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디스크리트 반도체(5251)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	REACH 상태	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	FET 종류	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	다이오 구성	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	커패시턴스 @ Vr, F	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	- 컬렉터 컷오프(최대)	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)
TIP30C	0.1700	보상요청	4759	비교차일드	TIP30C	대부분	활동적인		-65°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			2W	TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0095	1																							100V	1A	300μA			PNP	700mV @ 125mA, 1A	40 @ 200mA, 4V	3MHz
BAV19TR	0.0300	보상요청	30	비교차일드	-	대부분	활동적인			스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향		기준		DO-35 (DO-204AH)	다운로드				EAR99	8541.10.0070	9,779		작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도													120V		1.25V @ 200mA	50ns	100nA @ 100V	175°C(최대)	200mA	5pF @ 0V, 1MHz
1N6009B	1.8400	보상요청	1	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	±5%	-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향			500mW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.10.0050	163																	1.2V @ 200mA		100nA @ 18V							24V	62옴
FJV4113RMTF	-	보상요청	4762	비교차일드	-	대부분	활동적인			표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	FJV411		200mW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	0000.00.0000	3,000																							50V	100mA	100nA(ICBO)			PNP - 사전 바이어스됨	500μA, 10mA에서 300mV	68 @ 5mA, 5V	200MHz	2.2kΩ	47kΩ
FDB8444	1.1400	보상요청	167	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드				EAR99	8542.39.0001	264			N채널	40V	70A(Tc)	10V	5.5m옴 @ 70A, 10V	4V @ 250μA	128nC @ 10V	±20V	8035pF @ 25V	-	167W(Tc)
FQU2N90TU	0.4800	보상요청	332	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA		MOSFET(금속)		아이팩	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	5,040			N채널	900V	1.7A(Tc)	10V	7.2옴 @ 850mA, 10V	5V @ 250μA	15nC @ 10V	±30V	25V에서 500pF	-	2.5W(Ta), 50W(Tc)
FQP85N06	-	보상요청	8435	비교차일드	QFET®	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드				EAR99	8542.39.0001	1			N채널	60V	85A(Tc)	10V	10m옴 @ 42.5A, 10V	4V @ 250μA	112nC @ 10V	±25V	4120pF @ 25V	-	160W(Tc)
1N4747ATR	-	보상요청	5439	비교차일드	-	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AL, DO-41, 축방향	1N4747		1W	DO-41	다운로드				EAR99	8541.10.0050	1																			15.2V에서 5μA							20V	22옴
FQI5N30TU	0.5700	보상요청	2	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA		MOSFET(금속)		I2PAK(TO-262)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	1,000			N채널	300V	5.4A(Tc)	10V	900m옴 @ 2.7A, 10V	5V @ 250μA	13nC @ 10V	±30V	25V에서 430pF	-	3.13W(Ta), 70W(Tc)
TN6705A	0.1200	보상요청	8	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			1W	TO-226-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.21.0095	1,500																							45V	1.5A	100nA(ICBO)			NPN	1V @ 100mA, 1A	40 @ 250mA, 2V	-
US2FA	-	보상요청	9112	비교차일드	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			표면 실장	DO-214AC, SMA		기준		DO-214AC(SMA)	다운로드				EAR99	8541.10.0080	1,977		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)													300V		1V @ 1.5A	50ns	300V에서 5μA	-55°C ~ 150°C	1.5A	50pF @ 4V, 1MHz
SI4822DY	0.4300	보상요청	7	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)		MOSFET(금속)		8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우	EAR99	8541.29.0095	701			N채널	30V	12.5A(타)	4.5V, 10V	9.5m옴 @ 12.5A, 10V	3V @ 250μA	33nC @ 5V	±20V	15V에서 2180pF	-	1W(타)
SFR9034TF	1.0000	보상요청	5332	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	2,000			P채널	60V	14A(TC)	10V	140m옴 @ 7A, 10V	4V @ 250μA	38nC @ 10V	±25V	25V에서 1155pF	-	2.5W(Ta), 49W(Tc)
2N5088BU	1.0000	보상요청	5264	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	2N5088		625mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.21.0095	1																							30V	100mA	50nA(ICBO)			NPN	500mV @ 1mA, 10mA	300 @ 100μA, 5V	50MHz
