| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 에 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 테스트 조건 | 현재의 | 전압 | 전압 - 절연 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 카드가 사라졌습니다 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5988B | 2.7500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 500mW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0050 | 110 | 1.2V @ 200mA | 25μA @ 1V | 3.3V | 95옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP120AN15A0 | 0.9000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N채널 | 150V | 2.8A(Ta), 14A(Tc) | 6V, 10V | 120m옴 @ 4A, 10V | 4V @ 250μA | 14.5nC @ 10V | ±20V | 25V에서 770pF | - | 65W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSB50550T | 10.5600 | ![]() | 410 | 0.00000000 | 비교차일드 | 모션 SPM® 5 | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | 23-PowerDIP 모듈(0.748", 19.00mm) | MOSFET | FSB505 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 29 | 3상 | 1.8A | 500V | 1500Vrms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75339P3 | 1.1600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N채널 | 55V | 75A(Tc) | 10V | 12m옴 @ 75A, 10V | 4V @ 250μA | 130nC @ 20V | ±20V | 2000pF @ 25V | - | 200W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFD14N05SM | - | ![]() | 3408 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 50V | 14A(TC) | 10V | 100m옴 @ 14A, 10V | 4V @ 250μA | 40nC @ 20V | ±20V | 25V에서 570pF | - | 48W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP2614 | - | ![]() | 2460 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-FDP2614 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 200V | 62A(Tc) | 10V | 27m옴 @ 31A, 10V | 5V @ 250μA | 99nC @ 10V | ±30V | 25V에서 7230pF | - | 260W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFPF06UP20STU | 0.6100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-220-2 풀팩 | 기준 | TO-220F-2L | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 200V | 1.15V @ 6A | 31ns | 200V에서 100μA | -65°C ~ 150°C | 6A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFR9210TF | - | ![]() | 7818 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252-3(DPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | P채널 | 200V | 1.6A(Tc) | 10V | 3옴 @ 800mA, 10V | 4V @ 250μA | 11nC @ 10V | ±30V | 25V에서 285pF | - | 2.5W(Ta), 19W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD20N06TF | 0.4000 | ![]() | 5421 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 525 | N채널 | 60V | 16.8A(Tc) | 10V | 63m옴 @ 8.4A, 10V | 4V @ 250μA | 15nC @ 10V | ±25V | 25V에서 590pF | - | 2.5W(Ta), 38W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI3445DV | 0.1200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 | MOSFET(금속) | SuperSOT™-6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | P채널 | 20V | 5.5A(타) | 1.8V, 4.5V | 33m옴 @ 5.5A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 30nC @ 4.5V | ±8V | 10V에서 1926pF | - | 800mW(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6064N7 | 0.8100 | ![]() | 6598 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 310 | N채널 | 20V | 23A(타) | 1.8V, 4.5V | 3.5m옴 @ 23A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 98nC @ 4.5V | ±8V | 7191pF @ 10V | - | 3W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDFM2P110 | 0.3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-WDFN옆패드 | MOSFET(금속) | 마이크로FET 3x3mm | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 825 | P채널 | 20V | 3.5A(타) | 2.5V, 4.5V | 140m옴 @ 3.5A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 4nC @ 4.5V | ±12V | 10V에서 280pF | 쇼트키 다이오드(절연) | 2W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS16 | - | ![]() | 8293 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | DO-214AC, SMA | SS16 | 쇼트키 | SMA(DO-214AC) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,316 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 60V | 700mV @ 1A | 60V에서 200μA | -65°C ~ 125°C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC856ALT1G | - | ![]() | 3244 | 0.00000000 | 비교차일드 | BC856AL | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 225mW | SOT-23-3(TO-236) | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-BC856ALT1G-600039 | 1 | 65V | 100mA | 15nA(ICBO) | PNP | 650mV @ 5mA, 100mA | 125 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS9012HTA | - | ![]() | 2713 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 20V | 500mA | 100nA(ICBO) | PNP | 600mV @ 50mA, 500mA | 144 @ 50mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FSB50250 | 8.1300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | 모션 SPM® 5 | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | 23-PowerDIP 모듈(0.551", 14.00mm) | MOSFET | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 3상 인버터 | 1A | 500V | 1500Vrms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN6705A | 0.1200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 1W | TO-226-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,500 | 45V | 1.5A | 100nA(ICBO) | NPN | 1V @ 100mA, 1A | 40 @ 250mA, 2V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS7096N3 | 0.9900 | ![]() | 183 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 14A(타) | 4.5V, 10V | 9m옴 @ 14A, 10V | 3V @ 250μA | 22nC @ 5V | ±20V | 1587pF @ 15V | - | 3W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC307BTA | - | ![]() | 7521 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45V | 100mA | 15nA | PNP | 500mV @ 5mA, 100mA | 180 @ 2mA, 5V | 130MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSI4N60BTU | 0.4400 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | I2PAK(TO-262) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 600V | 4A(TC) | 10V | 2.5옴 @ 2A, 10V | 4V @ 250μA | 29nC @ 10V | ±30V | 25V에서 920pF | - | 3.13W(Ta), 100W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP79N15 | 3.3100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 비교차일드 | UniFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 150V | 79A (Tc) | 10V | 30m옴 @ 39.5A, 10V | 5V @ 250μA | 73nC @ 10V | ±30V | 3410pF @ 25V | - | 463W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTG30N60C3D | 6.9600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | 기준 | 208W | TO-247 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 44 | - | 60ns | - | 600V | 63A | 252A | 1.8V @ 15V, 30A | 1.05mJ(켜짐), 2.5mJ(꺼짐) | 162nC | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6692 | 0.6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 12A(타) | 4.5V, 10V | 12m옴 @ 12A, 10V | 3V @ 250μA | 25nC @ 5V | ±16V | 15V에서 2164pF | - | 1W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAX16 | 0.0300 | ![]() | 73 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 기준 | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,663 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 150V | 650mV @ 1mA | 120ns | 150V에서 100nA | 175°C(최대) | 200mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDP4060 | 0.4800 | ![]() | 134 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 60V | 15A(Tc) | 10V | 100mΩ @ 7.5A, 10V | 4V @ 250μA | 17nC @ 10V | ±20V | 25V에서 450pF | - | 50W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGI3236 | 1.2300 | ![]() | 82 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGH40N6S2 | - | ![]() | 3853 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | 기준 | 290W | TO-247 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 | 390V, 20A, 3옴, 15V | - | 600V | 75A | 180A | 2.7V @ 15V, 20A | 115μJ(켜짐), 195μJ(꺼짐) | 35nC | 8ns/35ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF10N50CF | 1.3500 | ![]() | 67 | 0.00000000 | 비교차일드 | FRFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 223 | N채널 | 500V | 10A(TC) | 10V | 610m옴 @ 5A, 10V | 4V @ 250μA | 56nC @ 10V | ±30V | 2096pF @ 25V | - | 48W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB13AN06A0 | - | ![]() | 8081 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 60V | 10.9A(Ta), 62A(Tc) | 6V, 10V | 13.5m옴 @ 62A, 10V | 4V @ 250μA | 29nC @ 10V | ±20V | 1350pF @ 25V | - | 115W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76129S3ST | - | ![]() | 9570 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET® | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 641 | N채널 | 30V | 56A(티씨) | 4.5V, 10V | 16옴 @ 56A, 10V | 3V @ 250μA | 45nC @ 10V | ±20V | 1350pF @ 25V | - | 105W(Tc) |

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