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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PZU3.9B2A,115 Nexperia USA Inc. PZU3.9B2A, 115 0.2300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 PZU3.9 320 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
BAW56QAZ Nexperia USA Inc. baw56qaz 0.3100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 3-xdfn d 패드 baw56 기준 DFN1010D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 90 v 180MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C (°)
PDZ3.0B,115 Nexperia USA Inc. PDZ3.0B, 115 0.2100
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 PDZ3.0 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 10 µa @ 1 v 3 v 95 옴
BZT52H-B75-QX Nexperia USA Inc. BZT52H-B75-QX 0.0434
RFQ
 ECAD 2882 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZT52H-B75-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 52.5 v 75 v 175 옴
BC868-25,115 Nexperia USA Inc. BC868-25,115 0.5100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BC868 500MW SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 20 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 200ma, 2a 160 @ 500ma, 1V 170MHz
BZT52-B13J Nexperia USA Inc. BZT52-B13J 0.2400
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.31% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 13 v 10 옴
PUMB20,115 Nexperia USA Inc. pumb20,115 0.0519
RFQ
 ECAD 6542 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumb20 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 1µA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 20MA, 5V - 2.2kohms 2.2kohms
BC846S,115 Nexperia USA Inc. BC846S, 115 0.2800
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC846 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
PMK30EP,518 Nexperia USA Inc. PMK30ep, 518 -
RFQ
 ECAD 1298 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 14.9A (TC) 10V 19mohm @ 9.2a, 10V 3V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 2240 pf @ 25 v - 6.9W (TC)
BZV55-C5V1,135 Nexperia USA Inc. BZV55-C5V1,135 0.2100
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-C5V1 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
BZV85-C68,133 Nexperia USA Inc. BZV85-C68,133 0.0597
RFQ
 ECAD 1789 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZV85-C68 1.3 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 933500850133 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 50 ma 50 na @ 48 v 68 v 200 옴
BZX384-C13,115 Nexperia USA Inc. BZX384-C13,115 0.2100
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 8 v 13 v 30 옴
BC847BW,135 Nexperia USA Inc. BC847BW, 135 0.1700
RFQ
 ECAD 108 0.00000000 Nexperia USA Inc. BC847XW 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC847 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
ON5233,118 Nexperia USA Inc. on5233,118 0.2000
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 - - DPAK - 귀 99 8541.29.0095 1 - - - - -
PHPT60415NYX Nexperia USA Inc. PHPT60415NYX 0.5800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PHPT60415 1.5 w LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,500 40 v 15 a 100NA NPN 600mv @ 1.5a, 15a 100 @ 10a, 2v 105MHz
BZX84-A2V7,215 Nexperia USA Inc. BZX84-A2V7,215 0.5100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-A2V7 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
PMH600UNEH Nexperia USA Inc. pmh600onh 0.3400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn PMH600 MOSFET (금속 (() DFN0606-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 20 v 800MA (TA) 1.2V, 4.5V 620mohm @ 600ma, 4.5v 950MV @ 250µA 0.31 NC @ 4.5 v ± 8V 21.3 pf @ 10 v - 370MW (TA), 2.2W (TC)
PDTB113EUX Nexperia USA Inc. pdtb113eux 0.0680
RFQ
 ECAD 1277 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTB113 300MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA npn-사전- 100mv @ 2.5ma, 50ma 33 @ 50MA, 5V 140MHz 1 KOHMS 1 KOHMS
BUK7907-40ATC,127 Nexperia USA Inc. BUK7907-40ATC, 127 -
RFQ
 ECAD 7728 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-5 MOSFET (금속 (() TO-220-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 7mohm @ 50a, 10V 4V @ 1MA 108 NC @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 25 v 온도 온도 다이오드 272W (TC)
BZX38450-C1V8-QX Nexperia USA Inc. BZX38450-C1V8-QX 0.2400
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX38450-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX38450 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 7.5 µa @ 1 v 1.8 v 100 옴
NHUMH10F Nexperia USA Inc. nhumh10f 0.0503
RFQ
 ECAD 6739 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 nhumh10 350MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 80V 100ma 100NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 100mv @ 500µa, 10ma 100 @ 10ma, 5V 170MHz, 150MHz 2.2kohms 47kohms
PDZ2.7BGWJ Nexperia USA Inc. PDZ2.7BGWJ 0.0307
RFQ
 ECAD 5485 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, PDZ-GW 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 4.07% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 PDZ2.7 365 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
BC817DS-QX Nexperia USA Inc. BC817DS-QX 0.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 BC817 370MW 6TSOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45V 500ma 100NA (ICBO) 2 NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
PSMN0R9-25YLDX Nexperia USA Inc. psmn0r9-25yldx 2.3900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn0r9 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 300A (TC) 4.5V, 10V 0.85mohm @ 25a, 10V 2.2v @ 1ma 89.8 nc @ 10 v ± 20V 6721 pf @ 12 v - 238W (TC)
BC816-25WX Nexperia USA Inc. BC816-25WX 0.2100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC816W 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC816 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 80 v 500 MA 100µA NPN 400mv @ 5ma, 50ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
PMBT2227AYS-QH Nexperia USA Inc. PMBT2227AYS-QH 0.0620
RFQ
 ECAD 6956 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PMBT2227 250MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PMBT2227AYS-QHTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 40V 600ma 10NA (ICBO) NPN, PNP 1V @ 50MA, 500MA / 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz, 200MHz
PH7030AL,115 Nexperia USA Inc. ph7030al, 115 -
RFQ
 ECAD 7635 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 SC-100, SOT-669 pH7030 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 76A (TC) 7mohm @ 15a, 10V 2.15v @ 1ma 22 nc @ 10 v 1270 pf @ 12 v - -
BAS70-05W,115 Nexperia USA Inc. BAS70-05W, 115 0.3100
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 BAS70 Schottky SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 70 v 70MA (DC) 1 V @ 15 ma 10 µa @ 70 v 150 ° C (°)
BCP56-10T-QF Nexperia USA Inc. BCP56-10T-QF 0.0726
RFQ
 ECAD 8939 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BCP56T-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP56 600MW SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 4,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 155MHz
PZU15B1A-QX Nexperia USA Inc. PZU15B1A-QX 0.0521
RFQ
 ECAD 1465 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 320 MW SOD-323 다운로드 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 µa @ 11 v 14.15 v 15 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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