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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
BC32725 Fairchild Semiconductor BC32725 0.0600
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 2,000 45 v 800 MA 100NA PNP 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
FCP099N60E Fairchild Semiconductor FCP099N60E -
RFQ
 ECAD 4506 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Superfet® II 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 37A (TC) 10V 99mohm @ 18.5a, 10V 3.5V @ 250µA 114 NC @ 10 v ± 20V 3465 pf @ 380 v - 357W (TC)
KSC2328AOTA Fairchild Semiconductor KSC2328AOTA 0.0800
RFQ
 ECAD 2998 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) 1 W. To-92-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 574 30 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 2V @ 30MA, 1.5A 100 @ 500ma, 2v 120MHz
NDS336P Fairchild Semiconductor NDS336P -
RFQ
 ECAD 8885 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 1.2A (TA) 2.7V, 4.5V 200mohm @ 1.3a, 4.5v 1V @ 250µA 8.5 NC @ 4.5 v ± 8V 360 pf @ 10 v - 500MW (TA)
FFB20U60STM Fairchild Semiconductor FFB20U60STM 0.2700
RFQ
 ECAD 4634 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0080 5 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.2 V @ 20 a 90 ns 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 20A -
HUF76143S3 Fairchild Semiconductor HUF76143S3 0.7500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1
HUF76629D3STR4885 Fairchild Semiconductor HUF76629D3STR4885 0.3400
RFQ
 ECAD 6775 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 귀 99 8541.29.0095 225 n 채널 100 v 20A (TC) 4.5V, 10V 52MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 16V 1285 pf @ 25 v - 150W (TJ)
BCX70K Fairchild Semiconductor BCX70K -
RFQ
 ECAD 9201 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 225 MW SOT-23-3 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-BCX70K-600039 1 45 v 200 MA 20NA NPN 550MV @ 1.25ma, 50ma 380 @ 2MA, 5V 125MHz
FLZ36VC Fairchild Semiconductor FLZ36VC 0.0200
RFQ
 ECAD 9474 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 4,513 1.2 v @ 200 ma 133 NA @ 27 v 34.3 v 63 옴
KSA812LMTF Fairchild Semiconductor KSA812LMTF 0.0600
RFQ
 ECAD 7500 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 150 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 4,527 50 v 100 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 300 @ 1ma, 6V 180MHz
1N459-T50R Fairchild Semiconductor 1N459-T50R 0.0200
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 기준 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 적용 적용 수 할 귀 99 8541.10.0070 10,000 짐 200 v 1 v @ 100 ma 25 na @ 175 v 175 ° C (°) 500ma 6pf @ 0V, 1MHz
2N5551BU Fairchild Semiconductor 2N5551BU -
RFQ
 ECAD 8798 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92-3 다운로드 귀 99 8541.21.0075 1 160 v 600 MA 50NA (ICBO) NPN 200mv @ 5ma, 50ma 80 @ 10ma, 5V 100MHz
MBRA3045NTU Fairchild Semiconductor mbra3045ntu -
RFQ
 ECAD 4216 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 Schottky to-3p 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0080 760 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 30A 800 mV @ 30 a 1 ma @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
IRFU214BTU Fairchild Semiconductor IRFU214BTU -
RFQ
 ECAD 2521 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 250 v 2.2A (TC) 10V 2ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 10.5 nc @ 10 v ± 30V 275 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
FDMC0202S Fairchild Semiconductor FDMC0202S 0.2300
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-pqfn (3.3x3.3) 다운로드 귀 99 8542.29.0095 1 n 채널 25 v 22.5A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 3.15mohm @ 22.5a, 10V 3V @ 1mA 44 NC @ 10 v ± 20V 2705 ​​pf @ 13 v - 2.3W (TA), 52W (TC)
NDS9956A Fairchild Semiconductor NDS9956A -
RFQ
 ECAD 4055 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 900MW (TA) 8-SOIC - 2156-NDS9956A 1 2 n 채널 30V 3.7A (TA) 80mohm @ 2.2a, 10V 2.8V @ 250µA 27NC @ 10V 320pf @ 10V 기준
FDFMJ2P023Z Fairchild Semiconductor FDFMJ2P023Z 0.3300
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-Wfdfn d 패드 패드 MOSFET (금속 (() SC-75,, 펫 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 2.9A (TA) 1.5V, 4.5V 112mohm @ 2.9a, 4.5v 1V @ 250µA 6.5 NC @ 4.5 v ± 8V 400 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.4W (TA)
1N5247BTR Fairchild Semiconductor 1N5247BTR 0.0200
RFQ
 ECAD 4891 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 13 v 17 v 19 옴
SMUN5215T1G Fairchild Semiconductor smun5215t1g 1.0000
RFQ
 ECAD 8891 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-SMUN5215T1G-600039 귀 99 8541.21.0095 1
BF721T1G Fairchild Semiconductor BF721T1G -
RFQ
 ECAD 2316 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1.5 w SOT-223 (TO-261) 다운로드 귀 99 8541.29.0075 1 300 v 50 MA 10NA (ICBO) PNP 800mv @ 5ma, 30ma 50 @ 25MA, 20V 60MHz
HGT1S3N60A4DS9A Fairchild Semiconductor HGT1S3N60A4DS9A 1.6600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 70 W. D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 390V, 3A, 50ohm, 15V 29 ns - 600 v 17 a 40 a 2.7V @ 15V, 3A 37µJ (on), 25µJ (OFF) 21 NC 6ns/73ns
KSC1393YTA Fairchild Semiconductor KSC1393YTA 0.0200
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 250MW To-92-3 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-KSC1393YTA 귀 99 8541.21.0095 1 24dB 30V 20MA NPN 90 @ 2MA, 10V 700MHz 2DB @ 200MHz
BD239BTU Fairchild Semiconductor BD239BTU 0.2600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BD239 30 w TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1,158 80 v 2 a 300µA NPN 700mv @ 200ma, 1a 15 @ 1a, 4v -
MJE170STU Fairchild Semiconductor MJE170STU -
RFQ
 ECAD 1115 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 MJE170 1.5 w TO-126-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 40 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 1.7V @ 600MA, 3A 50 @ 100MA, 1V 50MHz
KST3904LGEMTF Fairchild Semiconductor KST3904LGEMTF 0.0600
RFQ
 ECAD 236 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 5,323 40 v 200 MA - NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
2N3904TAR Fairchild Semiconductor 2N3904TAR -
RFQ
 ECAD 2085 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 40 v 200 MA 50NA NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
FFB2907A Fairchild Semiconductor FFB2907A 1.0000
RFQ
 ECAD 4248 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 FFB2907 300MW SC-88 (SC-70-6) 다운로드 귀 99 8541.21.0095 1 60V 600ma 20NA (ICBO) 2 PNP (() 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 250MHz
KSC838YTA Fairchild Semiconductor KSC838YTA 0.0200
RFQ
 ECAD 1999 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 250 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 1,751 30 v 30 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 1ma, 10ma 120 @ 2MA, 12V 250MHz
2N6517CTA Fairchild Semiconductor 2N6517CTA 1.0000
RFQ
 ECAD 3450 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW To-92-3 - 0000.00.0000 1 400 v 500 MA 50NA (ICBO) NPN 1V @ 5MA, 50MA 20 @ 50MA, 10V 200MHz
FDP13AN06A0_NL Fairchild Semiconductor FDP13AN06A0_NL -
RFQ
 ECAD 4876 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 10.9A (TA), 62A (TC) 6V, 10V 13.5mohm @ 62a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 1350 pf @ 25 v - 115W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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