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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
FQP5N60C Fairchild Semiconductor FQP5N60C 0.7200
RFQ
ECAD 74 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 귀 99 8541.29.0095 417 n 채널 600 v 4.5A (TC) 10V 2.5ohm @ 2.25a, ​​10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 30V 670 pf @ 25 v - 100W (TC)
HUFA76413D3ST Fairchild Semiconductor hufa76413d3st 0.2800
RFQ
ECAD 12 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 20A (TC) 4.5V, 10V 49mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 16V 645 pf @ 25 v - 60W (TC)
KST4126MTF Fairchild Semiconductor KST4126MTF 0.0200
RFQ
ECAD 89 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 3,000 25 v 200 MA 50NA (ICBO) PNP 400mv @ 5ma, 50ma 120 @ 2MA, 1V 250MHz
FSB50250 Fairchild Semiconductor FSB50250 8.1300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 spm® 5 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 23-powerdip ip (0.551 ", 14.00mm) MOSFET 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 3 상 인버터 1 a 500 v 1500VRMS
SFR2955TM Fairchild Semiconductor SFR2955TM 0.1900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-3 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 7.6A (TC) 10V 300mohm @ 3.8a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 600 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 32W (TC)
FDMC0208 Fairchild Semiconductor FDMC0208 0.2500
RFQ
ECAD 12 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 FDMC02 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 3,000 -
FDS3601 Fairchild Semiconductor FDS3601 0.3700
RFQ
ECAD 49 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS36 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 100V 1.3a 480mohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 5NC @ 10V 153pf @ 50v 논리 논리 게이트
HUF75842S3 Fairchild Semiconductor HUF75842S3 1.5000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 HUF75842 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 -
ISL9V3040D3ST-R4940 Fairchild Semiconductor ISL9V3040D3ST-R4940 1.0000
RFQ
ECAD 5008 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 5,000
IRFS630A Fairchild Semiconductor IRFS630A 0.4400
RFQ
ECAD 55 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 6.5A (TC) 10V 400mohm @ 3.25a, ​​10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 30V 650 pf @ 25 v - 38W (TC)
2SA1507T Fairchild Semiconductor 2SA1507T 0.3200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 1.5 w TO-225-3 다운로드 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0075 200 160 v 1.5 a 1µA (ICBO) PNP 450MV @ 50MA, 500MA 200 @ 100ma, 5V 120MHz
1N6012B Fairchild Semiconductor 1N6012B 1.8400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 163 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 25 v 33 v 88 옴
2SA1708T-AN Fairchild Semiconductor 2SA1708T-An -
RFQ
ECAD 8379 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-71 1 W. 3-nmp - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-2SA1708T-An-600039 1 100 v 1 a 100NA PNP 600mv @ 40ma, 400ma 200 @ 100ma, 5V 120MHz
BD17510STU Fairchild Semiconductor BD17510STU -
RFQ
ECAD 3315 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 30 w TO-126-3 다운로드 귀 99 8541.29.0095 553 45 v 3 a 100µA (ICBO) NPN 800mv @ 100ma, 1a 63 @ 150ma, 2V 3MHz
1N5228BTR Fairchild Semiconductor 1N5228btr 0.0200
RFQ
ECAD 29 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5228 500MW DO-35 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 3.9 v 23 옴
KSA643CYTA Fairchild Semiconductor KSA643CYTA 0.0400
RFQ
ECAD 6054 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 1,850 20 v 500 MA 200NA (ICBO) PNP 400mv @ 50ma, 500ma 120 @ 100MA, 1V -
MM3Z20VC Fairchild Semiconductor MM3Z20VC 0.0300
RFQ
ECAD 55 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F 200 MW SOD-323F 다운로드 귀 99 8541.10.0050 11,539 1 V @ 10 ma 45 na @ 14 v 20 v 51 옴
BAS16 Fairchild Semiconductor BAS16 0.0300
RFQ
ECAD 15 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS16 기준 SC-59-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 75 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 100 na @ 80 v 150 ° C (°) 215MA 1.2pf @ 0v, 1MHz
FDA8440 Fairchild Semiconductor FDA8440 3.9800
RFQ
ECAD 7543 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 40 v 30A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 2.1mohm @ 80a, 10V 3V @ 250µA 450 NC @ 10 v ± 20V 24740 pf @ 25 v - 306W (TC)
FQP19N20L Fairchild Semiconductor FQP19N20L -
RFQ
ECAD 3815 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 21A (TC) 5V, 10V 140mohm @ 10.5a, 10V 2V @ 250µA 35 NC @ 5 v ± 20V 2200 pf @ 25 v - 140W (TC)
ES2C Fairchild Semiconductor ES2C -
RFQ
ECAD 4914 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 SMB (DO-214AA) 다운로드 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 900 mV @ 2 a 20 ns 5 µa @ 150 v -50 ° C ~ 150 ° C 2A -
FDD6692 Fairchild Semiconductor FDD6692 0.5500
RFQ
ECAD 66 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 54A (TA) 4.5V, 10V 12MOHM @ 14A, 10V 3V @ 250µA 25 nc @ 5 v ± 16V 2164 pf @ 15 v - 1.6W (TA)
BAW76 Fairchild Semiconductor BAW76 1.0000
RFQ
ECAD 7262 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BAW76 기준 DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 75 v 1 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 50 v 175 ° C (°) 300ma 2pf @ 0V, 1MHz
KSC2331YBU Fairchild Semiconductor KSC2331YBU 0.0500
RFQ
ECAD 236 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 1 W. To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0075 6,662 60 v 700 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 120 @ 50MA, 2V 50MHz
2N5550TFR Fairchild Semiconductor 2N5550TFR 0.0400
RFQ
ECAD 76 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW To-92-3 다운로드 귀 99 8541.21.0075 7,416 140 v 600 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 5ma, 50ma 60 @ 10ma, 5V 300MHz
FDH210N08 Fairchild Semiconductor FDH210N08 -
RFQ
ECAD 5855 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 75 v - 10V - - ± 20V - 462W (TC)
1N4732A Fairchild Semiconductor 1N4732A 0.0300
RFQ
ECAD 101 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.10.0050 9,779
PN200RM Fairchild Semiconductor PN200RM -
RFQ
ECAD 1823 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 2,000 45 v 500 MA 50NA PNP 400mv @ 20ma, 200ma 100 @ 150ma, 1V 250MHz
BAS21HT1G Fairchild Semiconductor BAS21HT1G -
RFQ
ECAD 4608 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 BAS21 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-BAS21HT1G-600039 귀 99 8541.10.0070 1
MM5Z16V Fairchild Semiconductor MM5Z16V 0.0900
RFQ
ECAD 9 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523F 200 MW SOD-523F - 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-MM5Z16V-600039 1 50 NA @ 11.2 v 16 v 40
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고