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불연속 불연속 제품 (5251)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
FJC1308RTF Fairchild Semiconductor fjc1308rtf 0.0700
RFQ
 ECAD 5963 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 500MW SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 2156-FJC1308RTF 귀 99 8541.21.0095 4,000 30 v 3 a 500NA PNP 450MV @ 150MA, 1.5A 180 @ 500ma, 2V -
SS9012HTA Fairchild Semiconductor SS9012HTA -
RFQ
 ECAD 2713 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,000 20 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 50ma, 500ma 144 @ 50MA, 1V -
FDD6796A Fairchild Semiconductor FDD6796A 0.5200
RFQ
 ECAD 749 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 750 n 채널 25 v 20A (TA), 40A (TC) 5.7mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1780 pf @ 13 v - 3.7W (TA), 42W (TC)
BC33716 Fairchild Semiconductor BC33716 0.0700
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 2,000 45 v 800 MA 100NA NPN 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1v 100MHz
KSP2907ATF Fairchild Semiconductor KSP2907ATF 0.0500
RFQ
 ECAD 99 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW To-92-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 6,138 60 v 600 MA 10NA (ICBO) PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
BD241BTU Fairchild Semiconductor BD241BTU 0.2500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 40 W. TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 80 v 3 a 300µA NPN 1.2v @ 600ma, 3a 25 @ 1a, 4v -
SI6463DQ Fairchild Semiconductor SI6463DQ 0.4600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 2,500 p 채널 20 v 8.8A (TA) 2.5V, 4.5V 12.5mohm @ 8.8a, 4.5v 1.5V @ 250µA 66 NC @ 4.5 v ± 12V 5045 pf @ 10 v - 600MW (TA)
RHRD460S9A Fairchild Semiconductor RHRD460S9A 0.4700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 눈사태 TO-252-3 (DPAK) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.1 V @ 4 a 35 ns 100 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 4a -
FDS7098N3 Fairchild Semiconductor FDS7098N3 0.5100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 14A (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 14a, 10V 3V @ 250µA 22 nc @ 5 v ± 20V 1587 pf @ 15 v - 3W (TA)
BZX79C7V5 Fairchild Semiconductor BZX79C7V5 0.0200
RFQ
 ECAD 405 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.5 v @ 100 ma 1 µa @ 5 v 7.5 v 15 옴
TIP106 Fairchild Semiconductor 팁 106 0.2700
RFQ
 ECAD 8150 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 80 W. TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 890 80 v 8 a 50µA pnp- 달링턴 2.5V @ 80MA, 8A 1000 @ 3A, 4V 4MHz
BC549CBU Fairchild Semiconductor BC549CBU 0.0200
RFQ
 ECAD 4528 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 10,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 300MHz
FFPF04H60STU Fairchild Semiconductor FFPF04H60STU 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 기준 TO-220F-2L 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.1 V @ 4 a 45 ns 100 µa @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 4a -
KSR1004BU Fairchild Semiconductor KSR1004BU 0.0700
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSR1004 300MW To-92-3 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-KSR1004BU 귀 99 8541.21.0095 1 50 v 100 MA 100NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
1N5254B Fairchild Semiconductor 1N5254B 3.7600
RFQ
 ECAD 140 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0050 80 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 21 v 27 v 41 옴
GBU4J Fairchild Semiconductor GBU4J 0.8400
RFQ
 ECAD 360 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에시, GBU 기준 GBU 다운로드 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 4 a 5 µa @ 600 v 2.8 a 단일 단일 600 v
FDP023N08B Fairchild Semiconductor FDP023N08B 2.1300
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 FDP023 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 -
FLZ6V2A Fairchild Semiconductor flz6v2a 0.0200
RFQ
 ECAD 6234 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 11,324 1.2 v @ 200 ma 3.3 µa @ 3 v 5.9 v 8.5 옴
FQA8N90C Fairchild Semiconductor fqa8n90c 1.8100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 900 v 8A (TC) 10V 1.9ohm @ 4a, 10V 5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 30V 2080 pf @ 25 v - 240W (TC)
S310 Fairchild Semiconductor S310 0.3400
RFQ
 ECAD 378 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky SMC (DO-214AB) 다운로드 귀 99 8541.10.0080 948 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 3 a 500 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
FQI4N20TU Fairchild Semiconductor fqi4n20tu 0.3100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 3.6A (TC) 10V 1.4ohm @ 1.8a, 10V 5V @ 250µA 6.5 NC @ 10 v ± 30V 220 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 45W (TC)
KSA1242OTU Fairchild Semiconductor KSA1242OTU 0.1800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA 10 W. i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0075 5,040 20 v 5 a 100µA (ICBO) PNP 1V @ 100MA, 4A 100 @ 500ma, 2v 180MHz
FQI17P10TU Fairchild Semiconductor fqi17p10tu 0.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 100 v 16.5A (TC) 10V 190mohm @ 8.25a, ​​10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 100W (TC)
FQI11P06TU Fairchild Semiconductor fqi11p06tu 0.3700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 60 v 11.4A (TC) 10V 175mohm @ 5.7a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 25V 550 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 53W (TC)
BCX70G Fairchild Semiconductor BCX70G -
RFQ
 ECAD 4855 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX70 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 3,000 45 v 200 MA 20NA NPN 550MV @ 1.25ma, 50ma 120 @ 2MA, 5V 125MHz
FCI25N60N-F102 Fairchild Semiconductor FCI25N60N-F102 -
RFQ
 ECAD 8999 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Supremos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 125mohm @ 12.5a, 10V 4V @ 250µA 74 NC @ 10 v ± 30V 3352 pf @ 100 v - 216W (TC)
FQPF13N50CSDTU Fairchild Semiconductor FQPF13N50CSDTU 0.9600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF1 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 500 v 13A (TC) 10V 480mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 30V 2055 PF @ 25 v - 48W (TC)
TIP110 Fairchild Semiconductor TIP110 1.0000
RFQ
 ECAD 9843 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TO-220-3 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 60 v 2MA npn-달링턴 2.5V @ 8MA, 2A 1000 @ 1a, 4v 25MHz
KSC5305DFTTU-FS Fairchild Semiconductor KSC5305DFTTU-FS 0.5100
RFQ
 ECAD 9836 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 KSC5305 TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 1 10µA (ICBO) NPN 500mv @ 400ma, 2a 8 @ 2a, 1v -
FDFS6N303 Fairchild Semiconductor FDFS6N303 0.2900
RFQ
 ECAD 86 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,500 n 채널 30 v 6A (TA) 4.5V, 10V 35mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 15 v Schottky 분리 (다이오드) 900MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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