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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
NDB6030L Fairchild Semiconductor NDB6030L 1.7200
RFQ
 ECAD 580 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 52A (TC) 4.5V, 10V 13.5mohm @ 26a, 10V 3V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 16V 1350 pf @ 15 v - 75W (TC)
FJC1386QTF Fairchild Semiconductor FJC1386QTF 0.1000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 500MW SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,144 20 v 5 a 500NA (ICBO) PNP 1V @ 100MA, 4A 120 @ 500ma, 2V -
FDS6630A Fairchild Semiconductor FDS6630A 0.2600
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 30 v 6.5A (TA) 4.5V, 10V 38mohm @ 6.5a, 10V 3V @ 250µA 7 nc @ 5 v ± 20V 460 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
FGB3236 Fairchild Semiconductor FGB3236 1.2600
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 800
FSBM10SH60 Fairchild Semiconductor FSBM10SH60 16.8100
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 페어차일드 페어차일드 SPM® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 32-powerdip ower (1.370 ", 34.80mm) IGBT 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.39.0001 48 3 단계 10 a 600 v 2500VRMS
FDML7610AS Fairchild Semiconductor FDML7610AS 0.2700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 FDML7610 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 3,000 -
FGPF50N30TTU Fairchild Semiconductor FGPF50N30TTU 1.3200
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 기준 46.8 w TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 - 도랑 300 v 120 a 1.5V @ 15V, 15a - 97 NC -
FQPF5N15 Fairchild Semiconductor FQPF5N15 0.3100
RFQ
 ECAD 6334 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 730 n 채널 150 v 4.2A (TC) 10V 800mohm @ 2.1a, 10V 4V @ 250µA 7 nc @ 10 v ± 25V 230 pf @ 25 v - 32W (TC)
MMSZ5251B Fairchild Semiconductor MMSZ5251B 1.0000
RFQ
 ECAD 8531 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% - 표면 표면 SOD-123 MMSZ52 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 17 v 22 v 19 옴
FFAF15U20DNTU Fairchild Semiconductor ffaf15u20dntu 0.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 기준 to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0080 360 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 15a 1.2 v @ 15 a 40 ns 15 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C
FQD2N60TF Fairchild Semiconductor FQD2N60TF 0.5100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 2A (TC) 10V 4.7ohm @ 1a, 10V 5V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 30V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 45W (TC)
KSC2715YMTF Fairchild Semiconductor KSC2715YMTF 0.0600
RFQ
 ECAD 126 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 150 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 50 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 1ma, 10ma 120 @ 2MA, 12V 400MHz
KSD401G Fairchild Semiconductor KSD401G 1.0000
RFQ
 ECAD 9388 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 25 W. TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,200 150 v 2 a 50µA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 200 @ 400ma, 10V 5MHz
FDD6676 Fairchild Semiconductor FDD6676 0.8300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 78A (TA) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 16.8a, 10V 3V @ 250µA 63 NC @ 5 v ± 16V 5103 pf @ 15 v - 1.6W (TA)
BD535J Fairchild Semiconductor BD535J 0.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 50 W. TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,200 60 v 8 a 100µA NPN 800mv @ 200ma, 2a 30 @ 2a, 2v 12MHz
MM3Z22VB Fairchild Semiconductor MM3Z22VB 0.0200
RFQ
 ECAD 2888 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F 200 MW SOD-323F 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1 1 V @ 10 ma 45 NA @ 15.4 v 22 v 51 옴
MMBZ5251B Fairchild Semiconductor MMBZ5251B -
RFQ
 ECAD 3855 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ52 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 17 v 22 v 29 옴
S3AB Fairchild Semiconductor S3ab 0.1400
RFQ
 ECAD 3273 0.00000000 페어차일드 페어차일드 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 짐 50 v 1.15 V @ 3 a 1.5 µs 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1MHz
FDS7088N3 Fairchild Semiconductor FDS7088N3 2.6000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 21A (TA) 4.5V, 10V 4mohm @ 21a, 10V 3V @ 250µA 48 NC @ 5 v ± 20V 3845 pf @ 15 v - 3W (TA)
FQU7P06TU Fairchild Semiconductor fqu7p06tu 1.0000
RFQ
 ECAD 2194 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 5,040 p 채널 60 v 5.4A (TC) 10V 451mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 25V 295 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 28W (TC)
1N5401 Fairchild Semiconductor 1N5401 -
RFQ
 ECAD 8738 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 기준 축 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 2,746 짐 100 v 1 V @ 3 a 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
FQA44N30 Fairchild Semiconductor FQA44N30 4.5000
RFQ
 ECAD 399 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 귀 99 8542.39.0001 67 n 채널 300 v 43.5A (TC) 10V 69mohm @ 21.75a, 10V 5V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 30V 5600 pf @ 25 v - 310W (TC)
1N5231C Fairchild Semiconductor 1N5231C 0.0300
RFQ
 ECAD 59 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 귀 99 8541.10.0050 10,490 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 2 v 5.1 v 17 옴
FSB70450 Fairchild Semiconductor FSB70450 -
RFQ
 ECAD 7759 0.00000000 페어차일드 페어차일드 spm® 7 대부분 활동적인 표면 표면 27-powerlqfn 모듈 MOSFET 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 3 단계 4.8 a 500 v 1500VRMS
FJY4013R Fairchild Semiconductor fjy4013r 0.0200
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 SC-89, SOT-490 fjy401 200 MW SOT-523F 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 200MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
PN4249 Fairchild Semiconductor PN4249 0.0500
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 6,662 60 v 500 MA 10NA (ICBO) PNP 250mv @ 500µa, 10ma 100 @ 100µa, 5V -
ISL9V2040S3ST Fairchild Semiconductor ISL9V2040S3ST 1.1700
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ecospark® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 논리 130 W. D2PAK (TO-263) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 300V, 1KOHM, 5V - 430 v 10 a 1.9V @ 4V, 6A - 12 NC -/3.64µs
1N4731A Fairchild Semiconductor 1N4731A 0.0300
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 0.5% - 구멍을 구멍을 축 1N4731 1 W. DO-41G 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1 v @ 100 ma 10 µa @ 1 v 4.3 v 9 옴
2N3904 Fairchild Semiconductor 2N3904 0.0500
RFQ
 ECAD 9872 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 쟁반 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 2156-2N3904-FS 귀 99 8541.21.0075 25 40 v 200 MA 50NA NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
MMBZ5257B Fairchild Semiconductor MMBZ5257B -
RFQ
 ECAD 2324 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ52 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 25 v 33 v 58 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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