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불연속 불연속 제품 (5251)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
FJX4013RTF Fairchild Semiconductor FJX4013RTF 0.0500
RFQ
 ECAD 3520 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 FJX401 200 MW SC-70-3 (SOT323) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 4,812 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 200MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
FGPF70N30TRDTU Fairchild Semiconductor fgpf70n30trdtu 1.1600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
FPAM50LH60 Fairchild Semiconductor FPAM50LH60 31.8600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 PFC SPM® 2 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 32-powerdip ower (1.370 ", 34.80mm) IGBT 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 2 단계 50 a 600 v 2500VRMS
FJC1308PTF Fairchild Semiconductor fjc1308ptf 0.0900
RFQ
 ECAD 5622 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 500MW SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 148 30 v 3 a 500NA PNP 450MV @ 150MA, 1.5A 80 @ 500ma, 2v -
1N4370A Fairchild Semiconductor 1N4370A 2.2400
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 135 1.5 v @ 200 ma 100 µa @ 1 v 2.4 v 30 옴
HUF76107D3S Fairchild Semiconductor HUF76107D3S 0.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 20A (TC) 4.5V, 10V 52MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 10.3 NC @ 10 v ± 20V 315 pf @ 25 v - 35W (TC)
MMSD4448 Fairchild Semiconductor MMSD4448 0.0300
RFQ
 ECAD 76 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 표면 표면 SOD-123 기준 SOD-123 다운로드 귀 99 8542.39.0001 10,764 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1 v @ 100 ma 4 ns 5 µa @ 75 v 150 ° C (°) 200ma 2pf @ 0V, 1MHz
FDMS8848NZ Fairchild Semiconductor FDMS8848NZ 1.0100
RFQ
 ECAD 993 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 22.8A (TA), 49A (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 22.8a, 10V 3V @ 250µA 152 NC @ 10 v ± 20V 8075 pf @ 20 v - 2.5W (TA), 104W (TC)
NDS9430 Fairchild Semiconductor NDS9430 0.6400
RFQ
 ECAD 112 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 5.3A (TA) 4.5V, 10V 60mohm @ 5.3a, 10V 3V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 528 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
FNB51560T1 Fairchild Semiconductor FNB51560T1 9.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 SPM® 55 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 20-powerdip ip (1.220 ", 31.00mm) IGBT FNB51 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 3 상 인버터 15 a 600 v 1500VRMS
FQA5N90 Fairchild Semiconductor FQA5N90 1.1200
RFQ
 ECAD 523 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 900 v 5.8A (TC) 10V 2.3ohm @ 2.9a, 10V 5V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 30V 1550 pf @ 25 v - 185W (TC)
FDB52N20TM Fairchild Semiconductor FDB52N20TM -
RFQ
 ECAD 2904 0.00000000 페어차일드 페어차일드 unifet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 200 v 52A (TC) 10V 49mohm @ 26a, 10V 5V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 30V 2900 pf @ 25 v - 357W (TC)
MPS6534 Fairchild Semiconductor MPS6534 0.0400
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,000 40 v 800 MA 50NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 90 @ 100MA, 1V -
FNA22512A Fairchild Semiconductor FNA22512A 1.0000
RFQ
 ECAD 9038 0.00000000 페어차일드 페어차일드 spm® 2 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 34-powerdip ower (1.480 ", 37.60mm) IGBT 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 3 단계 25 a 1.2kV 2500VRMS
FDU6N25 Fairchild Semiconductor FDU6N25 0.2500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 페어차일드 페어차일드 unifet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1,211 n 채널 250 v 4.4A (TC) 10V 1.1ohm @ 2.2a, 10V 5V @ 250µA 6 nc @ 10 v ± 30V 250 pf @ 25 v - 50W (TC)
HUFA76439P3 Fairchild Semiconductor hufa76439p3 0.5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 60 v 75A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 75A, 10V 3V @ 250µA 84 NC @ 10 v ± 16V 2745 pf @ 25 v - 155W (TC)
FDMS86204 Fairchild Semiconductor FDMS86204 0.8700
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3,000
FYPF2010DNTU Fairchild Semiconductor fypf2010dntu -
RFQ
 ECAD 7730 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 fypf20 Schottky TO-220F - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 770 MV @ 10 a 100 @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C
RFP12N10L Fairchild Semiconductor RFP12N10L -
RFQ
 ECAD 5242 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-RFP12N10L-600039 1
KSP8099TF Fairchild Semiconductor KSP8099TF 0.0200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 15,000 80 v 500 MA 100NA NPN 300mv @ 10ma, 100ma 100 @ 1ma, 5V 150MHz
FFA10U120DNTU Fairchild Semiconductor ffa10u120dntu 1.6200
RFQ
 ECAD 902 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 기준 to-3p 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 1200 v 10A 3.5 V @ 10 a 100 ns 10 µa @ 1200 v -65 ° C ~ 150 ° C
HUFA75852G3 Fairchild Semiconductor HUFA75852G3 -
RFQ
 ECAD 1363 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 150 n 채널 150 v 75A (TC) 10V 16mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 480 nc @ 20 v ± 20V 7690 pf @ 25 v - 500W (TC)
SI6933DQ Fairchild Semiconductor SI6933DQ 0.4900
RFQ
 ECAD 6295 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6933 MOSFET (금속 (() 600MW (TA) 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 1,451 2 p 채널 (채널) 30V 3.5A (TA) 45mohm @ 3.5a, 10V 3V @ 250µA 30NC @ 10V 854pf @ 15V -
FDG316P Fairchild Semiconductor FDG316P 0.2000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (금속 (() SC-88 (SC-70-6) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1,588 p 채널 30 v 1.6A (TA) 4.5V, 10V 190mohm @ 1.6a, 10V 3V @ 250µA 5 nc @ 10 v ± 20V 165 pf @ 15 v - 750MW (TA)
FGA50N100BNTTU Fairchild Semiconductor fga50n100bnttu 2.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 기준 156 w to-3p 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 60A, 10ohm, 15V npt와 트렌치 1000 v 50 a 200a 2.9V @ 15V, 60A - 257 NC 34ns/243ns
KS3302BU Fairchild Semiconductor KS3302BU 0.0200
RFQ
 ECAD 2277 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) To-92-3 - 귀 99 8542.39.0001 10,000 40 v 200 MA - NPN 150mv @ 10ma, 100ma - -
TIP125TU Fairchild Semiconductor TIP125TU -
RFQ
 ECAD 1237 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 2 w TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 60 v 5 a 2MA pnp- 달링턴 4V @ 20MA, 5A 1000 @ 3A, 3V -
FQB6N25TM Fairchild Semiconductor FQB6N25TM 0.2800
RFQ
 ECAD 9591 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 799 n 채널 250 v 5.5A (TC) 10V 1ohm @ 2.75a, 10V 5V @ 250µA 8.5 NC @ 10 v ± 30V 300 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 63W (TC)
FDPF390N15A Fairchild Semiconductor FDP390N15A -
RFQ
 ECAD 8458 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 - 2156-FDPF390N15A 1 n 채널 150 v 15A (TC) 10V 40mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 18.6 NC @ 10 v ± 20V 1285 pf @ 75 v - 22W (TC)
FMG2G75US60 Fairchild Semiconductor FMG2G75US60 35.4500
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 오후 7시 310 w 기준 오후 7시 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 15 반 반 - 600 v 75 a 2.8V @ 15V, 75A 250 µA 아니요 7.056 NF @ 30 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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