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디스크리트 반도체(5251)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 최대	공급업체 장치	데이터 시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	FET 종류	테스트 조건	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	커패시턴스 @ Vr, F	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	관리요금	Td(켜기/끄기) @ 25°C	다이오드	전압 - 역방향(최대)	- 컬렉터 컷오프(최대)	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환
FQP3N60	0.5900	보상요청	45	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	1,000			N채널		600V	3A(TC)	10V	3.6옴 @ 1.5A, 10V	5V @ 250μA	13nC @ 10V	±30V	25V에서 450pF	-	75W(Tc)
FFB20U60STM	0.2700	보상요청	4634	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우			표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			기준		D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.10.0080	5		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)													600V	2.2V @ 20A	90ns	600V에서 10μA	-65°C ~ 150°C	20A	-
FD6M045N06	6.1600	보상요청	1	비교차일드	파워-SPM™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-40°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	EPM15	FD6M045		MOSFET(금속)	-	EPM15	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	19	2 N채널(듀얼)				60V	60A		4.5m옴 @ 40A, 10V	4V @ 250μA	87nC @ 10V		3890pF @ 25V	-
FDMF6823	-	보상요청	1548년	비교차일드	*	대부분	활동적인										다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	공급자가 규정하지 않는 경우	2156-FDMF6823-600039			1
FQA10N80C	-	보상요청	6988	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3			MOSFET(금속)		TO-3P	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	1			N채널		800V	10A(TC)	10V	1.1옴 @ 5A, 10V	5V @ 250μA	58nC @ 10V	±30V	25V에서 2800pF	-	240W(Tc)
2N3391A	-	보상요청	8172	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				625mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	2,000																							25V	500mA								100nA(ICBO)			NPN	-	250 @ 2mA, 4.5V	-
HUF76129D3ST	0.5200	보상요청	42	비교차일드	UltraFET™	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252-3(DPAK)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	1			N채널		30V	20A(TC)	4.5V, 10V	16m옴 @ 20A, 10V	3V @ 250μA	46nC @ 10V	±20V	25V에서 1425pF	-	105W(Tc)
FDS8962C	1.0000	보상요청	8273	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	FDS89		MOSFET(금속)	900mW	8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	2,500	N 및 P 채널				30V	7A, 5A		30m옴 @ 7A, 10V	3V @ 250μA	26nC @ 10V		575pF @ 15V	게임 레벨 레벨
FDI9406	1.8500	보상요청	1	비교차일드	*	대부분	활동적인					FDI940		-			-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	1													-
FQAF19N60	2.6500	보상요청	681	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3 풀팩			MOSFET(금속)		TO-3PF	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	360			N채널		600V	11.2A(Tc)	10V	380m옴 @ 5.6A, 10V	5V @ 250μA	90nC @ 10V	±30V	3600pF @ 25V	-	120W(Tc)
FCH060N80-F155	1.0000	보상요청	3001	비교차일드	SuperFET® II	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3			MOSFET(금속)		TO-247-3	다운로드						0000.00.0000	1			N채널		800V	56A(티씨)	10V	60m옴 @ 29A, 10V	4.5V @ 5.8mA	350nC @ 10V	±20V	14685pF @ 100V	-	500W(Tc)
KSP2222A	-	보상요청	5922	비교차일드	*	대부분	활동적인										-	RoHS 비준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.21.0075	1
FDD3672-F085	-	보상요청	7875	비교차일드	자동차, AEC-Q101, UltraFET™	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252AA	다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-FDD3672-F085-600039			1			N채널		100V	44A(Tc)	6V, 10V	47m옴 @ 21A, 6V	4V @ 250μA	36nC @ 10V	±20V	25V에서 1635pF	-	144W(Tc)
FGA20S125P	-	보상요청	3102	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우			스루홀	TO-3P-3, SC-65-3	FGA20S125	기준		250W	TO-3PN	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	450				-																		트렌치 필드스톱	1250V	40A	60A	2.5V @ 15V, 20A	-	129nC	-
BCP68	0.0500	보상요청	125	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA				1.5W	SOT-223-4	-		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BCP68-600039			1																							20V	1A								10μA(ICBO)			NPN	500mV @ 100mA, 1A	85 @ 500mA, 1V	-
