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불연속 불연속 제품 (9943)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BZX8450-C4V7R Nexperia USA Inc. BZX8450-C4V7R 0.2000
RFQ
 ECAD 895 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 3 v 4.7 v 80 옴
BUK9Y15-60E,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y15-60E, 115 1.1000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk9y15 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 53A (TC) 5V 13mohm @ 15a, 10V 2.1v @ 1ma 17.2 NC @ 5 v ± 10V 2603 pf @ 25 v - 95W (TC)
PMN120ENEX Nexperia USA Inc. PMN120ENEX -
RFQ
 ECAD 2201 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PMN120 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 3.1A (TA) 4.5V, 10V 123mohm @ 2.4a, 10V 2.7V @ 250µA 7.4 NC @ 10 v ± 20V 275 pf @ 30 v - 1.4W (TA), 6.25W (TC)
BZX79-B56,133 Nexperia USA Inc. BZX79-B56,133 0.0273
RFQ
 ECAD 2772 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-B56 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 933167050133 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 39.2 v 56 v 200 옴
BZT52-B11J Nexperia USA Inc. BZT52-B11J 0.2400
RFQ
 ECAD 294 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.82% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 11 v 10 옴
PBSS4140T-QR Nexperia USA Inc. PBSS4140T-QR 0.1000
RFQ
 ECAD 1893 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBSS4140T-QRTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 1 a 100NA NPN 500mv @ 100ma, 1a 300 @ 500ma, 5V 150MHz
BZT52-B62X Nexperia USA Inc. BZT52-B62X 0.2400
RFQ
 ECAD 9394 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.94% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 43.4 v 62 v 140 옴
PDTA113EM,315 Nexperia USA Inc. PDTA113EM, 315 0.0396
RFQ
 ECAD 5390 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-101, SOT-883 PDTA113 250 MW SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 1.5ma, 30ma 30 @ 40MA, 5V 1 KOHMS 1 KOHMS
PDZ12B-QX Nexperia USA Inc. PDZ12B-QX 0.0273
RFQ
 ECAD 5836 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, PDZ-BQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 PDZ12B 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 9 v 12 v 10 옴
PBHV9040ZF Nexperia USA Inc. PBHV9040ZF 0.5600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PBHV9040 SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 400 v 250 MA 100NA PNP 200mv @ 20ma, 100ma 100 @ 50MA, 10V 55MHz
BZT52H-B2V4-QX Nexperia USA Inc. BZT52H-B2V4-QX 0.0434
RFQ
 ECAD 1403 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.08% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZT52H-B2V4-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 85 옴
BZX38450-C5V1F Nexperia USA Inc. BZX38450-C5V1F 0.2300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX38450 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 3 v 5.1 v 60 옴
BZX79-B36,143 Nexperia USA Inc. BZX79-B36,143 0.2100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-B36 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 25.2 v 36 v 90 옴
BC807-40H-QR Nexperia USA Inc. BC807-40H-QR 0.0524
RFQ
 ECAD 7763 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 320 MW TO-236AB - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BC807-40H-QRTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 80MHz
PBSS4021PX,115 Nexperia USA Inc. PBSS4021PX, 115 0.6400
RFQ
 ECAD 2882 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PBSS4021 2.5 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 20 v 6.2 a 100NA PNP 265MV @ 345MA, 6.9A 150 @ 4a, 2v 105MHz
PEMD9,315 Nexperia USA Inc. PEMD9,315 0.4700
RFQ
 ECAD 6498 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PEMD9 300MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 5ma, 5V - 10kohms 47kohms
BC807-40W/ZLX Nexperia USA Inc. BC807-40W/ZLX -
RFQ
 ECAD 8659 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
PHPT61002NYCLHX Nexperia USA Inc. PHPT61002NYCLHX 0.1949
RFQ
 ECAD 7713 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PHPT61002 25 W. LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070271115 귀 99 8541.29.0075 1,500 100 v 2 a 50µA (ICBO) NPN 300mv @ 200ma, 2a 120 @ 500ma, 10V 140MHz
PZU18BL,315 Nexperia USA Inc. PZU18BL, 315 0.0382
RFQ
 ECAD 5095 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 PZU18 250 MW DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 13 v 18 v 20 옴
PDZ9.1BZ Nexperia USA Inc. PDZ9.1BZ 0.2100
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 PDZ9.1 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 500 na @ 6 v 9.23 v 60 옴
BUK9K30-80EX Nexperia USA Inc. BUK9K30-80EX 1.5900
RFQ
 ECAD 8297 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 buk9k30 MOSFET (금속 (() 53W LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 80V 17A (TA) 26mohm @ 5a, 10V 2.1v @ 1ma 17.5NC @ 5V 2297pf @ 25v 논리 논리 게이트
PZU4.7B,115 Nexperia USA Inc. PZU4.7B, 115 0.0616
RFQ
 ECAD 9354 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZU4.7 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 2 µa @ 1 v 4.7 v 80 옴
BCV61A,215 Nexperia USA Inc. BCV61A, 215 0.4400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 30V 현재 현재 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BCV61 SOT-143B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100ma 2 npn (() 현재 미러
2PB710ASL,235 Nexperia USA Inc. 2PB710ASL, 235 0.3000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2PB710 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 500 MA 10NA (ICBO) PNP 600mv @ 30ma, 300ma 170 @ 150ma, 10V 140MHz
BUK6Y57-60PX Nexperia USA Inc. buk6y57-60px -
RFQ
 ECAD 5705 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 p 채널 60 v 23A (TA) 4.5V, 10V 57mohm @ 4.8a, 10V 3V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 30 v - 66W (TA)
PBSS305NZ,135 Nexperia USA Inc. PBSS305NZ, 135 0.6500
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PBSS305 2 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 80 v 5.1 a 100NA (ICBO) NPN 270mv @ 255ma, 5.1a 180 @ 2A, 2V 110MHz
PEMZ7,115 Nexperia USA Inc. PEMZ7,115 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PEMZ7 300MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 4,000 12V 500ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 220MV @ 10MA, 200MA 200 @ 10ma, 2v 420MHz, 280MHz
BUK6215-75C,118-NEX Nexperia USA Inc. BUK6215-75C, 118-nex -
RFQ
 ECAD 2146 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 75 v 57A (TA) 15mohm @ 15a, 10V 2.8V @ 1MA 61.8 nc @ 10 v ± 16V 3900 pf @ 25 v - 128W (TA)
PSMNR55-40SSHJ Nexperia USA Inc. PSMNR55-40SSHJ 7.0900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1235 MOSFET (금속 (() LFPAK88 (SOT1235) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 500A (TA) 10V 0.55mohm @ 25a, 10V 3.6v @ 1ma 267 NC @ 10 v ± 20V 21162 pf @ 25 v - 375W (TA)
BZX384-C39-QX Nexperia USA Inc. BZX384-C39-QX 0.0390
RFQ
 ECAD 7177 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX384-C39-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 27.3 v 39 v 130 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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