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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 전류 - 유지(Ih)(최대) 테스트 조건 현재의 전압 전압 - 절연 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 적극적 활동 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 전압 - 수채화(Vgt)(최대) 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) 메모리 - 메모리(Igt)(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
FQI10N60CTU Fairchild Semiconductor FQI10N60CTU 0.8300
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ECAD 55 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) I2PAK(TO-262) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 600V 9.5A(Tc) 10V 730m옴 @ 4.75A, 10V 4V @ 250μA 57nC @ 10V ±30V 2040pF @ 25V - 3.13W(Ta), 156W(Tc)
SFU9034TU Fairchild Semiconductor SFU9034TU 0.2600
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ECAD 4 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 1 P채널 60V 14A(TC) 10V 140m옴 @ 7A, 10V 4V @ 250μA 38nC @ 10V ±25V 25V에서 1155pF - 2.5W(Ta), 49W(Tc)
KSC5402DTTU Fairchild Semiconductor KSC5402DTTU 0.4700
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ECAD 136 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 50W TO-220-3 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-KSC5402DTTU-600039 1 450V 2A 100μA NPN 750mV @ 200mA, 1A 6 @ 1A, 1V 11MHz
1N4151TR Fairchild Semiconductor 1N4151TR 0.0200
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ECAD 158 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 기준 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.10.0070 30,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 75V 1V @ 50mA 4ns 50nA @ 50V 175°C(최대) 150mA 2pF @ 0V, 1MHz
1N4739A-T50A Fairchild Semiconductor 1N4739A-T50A 0.0500
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ECAD 24 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AL, DO-41, 축방향 1W DO-204AL (DO-41) 다운로드 EAR99 8541.10.0050 6,411 7V에서 10μA 9.1V 5옴
FJP13007H1TU Fairchild Semiconductor FJP13007H1TU -
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ECAD 6327 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 80W TO-220-3 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-FJP13007H1TU-600039 1 400V 8A - NPN 3V @ 2A, 8A 15 @ 2A, 5V 4MHz
FLZ36VA Fairchild Semiconductor FLZ36VA 0.0200
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ECAD 51 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±3% -65°C ~ 175°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW SOD-80 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.10.0050 2,500 1.2V @ 200mA 133nA @ 27V 33V 63옴
SSR2N60BTF Fairchild Semiconductor SSR2N60BTF 0.1900
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ECAD 196 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252-3(DPAK) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 600V 1.8A(Tc) 10V 5옴 @ 900mA, 10V 4V @ 250μA 17nC @ 10V ±30V 490pF @ 25V - 2.5W(Ta), 44W(Tc)
ISL9N308AP3 Fairchild Semiconductor ISL9N308AP3 0.8100
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ECAD 3 0.00000000 비교차일드 UltraFET® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 30V 75A(Tc) 4.5V, 10V 8옴 @ 75A, 10V 3V @ 250μA 68nC @ 10V ±20V 2600pF @ 15V - 100W(Tc)
SFP9530 Fairchild Semiconductor SFP9530 -
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ECAD 5001 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 P채널 100V 10.5A(Tc) 300m옴 @ 5.3A, 10V 4V @ 250μA 38nC @ 10V ±30V 1035pF @ 25V - 66W(Tc)
HGTG20N60B3-FS Fairchild Semiconductor HGTG20N60B3-FS 3.5900
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ECAD 42 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 165W TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 1 - - 600V 40A 160A 2V @ 15V, 20A - 135nC -
FDP5645 Fairchild Semiconductor FDP5645 -
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ECAD 317 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 80A(타) 6V, 10V 9.5m옴 @ 40A, 10V 4V @ 250μA 107nC @ 10V ±20V 30V에서 4468pF - 125W(Tc)
FDI047AN08A0 Fairchild Semiconductor FDI047AN08A0 2.4900
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ECAD 787 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) I2PAK(TO-262) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 400 N채널 75V 80A(Tc) 6V, 10V 4.7m옴 @ 80A, 10V 4V @ 250μA 138nC @ 10V ±20V 25V에서 6600pF - 310W(Tc)
FDPF10N60ZUT Fairchild Semiconductor FDPF10N60ZUT 1.2200
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ECAD 1 0.00000000 비교차일드 UniFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220F-3 다운로드 EAR99 8542.39.0001 246 N채널 600V 9A(TC) 10V 800m옴 @ 4.5A, 10V 5V @ 250μA 40nC @ 10V ±30V 1980pF @ 25V - 42W(Tc)
KSB772YS Fairchild Semiconductor KSB772YS 0.2200
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ECAD 43 0.00000000 비교차일드 * 대부분 활동적인 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1,391
