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영상 | 제품 번호 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 가능한 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 상태 | 용인 | 작동 온도 | 장착 유형 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 제품 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 업체 장치 패키지 | 데이터 시트 | ROHS 상태 | 수분 감도 수준 (MSL) | 상태에 도달하십시오 | ECCN | HTSUS | 표준 패키지 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 현재의 | 전압 | 전압 - 분리 | 소스 전압 (VDS)으로 배수 | 전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 ° C | 구동 전압 (최대 RDS 켜짐, 최소 RDS) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 충전 (QG) (Max) @ Vgs | VGS (Max) | 입력 커패시턴스 (CISS) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 소실 (최대) | 전압 -DC 리버스 (VR) (최대) | 전압 - 전방 (vf) (max) @ if | 전류 - 리버스 누출 @ vr | 현재 - 평균 정류 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 - 수집기 이미 터 고장 (최대) | Current -Collector (IC) (Max) | 현재 - 수집기 컷오프 (최대) | 전압 - Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (최대) (ZZT) | 트랜지스터 유형 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, VCE | 주파수 - 전환 |
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![]() | KSC945CGBU | 0.0200 | ![]() | 257 | 0.00000000 | 페어차일드 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 통해 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 250 MW | To-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 50 v | 150 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 10ma, 100ma | 200 @ 1ma, 6v | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fqpf9n25crdtu | 0.4700 | ![]() | 42 | 0.00000000 | 페어차일드 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | fqpf9n | - | - | 적용 할 수 없습니다 | 1 (무제한) | 공급 업체는 정의되지 않았습니다 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF19N20T | 0.6300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 페어차일드 반도체 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 통해 | TO-220-3 풀 팩 | FQPF1 | MOSFET (금속 산화물) | TO-220F | - | 적용 할 수 없습니다 | 1 (무제한) | 공급 업체는 정의되지 않았습니다 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 100 v | 11.8A (TC) | 10V | 150mohm @ 5.9a, 10V | 5V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 30V | 1600 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | NZT6729 | 1.0000 | ![]() | 6805 | 0.00000000 | 페어차일드 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 마운트 | TO-261-4, TO-261AA | NZT67 | 1 W. | SOT-223-4 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 4,000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 10ma, 250ma | 50 @ 250ma, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||
MMSZ5236B | 0.0200 | ![]() | 134 | 0.00000000 | 페어차일드 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | - | 표면 마운트 | SOD-123 | MMSZ52 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 3 µa @ 6 v | 7.5 v | 5 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z36V | 1.0000 | ![]() | 9820 | 0.00000000 | 페어차일드 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 마운트 | SC-79, SOD-523F | MM5Z3 | 200 MW | SOD-523F | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 50 na @ 25.2 v | 36 v | 90 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDT434P | 1.0000 | ![]() | 3191 | 0.00000000 | 페어차일드 반도체 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 마운트 | TO-261-4, TO-261AA | FDT43 | MOSFET (금속 산화물) | SOT-223-4 | - | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 4,000 | P 채널 | 20 v | 6A (TA) | 2.5V, 4.5V | 50mohm @ 6a, 4.5v | 1V @ 250µA | 19 NC @ 4.5 v | ± 8V | 1187 pf @ 10 v | - | 3W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FDPC1012S | 0.4300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 페어차일드 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 마운트 | 8-powerwdfn | FDPC1 | MOSFET (금속 산화물) | 800MW (TA), 900MW (TA) | 파워 클립 -33 | 다운로드 | 적용 할 수 없습니다 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 428 | 2 N 채널 (듀얼) 비대칭 | 25V | 13A (TA), 35A (TC), 26A (TA), 88A (TC) | 7mohm @ 12a, 4.5v, 2.2mohm @ 23a, 4.5v | 2.2v @ 250µa, 2.2v @ 1ma | 8nc @ 4.5v, 25nc @ 4.5v | 1075pf @ 13v, 3456pf @ 13v | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FDZ197PZ | 0.2300 | ![]() | 29 | 0.00000000 | 페어차일드 반도체 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 마운트 | 6-UFBGA, WLCSP | FDZ19 | MOSFET (금속 산화물) | 6-WLCSP (1.0x1.5) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 5,000 | P 채널 | 20 v | 3.8A (TA) | 1.5V, 4.5V | 64mohm @ 2a, 4.5v | 1V @ 250µA | 25 nc @ 4.5 v | ± 8V | 1570 pf @ 10 v | - | 1.9W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C27 | 0.0200 | ![]() | 91 | 0.00000000 | 페어차일드 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 마운트 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 50 NA @ 18.9 v | 27 v | 80 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5253B | 1.0000 | ![]() | 1744 | 0.00000000 | 페어차일드 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 마운트 | SOD-123 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 19 v | 25 v | 35 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSP2222ATF | 1.0000 | ![]() | 8252 | 0.00000000 | 페어차일드 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 통해 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | KSP22 | 625 MW | To-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 2,000 | 40 v | 600 MA | 10NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10MV | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC80840MTF | 1.0000 | ![]() | 9964 | 0.00000000 | 페어차일드 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 마운트 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC808 | 310 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 25 v | 800 MA | 100NA | PNP | 700mv @ 50ma, 500ma | 250 @ 100MA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C5V6 | 0.0300 | ![]() | 42 | 0.00000000 | 페어차일드 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | - | 구멍을 통해 | DO-204AL, DO-41, 축 방향 | BZX85C5 | 1.3 w | DO-41G | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 2 v | 5.6 v | 7 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1S921TR | 0.0200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 페어차일드 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 통해 | DO-204AH, DO-35, 축 방향 | 1S92 | 기준 | DO-35 | - | 적용 할 수 없습니다 | 1 (무제한) | 공급 업체는 정의되지 않았습니다 | 0000.00.0000 | 5,000 | 작은 신호 =<200ma (io), 모든 속도 | 100 v | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 100 v | 200ma | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJPF19430TU | 0.7200 | ![]() | 952 | 0.00000000 | 페어차일드 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 할 수 없습니다 | 1 (무제한) | 공급 업체는 정의되지 않았습니다 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT4354 | - | ![]() | 1905 | 0.00000000 | 페어차일드 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 마운트 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 375 | 60 v | 800 MA | 50NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50ma, 500ma | 50 @ 10ma, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fdg330p | 0.3400 | ![]() | 219 | 0.00000000 | 페어차일드 반도체 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 마운트 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET (금속 산화물) | SC-88 (SC-70-6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P 채널 | 12 v | 2A (TA) | 110mohm @ 2a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 7 NC @ 4.5 v | ± 8V | 477 pf @ 6 v | - | 480MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FPDB50PH60 | 39.0400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 페어차일드 반도체 | PFC SPM® 3 | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 통해 | 27-powerdip 모듈 (1.205 ", 30.60mm) | IGBT | FPDB50 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 단계 | 30 a | 600 v | 2500VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fcpf20n60st | - | ![]() | 1253 | 0.00000000 | 페어차일드 반도체 | Superfet ™ | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 통해 | TO-220-3 풀 팩 | FCPF20 | MOSFET (금속 산화물) | TO-220F | - | 적용 할 수 없습니다 | 1 (무제한) | 공급 업체는 정의되지 않았습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 20A (TC) | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD243BTU | 0.3700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 페어차일드 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 통해 | TO-220-3 | BD243 | 65 w | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 80 v | 6 a | 700µA | NPN | 1.5V @ 1A, 6A | 15 @ 3a, 4v | - | |||||||||||||||||||||||||||
MMSZ4689 | - | ![]() | 7427 | 0.00000000 | 페어차일드 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | - | 표면 마운트 | SOD-123 | MMSZ46 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 2 µa @ 3 v | 5.1 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5256B | 1.8600 | ![]() | 221 | 0.00000000 | 페어차일드 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 0.5% | - | 구멍을 통해 | DO-204AH, DO-35, 축 방향 | 1N5256 | 500MW | - | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 162 | 900 mv @ 200 ma | 100 na @ 23 v | 30 v | 49 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDI9406 | 1.8500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 페어차일드 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | FDI940 | - | - | 적용 할 수 없습니다 | 1 (무제한) | 공급 업체는 정의되지 않았습니다 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC0222 | 0.1400 | ![]() | 60 | 0.00000000 | 페어차일드 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | FDMC02 | - | - | 적용 할 수 없습니다 | 1 (무제한) | 공급 업체는 정의되지 않았습니다 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z2V4 | 1.0000 | ![]() | 1130 | 0.00000000 | 페어차일드 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 8.33% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 마운트 | SC-79, SOD-523 | 200 MW | SOD-523F | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 50 µa @ 1 v | 2.4 v | 100 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
MMSZ5245B | - | ![]() | 5050 | 0.00000000 | 페어차일드 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | - | 표면 마운트 | SOD-123 | MMSZ52 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 11 v | 15 v | 13 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCH6437-P-TL-E | - | ![]() | 6630 | 0.00000000 | 페어차일드 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 표면 마운트 | 6-SMD, 평평한 리드 | MCH64 | - | 6mcph | - | 적용 할 수 없습니다 | 1 (무제한) | 공급 업체는 정의되지 않았습니다 | 998 | - | 7A (TJ) | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | hufa75321d3stq | 0.2500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 페어차일드 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | HUFA75321 | - | - | 적용 할 수 없습니다 | 1 (무제한) | 공급 업체는 정의되지 않았습니다 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | hufa76409d3st | 0.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 페어차일드 반도체 | 자동차, AEC-Q101, Ultrafet ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 마운트 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | hufa76 | MOSFET (금속 산화물) | TO-252AA | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 18A (TC) | 4.5V, 10V | 63mohm @ 18a, 10V | 3V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 16V | 485 pf @ 25 v | - | 49W (TC) |
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