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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
FDPF13N50NZ Fairchild Semiconductor fdpf13n50nz 1.0000
RFQ
ECAD 4735 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Unifet-II ™ 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FDPF1 MOSFET (금속 (() TO-220F - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 500 v 12a 540mohm @ 6a, 10V 5V @ 250µA 39 NC @ 10 v 1930 pf @ 25 v - 42W (TC)
IRF640ACP001 Fairchild Semiconductor IRF640ACP001 0.8000
RFQ
ECAD 47 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 IRF640 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 375 -
KSA1013OTA Fairchild Semiconductor KSA1013OTA 0.1100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) KSA1013 900 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 2,664 160 v 1 a 1µA (ICBO) PNP 1.5V @ 50MA, 500MA 100 @ 200ma, 5V 50MHz
KSA733GBU Fairchild Semiconductor KSA733GBU 0.0200
RFQ
ECAD 105 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSA733 250 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 200 @ 1ma, 6v 180MHz
MMBTA14-NB05232 Fairchild Semiconductor MMBTA14-NB05232 0.1400
RFQ
ECAD 21 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.21.0075 3,000
BZX85C18 Fairchild Semiconductor BZX85C18 0.0300
RFQ
ECAD 61 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 12.5 v 18 v 20 옴
FDMC8010A Fairchild Semiconductor FDMC8010A 1.1100
RFQ
ECAD 6 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 FDMC8010 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 3,000 -
SGH10N60RUFDTU Fairchild Semiconductor sgh10n60rufdtu 2.1000
RFQ
ECAD 173 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 sgh10n60 기준 75 w 3pn 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 300V, 10A, 20ohm, 15V 60 ns - 600 v 16 a 30 a 2.8V @ 15V, 10A 141µJ (on), 215µJ (OFF) 30 NC 15ns/36ns
KST5087MTF-FS Fairchild Semiconductor KST5087MTF-FS 0.0200
RFQ
ECAD 33 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 3,000 50 v 50 MA 50NA (ICBO) PNP 300mv @ 1ma, 10ma 250 @ 10ma, 5V 40MHz
BZX84C5V6-FS Fairchild Semiconductor BZX84C5V6-FS 0.0200
RFQ
ECAD 3013 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C5 250 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,003 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 2 v 5.6 v 10 옴
FDPF5N50UTYDTU Fairchild Semiconductor FDPF5N50UTYDTU 0.6300
RFQ
ECAD 49 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 FDPF5N - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 -
FDMS9408 Fairchild Semiconductor FDMS9408 0.6700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 FDMS940 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 3,000 -
FDMA0104 Fairchild Semiconductor FDMA0104 0.3100
RFQ
ECAD 11 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 FDMA01 MOSFET (금속 (() 6 x 2 (2x2) - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 3,000 n 채널 20 v 9.4A (TA) 14.5mohm @ 9.4a, 4.5v 1V @ 250µA 17.5 nc @ 4.5 v 1680 pf @ 10 v - 1.9W (TA)
BZX84C3V6 Fairchild Semiconductor BZX84C3V6 0.0200
RFQ
ECAD 131 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C3 250 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
MMSZ5243B Fairchild Semiconductor MMSZ5243B -
RFQ
ECAD 9857 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 500 NA @ 9.9 v 13 v 13 옴
73282 Fairchild Semiconductor 73282 0.4900
RFQ
ECAD 9 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 7328 - 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 0000.00.0000 2,500 60V 12a 107mohm @ 8a, 5V 3V @ 250µA 6.2NC @ 5V -
BZX84C13 Fairchild Semiconductor BZX84C13 0.0200
RFQ
ECAD 178 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C13 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 13 v 30 옴
BZX84C33 Fairchild Semiconductor BZX84C33 -
RFQ
ECAD 4290 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 23.1 v 33 v 80 옴
BAW62 Fairchild Semiconductor baw62 0.0200
RFQ
ECAD 247 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 baw62 기준 DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 75 v 1 v @ 100 ma 4 ns 5 µa @ 75 v 175 ° C (°) 300ma 2pf @ 0V, 1MHz
1N4751A-T50A Fairchild Semiconductor 1N4751A-T50A 0.0500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4751 1 W. DO-41 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 5 µa @ 22.8 v 30 v 40
BZX79C2V7-T50A Fairchild Semiconductor BZX79C2V7-T50A 0.0200
RFQ
ECAD 50 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79C2 500MW DO-35 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 100 ma 75 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
FDD6770A Fairchild Semiconductor FDD6770A 0.7100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD677 MOSFET (금속 (() D-PAK (TO-252) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 25 v 24A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 24a, 10V 3V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 20V 2405 pf @ 13 v - 3.7W (TA), 65W (TC)
SS24 Fairchild Semiconductor SS24 0.0900
RFQ
ECAD 5399 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SS24 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 11 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 40 v -65 ° C ~ 125 ° C 2A -
FDMS9408L-F085 Fairchild Semiconductor FDMS9408L-F085 -
RFQ
ECAD 7461 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 80A (TC) 1.7mohm @ 80a, 10V 3V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 5750 pf @ 20 v - 214W (TJ)
IRF614BFP001 Fairchild Semiconductor IRF614BFP001 1.0000
RFQ
ECAD 7644 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 250 v 2.8A (TC) 2ohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250µA 10.5 nc @ 10 v ± 30V 275 pf @ 25 v - 40W (TC)
MMBZ5248B Fairchild Semiconductor MMBZ5248B 0.0200
RFQ
ECAD 2130 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ52 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 14 v 18 v 21 옴
NTMFS4936NCT1G Fairchild Semiconductor NTMFS4936NCT1G 0.3300
RFQ
ECAD 15 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4936 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 11.6A (TA), 79A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 3044 pf @ 15 v - 920MW (TA), 43W (TC)
FDBL86210 Fairchild Semiconductor FDBL86210 -
RFQ
ECAD 8016 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 FDBL862 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 2,000 -
MMBTA63 Fairchild Semiconductor MMBTA63 0.0300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA63 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 1.2 a 100NA (ICBO) pnp- 달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V 125MHz
MMSD459A Fairchild Semiconductor MMSD459A -
RFQ
ECAD 5817 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 표면 표면 SOD-123 MMSD45 기준 SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 150 ° C (°) - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고