MBR1545CT	1.0000	보상요청	2464	비교차일드	-	대부분	활동적인			스루홀	TO-220-3		쇼트키		TO-220-3	-	ROHS3 준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우	EAR99	8541.10.0080	1		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)												1쌍씩 시작됩니다	45V	15A	840mV @ 15A		45V에서 100μA	-65°C ~ 150°C
FJY3008R	-	보상요청	3421	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우			표면 실장	SC-89, SOT-490	FJY300		200mW	SOT-523F	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	100mA	100nA(ICBO)			NPN - 사전 바이어스됨	500μA, 10mA에서 300mV	56 @ 5mA, 5V	250MHz	47kΩ	22kΩ
1N5282	1.0000	보상요청	3457	비교차일드	-	대부분	활동적인			스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향		기준		DO-35 (DO-204AH)	다운로드				EAR99	8541.10.0070	1		작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도													80V		900mV @ 100mA	4ns	55V에서 100nA	175°C(최대)	200mA	2.5pF @ 0V, 1MHz
FDZ2554P	1.2000	보상요청	89	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	18-WFBGA	FDZ25	MOSFET(금속)	2.1W	18-BGA(2.5x4)	다운로드	RoHS 비준수			EAR99	8541.29.0095	3,000	2 P채널(듀얼)			20V	6.5A		28m옴 @ 6.5A, 4.5V	250μA에서 1.5V	20nC @ 4.5V		1900pF @ 10V	게임 레벨 레벨
SS9012HTA	-	보상요청	2713	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록			625mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.21.0095	2,000																							20V	500mA	100nA(ICBO)			PNP	600mV @ 50mA, 500mA	144 @ 50mA, 1V	-
BZX79C56	0.0200	보상요청	45	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	±5%	-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향			500mW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.10.0050	1,000																	1.5V @ 100mA		50nA @ 39.2V							56V	200옴
NDT3055	-	보상요청	1770년	비교차일드	-	대부분	활동적인		-65°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA		MOSFET(금속)		SOT-223-4	다운로드				EAR99	8542.39.0001	1			N채널	60V	4A(타)	10V	100m옴 @ 4A, 10V	4V @ 250μA	15nC @ 10V	±20V	30V에서 250pF	-	1.1W(타)
FQP4N25	0.2700	보상요청	2	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	50			N채널	250V	3.6A(Tc)	10V	1.75옴 @ 1.8A, 10V	5V @ 250μA	5.6nC @ 10V	±30V	200pF @ 25V	-	52W(Tc)
SFU9214TU	0.3200	보상요청	56	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA		MOSFET(금속)		아이팩	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.	EAR99	8541.29.0095	1			P채널	250V	1.53A(Tc)	10V	4옴 @ 770mA, 10V	4V @ 250μA	11nC @ 10V	±30V	295pF @ 25V	-	2.5W(Ta), 19W(Tc)
BC239BTA	0.0200	보상요청	6681	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록			500mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.21.0075	1,241																							25V	100mA	15nA			NPN	600mV @ 5mA, 100mA	180 @ 2mA, 5V	250MHz
FQAF9N50	1.0100	보상요청	673	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3 풀팩		MOSFET(금속)		TO-3PF	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	360			N채널	500V	7.2A(Tc)	10V	730m옴 @ 3.6A, 10V	5V @ 250μA	36nC @ 10V	±30V	25V에서 1450pF	-	90W(Tc)
FDS7066ASN3	1.1900	보상요청	623	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)		MOSFET(금속)		8-SO	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	2,500			N채널	30V	19A(타)	4.5V, 10V	4.8m옴 @ 19A, 10V	3V @ 1mA	62nC @ 10V	±20V	15V에서 2460pF	-	3W(타)
FDFM2P110	0.3900	보상요청	2	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-WDFN옆패드		MOSFET(금속)		마이크로FET 3x3mm	다운로드				EAR99	8542.39.0001	825			P채널	20V	3.5A(타)	2.5V, 4.5V	140m옴 @ 3.5A, 4.5V	250μA에서 1.5V	4nC @ 4.5V	±12V	10V에서 280pF	쇼트키 다이오드(절연)	2W(타)
FDS7096N3	0.9900	보상요청	183	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)		MOSFET(금속)		8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	2,500			N채널	30V	14A(타)	4.5V, 10V	9m옴 @ 14A, 10V	3V @ 250μA	22nC @ 5V	±20V	1587pF @ 15V	-	3W(타)
SSI4N60BTU	0.4400	보상요청	50	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA		MOSFET(금속)		I2PAK(TO-262)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.	EAR99	8541.29.0095	1			N채널	600V	4A(TC)	10V	2.5옴 @ 2A, 10V	4V @ 250μA	29nC @ 10V	±30V	25V에서 920pF	-	3.13W(Ta), 100W(Tc)
FDP79N15	3.3100	보상요청	6	비교차일드	UniFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	50			N채널	150V	79A (Tc)	10V	30m옴 @ 39.5A, 10V	5V @ 250μA	73nC @ 10V	±30V	3410pF @ 25V	-	463W(Tc)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(5251)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²