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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 전류 - 유지(Ih)(최대) 얻다 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 대책악 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 전압 - 수채화(Vgt)(최대) 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) 메모리 - 메모리(Igt)(최대) 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 모델 지수(dB 일반 @ f)
HZU6.8B1JTRF-E Renesas HZU6.8B1JTRF-E 0.0700
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ECAD 249 0.00000000 르네사스 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-HZU6.8B1JTRF-E-1833 1
2SK4150TZ-E Renesas 2SK4150TZ-E 0.6300
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ECAD 19 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) MOSFET(금속) TO-92 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-2SK4150TZ-E EAR99 8541.29.0095 1 N채널 250V 400mA(타) 2.5V, 4V 5.7옴 @ 200mA, 4V 1.5V @ 1mA 3.7nC @ 4V ±10V 25V에서 80pF - 750mW(타)
RJU6052TDPP-EJ#T2 Renesas RJU6052TDPP-EJ#T2 0.9200
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ECAD 3 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-220-2 풀팩 기준 TO-220FP-2L 다운로드 RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-RJU6052TDPP-EJ#T2 EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 600V 3V @ 10A 25ns 600V에서 1μA 150°C 10A -
RD3.3P-D-T2-AZ Renesas RD3.3P-D-T2-AZ 0.3900
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ECAD 8 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-RD3.3P-D-T2-AZ EAR99 8541.10.0050 1
HZM5.1NB2TR-E Renesas HZM5.1NB2TR-E 0.1600
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ECAD 12 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±2.16% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200mW 3-MPAK 다운로드 RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-HZM5.1NB2TR-E EAR99 8541.10.0050 1 1.5V에서 5μA 5.09V 130옴
RD13P-T1-AZ Renesas RD13P-T1-AZ 0.3900
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ECAD 22 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±6.54% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 1W 다운로드 RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-RD13P-T1-AZ EAR99 8541.10.0050 1 10V에서 10μA 13V 30옴
2SC4901YK-TL-E Renesas 2SC4901YK-TL-E -
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ECAD 5033 0.00000000 르네사스 2SC4901 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 100mW 3-CMPAK - 2156-2SC4901YK-TL-E 1 - 9V 50mA NPN 50 @ 20mA, 5V 9GHz 1.2dB @ 900MHz
NP32N055SLE-E1-AZ Renesas NP32N055SLE-E1-AZ 1.6400
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ECAD 60 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 175°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252 (MP-3ZK) - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-NP32N055SLE-E1-AZ EAR99 8541.29.0075 1 N채널 55V 32A(타) 4.5V, 10V 24m옴 @ 16A, 10V 2.5V @ 250μA 41nC @ 10V ±20V 2000pF @ 25V - 1.2W(Ta), 66W(Tc)
T1900N18TOFVTXPSA1 Renesas T1900N18TOFVTXPSA1 435.4800
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ECAD 4 0.00000000 르네사스 - 대부분 활동적인 - 2156-T1900N18TOFVTXPSA1 1
BCR25KR-12LB#B00 Renesas BCR25KR-12LB#B00 5.5000
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ECAD 729 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TO-220FN - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BCR25KR-12LB#B00 EAR99 8541.30.0080 1 하나의 기준 600V 25A 250A @ 60Hz 50mA
RD36P-T1-AZ Renesas RD36P-T1-AZ 0.1900
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ECAD 16 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±5.56% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 1W - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-RD36P-T1-AZ EAR99 8541.10.0050 1 27V에서 10μA 36V 90옴
BCR16KM-12LA-1#B00 Renesas BCR16KM-12LA-1#B00 1.6300
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ECAD 4 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TO-220FN - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BCR16KM-12LA-1#B00 EAR99 8541.30.0080 1 하나의 기준 600V 16A 1.5V 160A @ 60Hz 30mA
AC03FGM(CY)-AZ Renesas AC03FGM(CY)-AZ 1.7400
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ECAD 10 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C (TJ) 스루홀 TO-202 롱탭 TO-202 - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-AC03FGM(CY)-AZ EAR99 8541.30.0080 1 하나의 10mA 기준 600V 3A 1.5V 30A, 33A 12mA
HAT2292C-EL-E Renesas HAT2292C-EL-E 0.3400
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ECAD 9 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 HAT2292 MOSFET(금속) - 6-CMFPAK - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-HAT2292C-EL-E EAR99 8541.29.0095 1 2 N채널(듀얼) 20V 1.5A 205m옴 @ 1.5A, 4.5V - - - -
BCR3AS-12A#B00 Renesas BCR3AS-12A#B00 -
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ECAD 5569 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MP-3A - 2156-BCR3AS-12A#B00 1 하나의 기준 600V 3A 1.5V 30A @ 60Hz 15mA
RD24P-T1-AZ Renesas RD24P-T1-AZ -