KBU6A	1.1100	보상요청	287	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	4-SIP, KBU			기준		KBU	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.10.0080	287																1V @ 6A		50V에서 10μA		6A										단상	50V
FDN304P	-	보상요청	6522	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			MOSFET(금속)		SOT-23-3	다운로드						0000.00.0000	1			P채널		20V	2.4A(타)	1.8V, 4.5V	52m옴 @ 2.4A, 4.5V	250μA에서 1.5V	20nC @ 4.5V	±8V	1312pF @ 10V	-	500mW(타)
PZTA64	0.1500	보상요청	76	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA				1W	SOT-223-4	다운로드					EAR99	8541.29.0075	1,994																							30V	1.2A								100nA(ICBO)			PNP-달링턴	1.5V @ 100μA, 100mA	20000 @ 100mA, 5V	125MHz
KSP8098TA	0.0200	보상요청	18	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록				625mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	2,000																							60V	500mA								100nA			NPN	300mV @ 10mA, 100mA	100 @ 1mA, 5V	150MHz
FDB86102LZ	0.8700	보상요청	11	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	345			N채널		100V	8.3A(Ta), 30A(Tc)	4.5V, 10V	24m옴 @ 8.3A, 10V	3V @ 250μA	21nC @ 10V	±20V	50V에서 1275pF	-	3.1W(타)
RGP10A	0.0600	보상요청	55	비교차일드	-	대부분	활동적인			스루홀	DO-204AL, DO-41, 축방향			기준		DO-41	다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	공급자가 규정하지 않는 경우	2156-RGP10A-600039			5,362		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)													50V	1.3V @ 1A	150ns	50V에서 5μA	-65°C ~ 175°C	1A	15pF @ 4V, 1MHz
3N258	0.5200	보상요청	1	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	4-SIP, KBPM			기준		KBPM	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.10.0080	30																1.1V @ 3.14A		800V에서 5μA		2A										단상	800V
2N6517CTA	1.0000	보상요청	3450	비교차일드	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록				625mW	TO-92-3	-						0000.00.0000	1																							400V	500mA								50nA(ICBO)			NPN	1V @ 5mA, 50mA	20 @ 50mA, 10V	200MHz
FJPF6806DTU	-	보상요청	7696	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩				40W	TO-220F-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	50																							750V	6A								1mA			NPN	5V @ 1A, 4A	4 @ 4A, 5V	-
TN6719A	-	보상요청	4174	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				1W	TO-226-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	1,500																							300V	200mA								100nA(ICBO)			NPN	750mV @ 3mA, 30mA	40 @ 30mA, 10V	-
FQD12N20TF	0.5300	보상요청	6346	비교차일드	QFET®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	5			N채널		200V	9A(TC)	10V	280m옴 @ 4.5A, 10V	5V @ 250μA	23nC @ 10V	±30V	25V에서 910pF	-	2.5W(Ta), 55W(Tc)
HUFA75343G3	1.0200	보상요청	821	비교차일드	UltraFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-247-3			MOSFET(금속)		TO-247	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	150			N채널		55V	75A(Tc)	10V	9m옴 @ 75A, 10V	4V @ 250μA	205nC @ 20V	±20V	3000pF @ 25V	-	270W(Tc)
MMSZ5246B	1.0000	보상요청	8636	비교차일드	-	대부분	활동적인	±5%	150°C (TJ)	표면 실장	SOD-123				500mW	SOD-123	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	3,000																900mV @ 10mA		100nA @ 12V															16V	17옴
FDLL300	0.2900	보상요청	436	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우			표면 실장	DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80			기준		SOD-80	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.10.0070	2,500		작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도													125V	1V @ 200mA		125V에서 1nA	175°C(최대)	200mA	6pF @ 0V, 1MHz
1N964B	2.0200	보상요청	18	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	±5%	-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향				500mW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.10.0050	149																		9.9V에서 5μA															13V	13옴

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(5251)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²