 600 mV @ 1 µA 1 MA
FQB13N06LTM Fairchild Semiconductor FQB13N06LTM 0.3700
RFQ
 ECAD 6352 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 569 n 채널 60 v 13.6A (TC) 5V, 10V 110mohm @ 6.8a, 10V 2.5V @ 250µA 6.4 NC @ 5 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 45W (TC)
SGP13N60UFDTU Fairchild Semiconductor sgp13n60ufdtu 1.2100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SGP13N60 기준 60 W. TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 300V, 6.5A, 50ohm, 15V 55 ns - 600 v 13 a 52 a 2.6V @ 15V, 6.5A 85µJ (on), 95µJ (OFF) 25 NC 20ns/70ns
PN4091 Fairchild Semiconductor PN4091 0.0600
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 16pf @ 20V 40 v 30 ma @ 20 v 5 v @ 1 na 30 옴
FQP70N08 Fairchild Semiconductor FQP70N08 1.1200
RFQ
 ECAD 797 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 80 v 70A (TC) 10V 17mohm @ 35a, 10V 4V @ 250µA 98 NC @ 10 v ± 25V 2700 pf @ 25 v - 155W (TC)
FGA180N30DTU Fairchild Semiconductor FGA180N30DTU 4.0400
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FGA180 기준 480 W. to-3p 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 30 - 21 ns - 300 v 180 a 450 a 1.4V @ 15V, 40A - 185 NC -
USB10H Fairchild Semiconductor USB10H 1.0000
RFQ
 ECAD 1200 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 USB10 MOSFET (금속 (() 700MW SUPERSOT ™ -6 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 1.9a 170mohm @ 1.9a, 4.5v 1.5V @ 250µA 4.2NC @ 4.5V 441pf @ 10V 논리 논리 게이트
BZX55C7V5 Fairchild Semiconductor BZX55C7V5 0.0200
RFQ
 ECAD 7856 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 4,335 1.3 v @ 100 ma 100 na @ 5 v 7.5 v 7 옴
FDD6512A Fairchild Semiconductor FDD6512A 0.4100
RFQ
 ECAD 516 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 10.7A (TA), 36A (TC) 2.5V, 4.5V 21mohm @ 10.7a, 4.5v 1.5V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 12V 1082 pf @ 10 v - 3.8W (TA), 43W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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