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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PDTA144VMB,315 Nexperia USA Inc. PDTA144VMB, 315 0.0361
RFQ
 ECAD 5203 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 3-xfdfn PDTA144 250 MW DFN1006B-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 40 @ 5MA, 5V 180MHz 47 Kohms 10 KOHMS
BUK7226-75A/C1,118 Nexperia USA Inc. BUK7226-75A/C1,118 1.0000
RFQ
 ECAD 9811 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-BUK7226-75A/C1,118-1727 1 n 채널 75 v 45A (TC) 10V 26mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 48 NC @ 10 v ± 20V 2385 pf @ 25 v - 158W (TC)
BZV55-C7V5,115 Nexperia USA Inc. BZV55-C7V5,115 0.2100
RFQ
 ECAD 819 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-C7V5 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 5 v 7.5 v 15 옴
HPZR-C47-QX Nexperia USA Inc. HPZR-C47-QX 0.4200
RFQ
 ECAD 8923 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, HPZR-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123W 682 MW SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 40 v 47 v 56.18 8
ON5258,215 Nexperia USA Inc. on5258,215 -
RFQ
 ECAD 8899 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 on5258 - - TO-236AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934058041215 귀 99 8541.29.0095 3,000 - - - - -
PMDPB80XP,115 Nexperia USA Inc. PMDPB80XP, 115 0.1438
RFQ
 ECAD 1561 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 PMDPB80 MOSFET (금속 (() 485MW 6- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 2.7a 102mohm @ 2.7a, 4.5v 1V @ 250µA 8.6NC @ 4.5V 550pf @ 10V 로직 로직 게이트 게이트, 1.8V 드라이브
BZX84W-C20-QX Nexperia USA Inc. BZX84W-C20-QX 0.0335
RFQ
 ECAD 8590 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX84W-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84W-C20-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 14 v 20 v 55 옴
PMEG3001EEFZ Nexperia USA Inc. PMEG3001EEFZ 0.2300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 0201 (0603 메트릭) PMEG3001 Schottky DFN0603-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 15,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 460 mV @ 10 ma 1.5 ns 300 na @ 10 v 150 ° C (°) 100ma 4pf @ 1v, 1MHz
PDZ27B-QX Nexperia USA Inc. PDZ27B-QX 0.0273
RFQ
 ECAD 4370 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, PDZ-BQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 PDZ27B 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 21 v 27 v 40
BC807DSF Nexperia USA Inc. BC807DSF 0.4800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 BC807 370MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 45V 500ma 100NA (ICBO) 2 PNP (() 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 80MHz
PMDXB950UPEZ Nexperia USA Inc. pmdxb950upez 0.3700
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 PMDXB950 MOSFET (금속 (() 265MW DFN1010B-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 2 p 채널 (채널) 20V 500ma 1.4ohm @ 500ma, 4.5v 950MV @ 250µA 2.1NC @ 4.5V 43pf @ 10V 논리 논리 게이트
PMBT2222AQAZ Nexperia USA Inc. PMBT2222AQAZ 0.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xdfn d 패드 PMBT2222 325 MW DFN1010D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 40 v 600 MA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 340MHz
BUK7Y80-100PX Nexperia USA Inc. buk7y80-100px -
RFQ
 ECAD 6053 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1,500
PMEG045V050EPE-QZ Nexperia USA Inc. PMEG045V050EPE-QZ 0.6100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn Schottky CFP15B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 490 mV @ 5 a 18 ns 300 µa @ 45 v 175 ° C 5a 540pf @ 1v, 1MHz
PMBT6428,215 Nexperia USA Inc. PMBT6428,215 0.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBT6428 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 10NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 250 @ 100µa, 5V 700MHz
BAS40-05/DG/B2,215 Nexperia USA Inc. BAS40-05/DG/B2,215 -
RFQ
 ECAD 5081 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 Schottky TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934062418215 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 40 v 120MA (DC) 1 v @ 40 ma 10 µa @ 40 v 150 ° C (°)
BZX84-C33/DG/B2,23 Nexperia USA Inc. BZX84-C33/DG/B2,23 -
RFQ
 ECAD 9290 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934062554235 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 23.1 v 33 v 80 옴
PMEG2010BER-QX Nexperia USA Inc. PMEG2010BER-QX 0.4400
RFQ
 ECAD 6298 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W Schottky SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 450 mV @ 1 a 50 µa @ 20 v 150 ° C 1A 185pf @ 1v, 1MHz
BUK6D43-60E,115 Nexperia USA Inc. BUK6D43-60E, 115 -
RFQ
 ECAD 5310 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
PMEG4010ETR,115 Nexperia USA Inc. PMEG4010etr, 115 0.4000
RFQ
 ECAD 73 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W PMEG4010 Schottky SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 490 mV @ 1 a 4.4 ns 50 µa @ 40 v 175 ° C (°) 1A 1V @ 1V, 1MHz
BZX79-C12,133 Nexperia USA Inc. BZX79-C12,133 0.1600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-C12 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 12 v 25 옴
2PB710ASL,215 Nexperia USA Inc. 2PB710ASL, 215 0.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2PB710 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 10NA (ICBO) PNP 600mv @ 30ma, 300ma 170 @ 150ma, 10V 140MHz
BAT46WJ/ZLF Nexperia USA Inc. BAT46WJ/ZLF -
RFQ
 ECAD 5784 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-90, SOD-323F Schottky SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070446135 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 250 mA 5.9 ns 9 µa @ 100 v 150 ° C (°) 250ma 39pf @ 0v, 1MHz
PMCXB1000UEZ Nexperia USA Inc. PMCXB1000UEZ 0.5100
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 PMCXB1000 MOSFET (금속 (() 285MW (TA) DFN1010B-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 n 보완 p 채널 및 30V 590MA (TA), 410MA (TA) 670mohm @ 590ma, 4.5v, 1.4ohm @ 410ma, 4.5v 950MV @ 250µA 1.05NC @ 4.5V, 1.2NC @ 4.5V 30.3pf @ 15V, 43.2pf @ 15V -
BZV55-B4V7,115 Nexperia USA Inc. BZV55-B4V7,115 0.2400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-B4V7 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 2 v 4.7 v 80 옴
BZV55-C16,115 Nexperia USA Inc. BZV55-C16,115 0.2100
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-C16 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 11.2 v 16 v 40
BSR31,135 Nexperia USA Inc. BSR31,135 0.2387
RFQ
 ECAD 7710 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BSR31 1.35 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 5V 100MHz
2N7002HWX Nexperia USA Inc. 2N7002HWX 0.3300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 310MA (TA) 4.5V, 10V 1.6ohm @ 500ma, 10V 2.4V @ 250µA 0.5 nc @ 4.5 v ± 20V 34 pf @ 10 v - 310MW (TA)
BC52PA,115 Nexperia USA Inc. BC52PA, 115 0.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-powerudfn BC52 420 MW 3- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 145MHz
PMPB100ENEAX Nexperia USA Inc. PMPB100ENEAX -
RFQ
 ECAD 9802 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB100 - DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070699115 귀 99 8541.29.0095 3,000 - - - - - ± 20V - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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