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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 저항 -rds (on) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
FQB2N50TM Fairchild Semiconductor FQB2N50TM 1.0000
RFQ
 ECAD 3880 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 2.1A (TC) 10V 5.3ohm @ 1.05a, 10V 5V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 30V 230 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 55W (TC)
FQPF9N30 Fairchild Semiconductor FQPF9N30 0.7500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 300 v 6A (TC) 10V 450mohm @ 3a, 10V 5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 30V 740 pf @ 25 v - 42W (TC)
SFS9Z34 Fairchild Semiconductor SFS9Z34 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 60 v 12A (TC) 10V 140mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 30V 1155 pf @ 25 v - 36W (TC)
FDFM2P110 Fairchild Semiconductor FDFM2P110 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 MOSFET (금속 (() 마이크로 3x3mm 다운로드 귀 99 8542.39.0001 825 p 채널 20 v 3.5A (TA) 2.5V, 4.5V 140mohm @ 3.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 4 NC @ 4.5 v ± 12V 280 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 2W (TA)
TIS74 Fairchild Semiconductor TIS74 -
RFQ
 ECAD 6012 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 350 MW To-92-3 - Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 18pf @ 10V (VGS) 30 v 20 ma @ 15 v 2 V @ 4 NA 40
FQD5N50TF Fairchild Semiconductor FQD5N50TF 0.5100
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 500 v 3.5A (TC) 10V 1.8ohm @ 1.75a, 10V 5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 610 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 50W (TC)
FDD24AN06LA0 Fairchild Semiconductor FDD24AN06LA0 1.1300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 7.1A (TA), 40A (TC) 5V, 10V 19mohm @ 40a, 10V 2V @ 250µA 21 NC @ 5 v ± 20V 1850 pf @ 25 v - 75W (TC)
FDMA7628 Fairchild Semiconductor FDMA7628 0.3100
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 MOSFET (금속 (() 6 x 2 (2x2) 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-FDMA7628-600039 1 n 채널 20 v 9.4A (TA) 1.5V, 4.5V 14.5mohm @ 9.4a, 4.5v 1V @ 250µA 17.5 nc @ 4.5 v ± 8V 1680 pf @ 10 v - 1.9W (TA)
RFD16N05SM Fairchild Semiconductor RFD16N05SM 0.6600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 50 v 16A (TC) 10V 47mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 80 nc @ 20 v ± 20V 900 pf @ 25 v - 72W (TC)
HUF75631P3 Fairchild Semiconductor HUF75631P3 1.1100
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 100 v 33A (TC) 10V 40mohm @ 33a, 10V 4V @ 250µA 79 NC @ 20 v ± 20V 1220 pf @ 25 v - 120W (TC)
FDMA530PZ Fairchild Semiconductor FDMA530PZ -
RFQ
 ECAD 5634 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 MOSFET (금속 (() 6 x 2 (2x2) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 418 p 채널 30 v 6.8A (TA) 4.5V, 10V 35mohm @ 6.8a, 10V 3V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 25V 1070 pf @ 15 v - 2.4W (TA)
FQU2N90TU Fairchild Semiconductor fqu2n90tu 0.4800
RFQ
 ECAD 332 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 5,040 n 채널 900 v 1.7A (TC) 10V 7.2ohm @ 850ma, 10V 5V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 30V 500 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 50W (TC)
FCPF380N60E Fairchild Semiconductor fcpf380n60e 1.0000
RFQ
 ECAD 3434 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Superfet® II 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 fcpf380 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 10.2A (TC) 10V 380mohm @ 5a, 10V 3.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1770 pf @ 25 v - 31W (TC)
1N4737ATR Fairchild Semiconductor 1N4737AT 0.0300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4737 1 W. DO-41 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1 10 µa @ 5 v 7.5 v 4 옴
FLZ6V8A Fairchild Semiconductor flz6v8a 0.0200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 15,000 1.2 v @ 200 ma 1.1 µa @ 3.5 v 6.5 v 6.6 옴
