SIC
close
영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 테스트 조건 현재의 전압 전압 - 절연 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
1N5988B Fairchild Semiconductor 1N5988B 2.7500
보상요청
ECAD 1 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 500mW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.10.0050 110 1.2V @ 200mA 25μA @ 1V 3.3V 95옴
FDP120AN15A0 Fairchild Semiconductor FDP120AN15A0 0.9000
보상요청
ECAD 9 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 400 N채널 150V 2.8A(Ta), 14A(Tc) 6V, 10V 120m옴 @ 4A, 10V 4V @ 250μA 14.5nC @ 10V ±20V 25V에서 770pF - 65W(Tc)
FSB50550T Fairchild Semiconductor FSB50550T 10.5600
보상요청
ECAD 410 0.00000000 비교차일드 모션 SPM® 5 대부분 활동적인 스루홀 23-PowerDIP 모듈(0.748", 19.00mm) MOSFET FSB505 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8542.39.0001 29 3상 1.8A 500V 1500Vrms
HUFA75339P3 Fairchild Semiconductor HUFA75339P3 1.1600
보상요청
ECAD 2 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 400 N채널 55V 75A(Tc) 10V 12m옴 @ 75A, 10V 4V @ 250μA 130nC @ 20V ±20V 2000pF @ 25V - 200W(Tc)
RFD14N05SM Fairchild Semiconductor RFD14N05SM -
보상요청
ECAD 3408 0.00000000 비교차일드 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 75 N채널 50V 14A(TC) 10V 100m옴 @ 14A, 10V 4V @ 250μA 40nC @ 20V ±20V 25V에서 570pF - 48W(Tc)
FDP2614 Fairchild Semiconductor FDP2614 -
보상요청
ECAD 2460 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-FDP2614 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 200V 62A(Tc) 10V 27m옴 @ 31A, 10V 5V @ 250μA 99nC @ 10V ±30V 25V에서 7230pF - 260W(Tc)
FFPF06UP20STU Fairchild Semiconductor FFPF06UP20STU 0.6100
보상요청
ECAD 14 0.00000000 비교차일드 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-220-2 풀팩 기준 TO-220F-2L 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.10.0080 1,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 200V 1.15V @ 6A 31ns 200V에서 100μA -65°C ~ 150°C 6A -
SFR9210TF Fairchild Semiconductor SFR9210TF -
보상요청
ECAD 7818 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252-3(DPAK) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 P채널 200V 1.6A(Tc) 10V 3옴 @ 800mA, 10V 4V @ 250μA 11nC @ 10V ±30V 25V에서 285pF - 2.5W(Ta), 19W(Tc)
FQD20N06TF Fairchild Semiconductor FQD20N06TF 0.4000
보상요청
ECAD 5421 0.00000000 비교차일드 QFET® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 525 N채널 60V 16.8A(Tc) 10V 63m옴 @ 8.4A, 10V 4V @ 250μA 15nC @ 10V ±25V 25V에서 590pF - 2.5W(Ta), 38W(Tc)
SI3445DV Fairchild Semiconductor SI3445DV 0.1200
보상요청
ECAD 30 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 MOSFET(금속) SuperSOT™-6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0095 1 P채널 20V 5.5A(타) 1.8V, 4.5V 33m옴 @ 5.5A, 4.5V 250μA에서 1.5V 30nC @ 4.5V ±8V 10V에서 1926pF - 800mW(타)
FDS6064N7 Fairchild Semiconductor FDS6064N7 0.8100
보상요청
ECAD 6598 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SO 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 310 N채널 20V 23A(타) 1.8V, 4.5V 3.5m옴 @ 23A, 4.5V 250μA에서 1.5V 98nC @ 4.5V ±8V 7191pF @ 10V - 3W(타)
FDFM2P110 Fairchild Semiconductor FDFM2P110 0.3900
보상요청
ECAD 2 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-WDFN옆패드 MOSFET(금속) 마이크로FET 3x3mm 다운로드 EAR99 8542.39.0001 825 P채널 20V 3.5A(타) 2.5V, 4.5V 140m옴 @ 3.5A, 4.5V 250μA에서 1.5V 4nC @ 4.5V ±12V 10V에서 280pF 쇼트키 다이오드(절연) 2W(타)
SS16 Fairchild Semiconductor SS16 -
보상요청
ECAD 8293 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 표면 실장 DO-214AC, SMA SS16 쇼트키 SMA(DO-214AC) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0080 3,316 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 60V 700mV @ 1A 60V에서 200μA -65°C ~ 125°C 1A -
BC856ALT1G Fairchild Semiconductor BC856ALT1G -
보상요청
ECAD 3244 0.00000000 비교차일드 BC856AL 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 225mW SOT-23-3(TO-236) - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-BC856ALT1G-600039 1 65V 100mA 15nA(ICBO) PNP 650mV @ 5mA, 100mA 125 @ 2mA, 5V 100MHz