MBR2545CT Fairchild Semiconductor MBR2545CT -
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ECAD 2553 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 스루홀 TO-220-3 MBR2545 쇼트키 TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0080 214 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍씩 시작됩니다 45V 25A 820mV @ 25A 45V에서 200μA -65°C ~ 150°C
FDMS8020 Fairchild Semiconductor FDMS8020 1.0000
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ECAD 6840 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) 8-PQFN(5x6) 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 30V 26A(Ta), 42A(Tc) 4.5V, 10V 2.5m옴 @ 26A, 10V 3V @ 250μA 61nC @ 10V ±20V 3800pF @ 15V - 2.5W(Ta), 65W(Tc)
FDMS8027S Fairchild Semiconductor FDMS8027S 0.8700
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ECAD 18 0.00000000 비교차일드 PowerTrench®, SyncFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) 8-PQFN(5x6) 다운로드 EAR99 8542.39.0001 347 N채널 30V 18A(타), 22A(Tc) 4.5V, 10V 5m옴 @ 18A, 10V 3V @ 1mA 31nC @ 10V ±20V 15V에서 1815pF - 2.5W(Ta), 36W(Tc)
IRFR110ATM Fairchild Semiconductor IRFR110ATM 0.2500
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ECAD 5 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 100V 4.7A(타) 10V 400m옴 @ 2.35A, 10V 4V @ 250μA 12nC @ 10V ±20V 25V에서 240pF - 2.5W(Ta), 20W(Tc)
FNF50560TD1 Fairchild Semiconductor FNF50560TD1 7.1200
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ECAD 312 0.00000000 비교차일드 모션 SPM® 55 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 20-PowerDIP 모듈(1.220", 31.00mm) IGBT 다운로드 해당 없음 EAR99 8542.39.0001 78 3상 5A 600V 1500Vrms
BC548C Fairchild Semiconductor BC548C 0.0400
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ECAD 18 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 625mW TO-92 (TO-226) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 5,000 30V 100mA 15nA NPN 500μA, 10mA에서 250mV 420 @ 2mA, 5V 300MHz
BC850AMTF Fairchild Semiconductor BC850AMTF 0.0200
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ECAD 121 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC850 310mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 3,000 45V 100mA 15nA(ICBO) NPN 600mV @ 5mA, 100mA 110 @ 2mA, 5V 300MHz
FQA13N50CF Fairchild Semiconductor FQA13N50CF 1.0000
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ECAD 8834 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET(금속) TO-3PN 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 500V 15A(Tc) 10V 480m옴 @ 7.5A, 10V 4V @ 250μA 56nC @ 10V ±30V 2055pF @ 25V - 218W(Tc)
FGH20N60SFDTU-F085 Fairchild Semiconductor FGH20N60SFDTU-F085 -
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ECAD 4352 0.00000000 비교차일드 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 165W TO-247 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 400V, 20A, 10옴, 15V 40ns 필드스톱 600V 40A 60A 2.8V @ 15V, 20A 430μJ(켜짐), 130μJ(꺼짐) 66nC 13ns/90ns
FQB3P20TM Fairchild Semiconductor FQB3P20TM 0.4100
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ECAD 3 0.00000000 비교차일드 QFET® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 800 P채널 200V 2.8A(Tc) 10V 2.7옴 @ 1.4A, 10V 5V @ 250μA 8nC @ 10V ±30V 25V에서 250pF - 3.13W(Ta), 52W(Tc)
FDD8870 Fairchild Semiconductor FDD8870 1.0000
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ECAD 5773 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 0000.00.0000 1 N채널 30V 21A(타), 160A(Tc) 4.5V, 10V 3.9m옴 @ 35A, 10V 2.5V @ 250μA 118nC @ 10V ±20V 15V에서 5160pF - 160W(Tc)
FKPF8N80 Fairchild Semiconductor FKPF8N80 0.7000
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ECAD 1 0.00000000 비교차일드 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 - 스루홀 TO-220-3 풀팩 TO-220F-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.30.0080 50 하나의 50mA 기준 800V 8A 1.5V 80A, 88A 30mA
FFB2222A Fairchild Semiconductor FFB2222A 1.0000
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ECAD 9966 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 FFB22 300mW SC-88 (SC-70-6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 3,000 40V 500mA 10nA(ICBO) 2 NPN(이중) 1V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 300MHz
1N4745ATR Fairchild Semiconductor 1N4745ATR 0.0300
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ECAD 16 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AL, DO-41, 축방향 1N4745 1W DO-41 다운로드 EAR99 8541.10.0050 10,193 12.2V에서 5μA 16V 16옴
HGT1S7N60C3D Fairchild Semiconductor HGT1S7N60C3D 0.9800
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ECAD 3 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA 기준 60W I2PAK(TO-262) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 - 25ns - 600V 14A 56A 2V @ 15V, 7A - 38nC -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고