| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 에 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 전력 - 출력 | 얻다 | 현재의 | 전압 | 전압 - 절연 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 모델 지수 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 전압 - 출력(V(BR)GSS) | - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) | 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 저항 - RDS(켜짐) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 모듈러 전력 에너지 충전 전압(Qg)(최대) @ Vgs | 입력 커패시턴스(Ciss)에 입력된 전압(최대) @ Vds |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDS6900S | 0.5300 | ![]() | 296 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | FDS69 | MOSFET(금속) | 900mW(타) | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 N채널(듀얼) | 30V | 6.9A(타), 8.2A(타) | 30m옴 @ 6.9A, 10V, 22m옴 @ 8.2A, 10V | 3V @ 250μA, 3V @ 1mA | 11nC @ 5V, 17nC @ 5V | 771pF @ 15V, 1238pF @ 15V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FSB50550U | 6.9400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | SPM® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | 23-PowerDIP 모듈(0.551", 14.00mm) | MOSFET | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8542.39.0001 | 15 | 3상 | 2A | 500V | 1500Vrms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KST92MTF | - | ![]() | 7917 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | KST92 | 250mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 2,000 | 300V | 500mA | 250nA(ICBO) | PNP | 500mV @ 2mA, 20mA | 25 @ 30mA, 10V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPF6N60ZUT | 0.6800 | ![]() | 450 | 0.00000000 | 비교차일드 | UniFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 450 | N채널 | 600V | 4.5A(Tc) | 10V | 2옴 @ 2.25A, 10V | 5V @ 250μA | 20nC @ 10V | ±30V | 25V에서 865pF | - | 33.8W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N968BTR | 0.0400 | ![]() | 35 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 500mW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 15.2V에서 5μA | 20V | 25옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA733CYTA | - | ![]() | 1594년 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | KSA733 | 250mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 9,616 | 50V | 150mA | 100nA(ICBO) | PNP | 300mV @ 10mA, 100mA | 120@1mA, 6V | 180MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF3N80CYDTU | 0.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 아름다운 리드 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 (Y-형) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 800V | 3A(TC) | 10V | 4.8옴 @ 1.5A, 10V | 5V @ 250μA | 16.5nC @ 10V | ±30V | 25V에서 705pF | - | 39W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS520A | 0.3400 | ![]() | 2724 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 640 | N채널 | 100V | 7.2A(Tc) | 10V | 200m옴 @ 3.6A, 10V | 4V @ 250μA | 22nC @ 10V | ±20V | 25V에서 480pF | - | 28W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPF5N50NZU | 0.7800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | UniFET-II™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 500V | 3.9A(Tc) | 10V | 2옴 @ 1.95A, 10V | 5V @ 250μA | 12nC @ 10V | ±25V | 25V에서 485pF | - | 30W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSD914-FS | - | ![]() | 7169 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | SOD-123 | 기준 | SOD-123 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,078 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 100V | 1V @ 10mA | 4ns | 75V에서 5μA | -55°C ~ 150°C | 200mA | 4pF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMA8051L | - | ![]() | 8873 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-WDFN옆패드 | MOSFET(금속) | 6-MicroFET(2x2) | - | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 40V | 10A(TC) | 4.5V, 10V | 14m옴 @ 10A, 10V | 3V @ 250μA | 20nC @ 10V | ±20V | 1260pF @ 20V | - | 2.4W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KST63MTF | - | ![]() | 1399 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30V | 500mA | 100nA(ICBO) | PNP-달링턴 | 1.5V @ 100μA, 100mA | 10000 @ 100mA, 5V | 125MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS351N | - | ![]() | 6227 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | NDS351 | MOSFET(금속) | 슈퍼SOT-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | N채널 | 30V | 1.1A(타) | 4.5V, 10V | 160m옴 @ 1.4A, 10V | 2V @ 250μA | 3.5nC @ 5V | ±20V | 10V에서 140pF | - | 500mW(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBAS16DXV6T1G | 0.0900 | ![]() | 107 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-SBAS16DXV6T1G-600039 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,410 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP8N60C | 1.2200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 247 | N채널 | 7.5A(Tc) | 10V | 1.2옴 @ 3.75A, 10V | 4V @ 250μA | 36 | ±30V | 1255 | - | 147W(Tc) | 10 | 25 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF90N08 | 2.3700 | ![]() | 340 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-3PF | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | N채널 | 80V | 56A(티씨) | 10V | 16m옴 @ 28A, 10V | 4V @ 250μA | 110nC @ 10V | ±25V | 3250pF @ 25V | - | 100W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF244C | 0.3400 | ![]() | 33 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 450MHz | - | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | - | 25mA | - | - | 1.5dB | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJPF5321TU | 0.2000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | 40W | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,492 | 500V | 5A | 100μA(ICBO) | NPN | 1V @ 600mA, 3A | 15 @ 600mA, 5V | 14MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS9015ABU | 0.0200 | ![]() | 3817 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 450mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 2156-SS9015ABU-FS | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 45V | 100mA | 50nA(ICBO) | PNP | 700mV @ 5mA, 100mA | 60 @ 1mA, 5V | 190MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI17N08TU | 0.5100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | I2PAK(TO-262) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 80V | 16.5A(Tc) | 10V | 115m옴 @ 8.25A, 10V | 4V @ 250μA | 15nC @ 10V | ±25V | 25V에서 450pF | - | 3.13W(Ta), 65W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5400G | - | ![]() | 1476 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | DO-201AD, 축 | 1N5400 | 기준 | DO-201AD | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 50V | 980mV @ 3A | 500nA @ 50V | -55°C ~ 150°C | 3A | 30pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCI17N60 | - | ![]() | 7348 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | FCI17 | - | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS3616S | 0.8300 | ![]() | 65 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | 8파워TDFN | FDMS3616 | MOSFET(금속) | 1W | 8-PQFN(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 N채널(이중) 배열 | 25V | 16A, 18A | 6.6m옴 @ 16A, 10V | 2.5V @ 250μA | 27nC @ 10V | 1765pF @ 13V | 게임 레벨 레벨 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJP3307DH2TU | 0.1700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 80W | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 200 | 400V | 8A | - | NPN | 3V @ 2A, 8A | 26 @ 2A, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FYD0504SATM | - | ![]() | 5460 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | FYD05 | 쇼트키 | D-박 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 40V | 550mV @ 5A | 40V에서 1mA | -65°C ~ 150°C | 5A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDLL914 | 0.0300 | ![]() | 137 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 | 기준 | SOD-80 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 11,539 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 100V | 1V @ 10mA | 4ns | 75V에서 5μA | 175°C(최대) | 200mA | 4pF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS36 | 0.2300 | ![]() | 73 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | DO-214AB, SMC | 쇼트키 | SMC (DO-214AB) | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,436 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 60V | 750mV @ 3A | 60V에서 500μA | -55°C ~ 150°C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM3Z8V2C | 0.0300 | ![]() | 27 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | SC-90, SOD-323F | 200mW | SOD-323F | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,586 | 1V @ 10mA | 630nA @ 5V | 8.2V | 14옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J176_D74Z | 0.0700 | ![]() | 2241 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 350mW | TO-92-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0095 | 333 | P채널 | - | 30V | 2mA @ 15V | 1V @ 10nA | 250옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSD471AGTA | - | ![]() | 7357 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 800mW | TO-92-3 | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-KSD471AGTA-600039 | 1 | 30V | 1A | 100nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 100mA, 1A | 200 @ 100mA, 1V | 130MHz |

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