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ECAD 7690 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±5.83% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 1W 다운로드 RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-RD24P-T1-AZ EAR99 8541.10.0050 1 19V에서 10μA 24V 70옴
RD16P(0)-T1-AZ Renesas RD16P(0)-T1-AZ 0.3800
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ECAD 12 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±5.63% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 1W - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-RD16P(0)-T1-AZ EAR99 8541.10.0050 1 12V에서 10μA 16V 40옴
RD8.2P-T1-AZ Renesas RD8.2P-T1-AZ 0.1800
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ECAD 32 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±6.1% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 1W - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-RD8.2P-T1-AZ EAR99 8541.10.0050 1 5V에서 20μA 8.2V 15옴
HZM15NB1TR-E Renesas HZM15NB1TR-E 0.1600
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ECAD 3 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±2.19% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200mW 3-MPAK - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-HZM15NB1TR-E EAR99 8541.10.0050 1 11V에서 2μA 14.15V 40옴
HAT3043C-EL-E Renesas HAT3043C-EL-E 0.3100
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ECAD 2 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 HAT3043 MOSFET(금속) - 6-CMFPAK - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-HAT3043C-EL-E EAR99 8541.29.0075 1 N 및 P 채널 20V 1.5A 205m옴 @ 1.5A, 4.5V - - - -
2SK1958-T1-A Renesas 2SK1958-T1-A 0.0700
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ECAD 69 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 8-TSSOP, 8-MSOP(0.110", 2.80mm 너비) MOSFET(금속) 8-MMPAK - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-2SK1958-T1-A EAR99 8541.21.0095 1 N채널 16V 100mA(타) 1.5V, 4V 12옴 @ 10mA, 4V 1.1V @ 10μA ±7V 10pF @ 3V - 150mW(타)
RQA0008RXDQS#H1 Renesas RQA0008RXDQS#H1 0.5900
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ECAD 40 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 TO-243AA MOSFET(금속) UPAK - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-RQA0008RXDQS#H1 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 16V 2.4A(타) - - 800mV @ 1mA ±5V 44pF @ 0V - 10W(Tc)
2SJ604-ZJ-E1-AZ Renesas 2SJ604-ZJ-E1-AZ 2.1600
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ECAD 662 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) TO-263 - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-2SJ604-ZJ-E1-AZ EAR99 8541.29.0095 1 P채널 60V 45A(Tc) 4V, 10V 30m옴 @ 23A, 10V 2.5V @ 1mA 63nC @ 10V ±20V 10V에서 3300pF - 1.5W(Ta), 70W(Tc)
RJU4352SDPE-00#J3 Renesas RJU4352SDPE-00#J3 1.3600
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ECAD 3 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-83 기준 LDPAK - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-RJU4352SDPE-00#J3 EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 430V 1.5V @ 20A 23ns - 20A -
2SK3902-ZK-E1-AY Renesas 2SK3902-ZK-E1-AY 1.2100
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ECAD 2 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) TO-263-3 - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-2SK3902-ZK-E1-AY EAR99 8541.29.0075 1 N채널 60V 30A(Tc) 4.5V, 10V 21m옴 @ 15A, 10V 2.5V @ 1mA 25nC @ 10V ±20V 1200pF @ 10V - 1.5W(Ta), 45W(Tc)
NP80N055KLE-E1-AY Renesas NP80N055KLE-E1-AY 2.2400
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ECAD 1 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 175°C 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) TO-263-3 다운로드 RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-NP80N055KLE-E1-AY EAR99 8541.29.0075 135 N채널 55V 80A(Tc) 4.5V, 10V 11m옴 @ 40A, 10V 2.5V @ 250μA 75nC @ 10V ±20V 25V에서 4400pF - 1.8W(Ta), 120W(Tc)
2SC5292(0)-T-AZ Renesas 2SC5292(0)-T-AZ -
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ECAD 8914 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 2156-2SC5292(0)-T-AZ 1
HZM5.1NB2TL-E Renesas HZM5.1NB2TL-E 0.1600
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ECAD 44 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±2.16% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200mW 3-MPAK - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-HZM5.1NB2TL-E EAR99 8541.10.0050 1 1.5V에서 5μA 5.09V 130옴
HZM15NB2TR-E Renesas HZM15NB2TR-E 0.1600
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ECAD 33 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±2.18% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200mW 3-MPAK 다운로드 RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-HZM15NB2TR-E EAR99 8541.10.0050 1 11V에서 2μA 14.66V 40옴
RJK5026DPP-E0#T2 Renesas RJK5026DPP-E0#T2 2.9500
보상요청
ECAD 4 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220FP - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-RJK5026DPP-E0#T2 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 500V 6A(타) 10V 1.7옴 @ 3A, 10V 4.5V @ 1mA 14nC @ 10V ±30V 25V에서 440pF - 28.5W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고