FDB13AN06A0 Fairchild Semiconductor FDB13AN06A0 -
RFQ
 ECAD 8081 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 0000.00.0000 1 n 채널 60 v 10.9A (TA), 62A (TC) 6V, 10V 13.5mohm @ 62a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 1350 pf @ 25 v - 115W (TC)
FQD13N10TM Fairchild Semiconductor FQD13N10TM 1.0000
RFQ
 ECAD 8426 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 100 v 10A (TC) 10V 180mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 25V 450 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 40W (TC)
FQP6N50C Fairchild Semiconductor FQP6N50C 0.7500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 5.5A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.8a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 30V 700 pf @ 25 v - 98W (TC)
KSB1116AGBU Fairchild Semiconductor KSB1116AGBU 0.0500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 750 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 10,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 50ma, 1a 200 @ 100ma, 2v 120MHz
HUF76432S3ST Fairchild Semiconductor HUF76432S3st 0.9300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 59A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 59a, 10V 3V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 16V 1765 pf @ 25 v - 130W (TC)
IRFR110ATM Fairchild Semiconductor IRFR110ATM 0.2500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 4.7A (TA) 10V 400mohm @ 2.35a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 240 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 20W (TC)
FCPF380N65FL1 Fairchild Semiconductor fcpf380n65fl1 -
RFQ
 ECAD 6833 0.00000000 페어차일드 페어차일드 FRFET®, SUPERFET® II 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 650 v 10.2A (TC) 10V 380mohm @ 5.1a, 10V 5V @ 1MA 43 NC @ 10 v ± 20V 1680 pf @ 100 v - 33W (TC)
FDZ206P Fairchild Semiconductor FDZ206P 0.5100
RFQ
 ECAD 369 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 30-WFBGA MOSFET (금속 (() 30-bga (4x3.5) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 20 v 13A (TA) 2.5V, 4.5V 9.5mohm @ 13a, 4.5v 1.5V @ 250µA 53 NC @ 4.5 v ± 12V 4280 pf @ 10 v - 2.2W (TA)
KSD1417TU Fairchild Semiconductor KSD1417TU -
RFQ
 ECAD 3788 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2 w TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 60 v 7 a 100µA (ICBO) npn-달링턴 2V @ 14MA, 7A 2000 @ 3a, 3v -
FDP100N10 Fairchild Semiconductor FDP100N10 1.8900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 159 n 채널 100 v 75A (TC) 10V 10mohm @ 75a, 10v 4.5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 7300 pf @ 25 v - 208W (TC)
FQI2N90TU Fairchild Semiconductor fqi2n90tu 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 2.2A (TC) 10V 7.2ohm @ 1.1a, 10V 5V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 30V 500 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 85W (TC)
FDMS8050ET30 Fairchild Semiconductor FDMS8050ET30 -
RFQ
 ECAD 3133 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 56 - 2156-FDMS8050ET30 1 n 채널 30 v 55A (TA), 423A (TC) 4.5V, 10V 0.65mohm @ 55a, 10V 3V @ 750µA 285 NC @ 10 v ± 20V 22610 pf @ 15 v - 3.3W (TA), 180W (TC)
FDZ193P Fairchild Semiconductor FDZ193P 0.2200
RFQ
 ECAD 779 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-UFBGA, WLCSP MOSFET (금속 (() 6-WLCSP (1x1.5) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 p 채널 20 v 3A (TA) 1.7V, 4.5V 90mohm @ 1a, 4.5v 1.5V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 12V 660 pf @ 10 v - 1.9W (TA)
MBR3045STG Fairchild Semiconductor MBR3045STG 0.8600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 스위치 스위치 ™ 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR3045 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 620 MV @ 15 a 200 µa @ 45 v -65 ° C ~ 175 ° C
1N4738ATR Fairchild Semiconductor 1N4738AT 0.0300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1 10 µa @ 6 v 8.2 v 4.5 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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