SS9012HTA Fairchild Semiconductor SS9012HTA -
보상요청
ECAD 2713 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 625mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0095 2,000 20V 500mA 100nA(ICBO) PNP 600mV @ 50mA, 500mA 144 @ 50mA, 1V -
FSB50250 Fairchild Semiconductor FSB50250 8.1300
보상요청
ECAD 3 0.00000000 비교차일드 모션 SPM® 5 대부분 활동적인 스루홀 23-PowerDIP 모듈(0.551", 14.00mm) MOSFET 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8542.39.0001 1 3상 인버터 1A 500V 1500Vrms
TN6705A Fairchild Semiconductor TN6705A 0.1200
보상요청
ECAD 8 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1W TO-226-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0095 1,500 45V 1.5A 100nA(ICBO) NPN 1V @ 100mA, 1A 40 @ 250mA, 2V -
FDS7096N3 Fairchild Semiconductor FDS7096N3 0.9900
보상요청
ECAD 183 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 14A(타) 4.5V, 10V 9m옴 @ 14A, 10V 3V @ 250μA 22nC @ 5V ±20V 1587pF @ 15V - 3W(타)
BC307BTA Fairchild Semiconductor BC307BTA -
보상요청
ECAD 7521 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 500mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 2,000 45V 100mA 15nA PNP 500mV @ 5mA, 100mA 180 @ 2mA, 5V 130MHz
SSI4N60BTU Fairchild Semiconductor SSI4N60BTU 0.4400
보상요청
ECAD 50 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) I2PAK(TO-262) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 1 N채널 600V 4A(TC) 10V 2.5옴 @ 2A, 10V 4V @ 250μA 29nC @ 10V ±30V 25V에서 920pF - 3.13W(Ta), 100W(Tc)
FDP79N15 Fairchild Semiconductor FDP79N15 3.3100
보상요청
ECAD 6 0.00000000 비교차일드 UniFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 150V 79A (Tc) 10V 30m옴 @ 39.5A, 10V 5V @ 250μA 73nC @ 10V ±30V 3410pF @ 25V - 463W(Tc)
HGTG30N60C3D Fairchild Semiconductor HGTG30N60C3D 6.9600
보상요청
ECAD 7 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 208W TO-247 다운로드 EAR99 8542.39.0001 44 - 60ns - 600V 63A 252A 1.8V @ 15V, 30A 1.05mJ(켜짐), 2.5mJ(꺼짐) 162nC -
FDS6692 Fairchild Semiconductor FDS6692 0.6400
보상요청
ECAD 1 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 12A(타) 4.5V, 10V 12m옴 @ 12A, 10V 3V @ 250μA 25nC @ 5V ±16V 15V에서 2164pF - 1W(타)
BAX16 Fairchild Semiconductor BAX16 0.0300
보상요청
ECAD 73 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 기준 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 EAR99 8541.10.0070 8,663 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 150V 650mV @ 1mA 120ns 150V에서 100nA 175°C(최대) 200mA -
NDP4060 Fairchild Semiconductor NDP4060 0.4800
보상요청
ECAD 134 0.00000000 비교차일드 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 15A(Tc) 10V 100mΩ @ 7.5A, 10V 4V @ 250μA 17nC @ 10V ±20V 25V에서 450pF - 50W(Tc)
FGI3236 Fairchild Semiconductor FGI3236 1.2300
보상요청
ECAD 82 0.00000000 비교차일드 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1
FGH40N6S2 Fairchild Semiconductor FGH40N6S2 -
보상요청
ECAD 3853 0.00000000 비교차일드 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 290W TO-247 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 3 390V, 20A, 3옴, 15V - 600V 75A 180A 2.7V @ 15V, 20A 115μJ(켜짐), 195μJ(꺼짐) 35nC 8ns/35ns
FQPF10N50CF Fairchild Semiconductor FQPF10N50CF 1.3500
보상요청
ECAD 67 0.00000000 비교차일드 FRFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220F-3 다운로드 EAR99 8542.39.0001 223 N채널 500V 10A(TC) 10V 610m옴 @ 5A, 10V 4V @ 250μA 56nC @ 10V ±30V 2096pF @ 25V - 48W(Tc)
FDB13AN06A0 Fairchild Semiconductor FDB13AN06A0 -
보상요청
ECAD 8081 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 0000.00.0000 1 N채널 60V 10.9A(Ta), 62A(Tc) 6V, 10V 13.5m옴 @ 62A, 10V 4V @ 250μA 29nC @ 10V ±20V 1350pF @ 25V - 115W(Tc)
HUF76129S3ST Fairchild Semiconductor HUF76129S3ST -
보상요청
ECAD 9570 0.00000000 비교차일드 UltraFET® 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 641 N채널 30V 56A(티씨) 4.5V, 10V 16옴 @ 56A, 10V 3V @ 250μA 45nC @ 10V ±20V 1350pF @ 25V - 105W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고