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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | BZT52-C24J | 0.2200 | ![]() | 877 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5.8% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52 | 350 MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 ma | 50 NA @ 16.8 v | 24.2 v | 30 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BCP68,115 | 0.4700 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | BCP68 | 1.4 w | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 20 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 100ma, 1a | 85 @ 500ma, 1V | 170MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK663R5-30C, 118 | - | ![]() | 5318 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 30 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 25a, 10V | 2.8V @ 1MA | 78 NC @ 10 v | ± 16V | 4707 pf @ 25 v | - | 158W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
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![]() | BCP51-10TF | 0.4800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | BCP51 | 1.3 w | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 4,000 | 45 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50ma, 500ma | 63 @ 150ma, 2V | 140MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT854CW-QF | 0.0669 | ![]() | 4721 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BAT854 | Schottky | SOT-323 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1727-BAT854CW-QFTR | 귀 99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 음극 음극 공통 | 40 v | 200ma | 550 mV @ 100 ma | 500 na @ 25 v | 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | pmpb15xph | 0.4300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | PMPB15 | MOSFET (금속 (() | DFN2020MD-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 8.2A (TA) | 1.8V, 4.5V | 19mohm @ 8.2a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 100 nc @ 4.5 v | ± 12V | 2875 pf @ 6 v | - | 1.7W (TA), 12.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
BZX84-B33-QR | 0.0400 | ![]() | 8835 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1727-BZX84-B33-QRTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 50 NA @ 23.1 v | 33 v | 80 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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