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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
KSH29CTF Fairchild Semiconductor KSH29CTF -
RFQ
 ECAD 2532 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 KSH29 1.56 w D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 2,000 100 v 1 a 50µA NPN 700mv @ 125ma, 1a 15 @ 1a, 4v 3MHz
ISL9N2357D3ST Fairchild Semiconductor ISL9N2357D3ST 1.0200
RFQ
 ECAD 87 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-3 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 35A (TC) 10V 7mohm @ 35a, 10V 4V @ 250µA 258 NC @ 20 v ± 20V 5600 pf @ 25 v - 100W (TC)
FQB12N60TM Fairchild Semiconductor FQB12N60TM 1.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 217 n 채널 600 v 10.5A (TC) 10V 700mohm @ 5.3a, 10V 5V @ 250µA 54 NC @ 10 v ± 30V 1900 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 180W (TC)
BC857BMTF Fairchild Semiconductor BC857BMTF 0.0200
RFQ
 ECAD 6711 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 310 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 10,592 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 200 @ 2mA, 5V 150MHz
ISL9N302AP3 Fairchild Semiconductor ISL9N302AP3 1.1800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 30 v 75A (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 75a, 10V 3V @ 250µA 300 NC @ 10 v ± 20V 11000 pf @ 15 v - 345W (TC)
HUFA75333G3 Fairchild Semiconductor HUFA75333G3 0.9800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 55 v 66A (TC) 10V 16mohm @ 66a, 10V 4V @ 250µA 85 NC @ 20 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 150W (TC)
MPS6521D26Z Fairchild Semiconductor MPS6521D26Z 0.0500
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 MPS6521 625 MW To-92-3 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 2,000 25 v 100 MA 50NA (ICBO) NPN 500mv @ 5ma, 50ma 300 @ 2MA, 10V -
FDP2614 Fairchild Semiconductor FDP2614 -
RFQ
 ECAD 2460 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-FDP2614 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 62A (TC) 10V 27mohm @ 31a, 10V 5V @ 250µA 99 NC @ 10 v ± 30V 7230 pf @ 25 v - 260W (TC)
FLZ33VB Fairchild Semiconductor FLZ33VB 0.0200
RFQ
 ECAD 68 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.2 v @ 200 ma 133 NA @ 25 v 31.1 v 55 옴
FSBCW30 Fairchild Semiconductor FSBCW30 1.0000
RFQ
 ECAD 5927 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 500MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 32 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 300MV @ 500µA, 10MA 215 @ 2MA, 5V -
BZX55C15 Fairchild Semiconductor BZX55C15 0.0600
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.3 v @ 100 ma 100 na @ 11 v 15 v 30 옴
1N4744A-T50R Fairchild Semiconductor 1N4744A-T50R 0.0500
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4744 1 W. DO-41 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 5 µa @ 11.4 v 15 v 14 옴
FDMC0208 Fairchild Semiconductor FDMC0208 0.2500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 FDMC02 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 3,000 -
FDS3601 Fairchild Semiconductor FDS3601 0.3700
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS36 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 100V 1.3a 480mohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 5NC @ 10V 153pf @ 50v 논리 논리 게이트
BAW76 Fairchild Semiconductor BAW76 1.0000
RFQ
 ECAD 7262 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BAW76 기준 DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 75 v 1 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 50 v 175 ° C (°) 300ma 2pf @ 0V, 1MHz
FDA8440 Fairchild Semiconductor FDA8440 3.9800
RFQ
 ECAD 7543 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 40 v 30A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 2.1mohm @ 80a, 10V 3V @ 250µA 450 NC @ 10 v ± 20V 24740 pf @ 25 v - 306W (TC)
MM3Z20VC Fairchild Semiconductor MM3Z20VC 0.0300
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F 200 MW SOD-323F 다운로드 귀 99 8541.10.0050 11,539 1 V @ 10 ma 45 na @ 14 v 20 v 51 옴
KSC2331YBU Fairchild Semiconductor KSC2331YBU 0.0500
RFQ
 ECAD 236 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 1 W. To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0075 6,662 60 v 700 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 120 @ 50MA, 2V 50MHz
FLZ6V2A Fairchild Semiconductor flz6v2a 0.0200
RFQ
 ECAD 6234 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 11,324 1.2 v @ 200 ma 3.3 µa @ 3 v 5.9 v 8.5 옴
BAS16 Fairchild Semiconductor BAS16 0.0300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS16 기준 SC-59-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 75 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 100 na @ 80 v 150 ° C (°) 215MA 1.2pf @ 0v, 1MHz
S310 Fairchild Semiconductor S310 0.3400
RFQ
 ECAD 378 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky SMC (DO-214AB) 다운로드 귀 99 8541.10.0080 948 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 3 a 500 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
KSP10TA Fairchild Semiconductor KSP10TA 0.0400
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 350MW To-92-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 7,036 - 25V - NPN 60 @ 4ma, 10V 650MHz -
HGTG30N60B3_NL Fairchild Semiconductor HGTG30N60B3_NL 6.0400
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 208 w TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 51 480V, 60A, 3OHM, 15V NPT 600 v 60 a 220 a 1.9V @ 15V, 30A 550µJ (on), 680µJ (OFF) 250 NC 36ns/137ns
KSA643CYTA Fairchild Semiconductor KSA643CYTA 0.0400
RFQ
 ECAD 6054 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 1,850 20 v 500 MA 200NA (ICBO) PNP 400mv @ 50ma, 500ma 120 @ 100MA, 1V -
RF1S70N06SM9A Fairchild Semiconductor RF1S70N06SM9A 2.2700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 PSPICE® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 70A (TC) 10V 14mohm @ 70a, 10V 4V @ 250µA 215 NC @ 20 v ± 20V 3000 pf @ 25 v - 150W (TC)
FJY4008R Fairchild Semiconductor fjy4008r 0.0200
RFQ
 ECAD 8624 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 SC-89, SOT-490 fjy400 200 MW SOT-523F 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 200MHz 47 Kohms 22 KOHMS
BD17510STU Fairchild Semiconductor BD17510STU -
RFQ
 ECAD 3315 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 30 w TO-126-3 다운로드 귀 99 8541.29.0095 553 45 v 3 a 100µA (ICBO) NPN 800mv @ 100ma, 1a 63 @ 150ma, 2V 3MHz
1N4154 Fairchild Semiconductor 1N4154 1.2700
RFQ
 ECAD 218 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 기준 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0070 237 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 35 v 1 V @ 30 ma 4 ns 100 na @ 25 v 175 ° C (°) 100ma 4pf @ 0V, 1MHz
ISL9N322AP3 Fairchild Semiconductor ISL9N322AP3 0.2400
RFQ
 ECAD 156 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 22mohm @ 35a, 10V 3V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V 970 pf @ 15 v - 50W (TA)
FDPF680N10T Fairchild Semiconductor FDPF680N10T 0.6200
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 481 n 채널 100 v 12A (TC) 10V 68mohm @ 6a, 10V 4.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 1000 pf @ 50 v - 24W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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