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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 입력 입력 (cie) @ vce 저항 -rds (on) 전류 전류 (ID) - 최대
FQPF9N25CT Fairchild Semiconductor fqpf9n25ct 0.5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 250 v 8.8A (TC) 10V 430mohm @ 4.4a, 10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 30V 710 pf @ 25 v - 38W (TC)
1N970B Fairchild Semiconductor 1N970B 1.8400
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 163 5 µa @ 18.2 v 24 v 33 옴
FDS6680S Fairchild Semiconductor FDS6680S 0.5200
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 11.5A (TA) 4.5V, 10V 11.5A, 10V 3V @ 250µA 24 nc @ 5 v ± 20V 2010 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
FJZ594JBTF Fairchild Semiconductor FJZ594JBTF 0.0200
RFQ
 ECAD 687 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-623F 100MW SOT-623F 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 3.5pf @ 5V 20 v 150 µa @ 5 v 600 mV @ 1 µA 1 MA
FDS4435A Fairchild Semiconductor FDS4435A 1.2100
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 9A (TA) 4.5V, 10V 17mohm @ 9a, 10V 2V @ 250µA 30 nc @ 5 v ± 20V 2010 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
FDU8878 Fairchild Semiconductor FDU8878 0.3000
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 11A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 35a, 10V 2.5V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 880 pf @ 15 v - 40W (TC)
FQI32N20CTU Fairchild Semiconductor fqi32n20ctu 0.9800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 28A (TC) 10V 82mohm @ 14a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 30V 2220 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 156W (TC)
1N959B Fairchild Semiconductor 1N959B 3.2100
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 94 50 µa @ 6.2 v 8.2 v 6.5 옴
3N258 Fairchild Semiconductor 3N258 0.5200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 기준 KBPM 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0080 30 1.1 v @ 3.14 a 5 µa @ 800 v 2 a 단일 단일 800 v
FQPF3N80CYDTU Fairchild Semiconductor fqpf3n80cydtu 0.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 형성 된 리드 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 (Y- 형성) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 3A (TC) 10V 4.8ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 250µA 16.5 nc @ 10 v ± 30V 705 pf @ 25 v - 39W (TC)
FQAF16N25C Fairchild Semiconductor FQAF16N25C 0.9200
RFQ
 ECAD 360 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 360 n 채널 250 v 11.4A (TC) 10V 270mohm @ 5.7a, 10V 4V @ 250µA 53.5 nc @ 10 v ± 30V 1080 pf @ 25 v - 73W (TC)
KBU6A Fairchild Semiconductor KBU6A 1.1100
RFQ
 ECAD 287 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU 기준 KBU 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0080 287 1 V @ 6 a 10 µa @ 50 v 6 a 단일 단일 50 v
FDS9412 Fairchild Semiconductor FDS9412 0.2700
RFQ
 ECAD 116 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 7.9A (TA) 4.5V, 10V 22mohm @ 7.9a, 10V 2V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 830 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
KBU8B Fairchild Semiconductor KBU8B 1.0000
RFQ
 ECAD 3826 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU 기준 KBU 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0080 200 1 V @ 8 a 10 µa @ 100 v 8 a 단일 단일 100 v
FMS7G20US60S Fairchild Semiconductor FMS7G20US60S 17.3100
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 오후 25 a aa 89 w 단상 단상 정류기 오후 25 a aa 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 30 브레이크가있는 3 인버터 단계 - 600 v 20 a 2.7V @ 15V, 20A 250 µA 예 1.277 NF @ 30 v
1N5395 Fairchild Semiconductor 1N5395 -
RFQ
 ECAD 4623 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-15 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0080 8,000 짐 400 v 1.4 V @ 1.5 a 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 25pf @ 4V, 1MHz
JFTJ105 Fairchild Semiconductor JFTJ105 -
RFQ
 ECAD 9816 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1 W. SOT-223-4 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 - 25 v 500 ma @ 15 v 4.5 V @ 1 µA 3 옴
FQAF19N20 Fairchild Semiconductor FQAF19N20 0.8300
RFQ
 ECAD 684 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 360 n 채널 200 v 15A (TC) 10V 150mohm @ 7.5a, 10V 5V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 30V 1600 pf @ 25 v - 85W (TC)
FQD7N10TM Fairchild Semiconductor fqd7n10tm 0.5100
RFQ
 ECAD 176 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 5.8A (TC) 10V 350mohm @ 2.9a, 10V 4V @ 250µA 7.5 NC @ 10 v ± 25V 250 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SGP13N60UFTU Fairchild Semiconductor sgp13n60uftu 0.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SGP13N60 기준 60 W. TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 300V, 6.5A, 50ohm, 15V - 600 v 13 a 52 a 2.6V @ 15V, 6.5A 85µJ (on), 95µJ (OFF) 25 NC 20ns/70ns
FDS6812A Fairchild Semiconductor FDS6812A 1.0000
RFQ
 ECAD 3538 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS68 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 1 2 n 채널 (채널) 20V 6.7a 22mohm @ 6.7a, 4.5v 1.5V @ 250µA 19NC @ 4.5V 1082pf @ 10v 논리 논리 게이트
FMS6G10US60 Fairchild Semiconductor FMS6G10US60 15.4500
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 오후 25 a aa 66 W. 3 정류기 정류기 브리지 오후 25 a aa 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 30 3 단계 인버터 - 600 v 10 a 2.7V @ 15V, 10A 250 µA 예 710 pf @ 30 v
FDY2001PZ Fairchild Semiconductor fdy2001pz 0.0600
RFQ
 ECAD 161 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 fdy20 MOSFET (금속 (() 446MW SOT-563F 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 150ma 8ohm @ 150ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 1.4NC @ 4.5V 100pf @ 10V 논리 논리 게이트
IRFS654B Fairchild Semiconductor IRFS654B 1.0800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 250 v 21A (TJ) 10V 140mohm @ 10.5a, 10V 4V @ 250µA 123 NC @ 10 v ± 30V 3400 pf @ 25 v - 50W (TC)
SFI9510TU Fairchild Semiconductor SFI9510TU 0.7300
RFQ
 ECAD 950 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 100 v 3.6A (TC) 10V 1.2ohm @ 1.8a, 10V 4V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 30V 335 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 32W (TC)
FDZ197PZ Fairchild Semiconductor FDZ197PZ 0.2300
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-UFBGA, WLCSP FDZ19 MOSFET (금속 (() 6-WLCSP (1.0x1.5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 5,000 p 채널 20 v 3.8A (TA) 1.5V, 4.5V 64mohm @ 2a, 4.5v 1V @ 250µA 25 nc @ 4.5 v ± 8V 1570 pf @ 10 v - 1.9W (TA)
1N4751A-T50A Fairchild Semiconductor 1N4751A-T50A 0.0500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4751 1 W. DO-41 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 5 µa @ 22.8 v 30 v 40
BZX79C2V7-T50A Fairchild Semiconductor BZX79C2V7-T50A 0.0200
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79C2 500MW DO-35 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 100 ma 75 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
1N5263B Fairchild Semiconductor 1N5263B 1.8600
RFQ
 ECAD 158 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 0.5% - 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5263 500MW - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 162 900 mv @ 200 ma 100 na @ 41 v 56 v 150 옴
MM5Z20V Fairchild Semiconductor MM5Z20V 1.0000
RFQ
 ECAD 1416 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 50 na @ 14 v 20 v 55 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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