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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BZX84-C3V6/DG/B4R Nexperia USA Inc. BZX84-C3V6/DG/B4R -
RFQ
 ECAD 8389 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070255215 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
PEMD12,115 Nexperia USA Inc. PEMD12,115 0.4700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PEMD12 300MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 500µa, 10ma 80 @ 5ma, 5V - 47kohms 47kohms
BAS70-04W-QX Nexperia USA Inc. BAS70-04W-QX 0.0588
RFQ
 ECAD 8704 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 BAS70 기준 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BAS70-04W-QXTR 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 70 v 70ma 1 V @ 15 ma 10 µa @ 70 v 150 ° C
PMEG3005EGW115 Nexperia USA Inc. PMEG3005EGW115 -
RFQ
 ECAD 4248 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 PMEG3005 다운로드 0000.00.0000 1
BZT52-C5V1J Nexperia USA Inc. BZT52-C5V1J 0.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.9% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
PMEG2005AEV,115 Nexperia USA Inc. PMEG2005AEV, 115 -
RFQ
 ECAD 2749 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PMEG2005 Schottky SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 390 mV @ 500 mA 200 µa @ 20 v 150 ° C (°) 500ma 80pf @ 1v, 1MHz
BZX84W-C3V6X Nexperia USA Inc. BZX84W-C3V6X 0.0313
RFQ
 ECAD 5135 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX84W 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
PDTC123TM,315 Nexperia USA Inc. PDTC123TM, 315 0.0396
RFQ
 ECAD 7997 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-101, SOT-883 PDTC123 250 MW SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 20MA, 5V 2.2 Kohms
PBSS4140DPN-QF Nexperia USA Inc. PBSS4140DPN-QF 0.1062
RFQ
 ECAD 2614 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PBSS4140 370MW 6TSOP - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBSS4140DPN-QFTR 귀 99 8541.21.0075 10,000 40V 1A 100NA NPN, PNP 500mv @ 100ma, 1a 300 @ 500ma, 5V / 300 @ 100MA, 5V 150MHz
PDTC123ET,215 Nexperia USA Inc. PDTC123ET, 215 0.1700
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC123 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 20MA, 5V 2.2 Kohms 2.2 Kohms
PDTA143ZU,115 Nexperia USA Inc. PDTA143ZU, 115 0.1900
RFQ
 ECAD 7867 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTA143 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 10ma, 5V 4.7 Kohms 47 Kohms
PMEG150G30ELPX Nexperia USA Inc. PMEG150G30ELPX 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-128 PMEG150 750 MW SOD-128/CFP5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 850 mV @ 3 a 30 na @ 150 v 9.1 v 4 옴
PDTC144EQBZ Nexperia USA Inc. PDTC144EQBZ 0.2700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 PDTC144 340 MW DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 100NA pnp- 사전- 100mv @ 500µa, 10ma 80 @ 5ma, 5V 180MHz 47 Kohms 47 Kohms
BSS84,215 Nexperia USA Inc. BSS84,215 0.3500
RFQ
 ECAD 170 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS84 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 50 v 130MA (TA) 10V 10ohm @ 130ma, 10V 2V @ 1mA ± 20V 45 pf @ 25 v - 250MW (TC)
PSMN3R5-80ES,127 Nexperia USA Inc. PSMN3R5-80ES, 127 -
RFQ
 ECAD 8747 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 120A (TC) 10V 3.5mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 139 NC @ 10 v ± 20V 9800 pf @ 30 v - 338W (TC)
BZX384-A13-QX Nexperia USA Inc. BZX384-A13-QX 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 13 v 30 옴
PSMN1R2-25YLDX Nexperia USA Inc. psmn1r2-25yldx 1.6200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn1r2 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1.2MOHM @ 25A, 10V 2.2v @ 1ma 60.3 NC @ 10 v ± 20V 4327 pf @ 12 v Schottky Diode (Body) 172W (TC)
BUK9K29-100E/1X Nexperia USA Inc. BUK9K29-100E/1X -
RFQ
 ECAD 4351 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 buk9k29 68W (TA) LFPAK56D - 1727-buk9k29-100e/1x 귀 99 8541.29.0095 1 100V 30A (TA) 27mohm @ 5a, 10V 2.1v @ 1ma 54NC @ 10V 3637pf @ 25v 논리 논리 게이트
BUK7M6R7-40HX Nexperia USA Inc. BUK7M6R7-40HX 1.0700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) buk7m6 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 50A (TA) 10V 6.7mohm @ 20a, 10V 3.6v @ 1ma 24 nc @ 10 v +20V, -10V 1625 pf @ 25 v - 65W (TA)
PSMN5R4-25YLDX Nexperia USA Inc. psmn5r4-25yldx 0.8500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn5r4 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 70A (TC) 4.5V, 10V 5.69mohm @ 15a, 10V 2.2v @ 1ma 12.4 NC @ 10 v ± 20V 858 pf @ 12 v Schottky Diode (Body) 47W (TC)
PMEG3005EB-QX Nexperia USA Inc. PMEG3005EB-QX 0.1152
RFQ
 ECAD 8928 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 PMEG3005 Schottky SOD-523 - 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 500 mA 500 µa @ 30 v 150 ° C 500ma 24pf @ 1v, 1MHz
PMP5201G,135 Nexperia USA Inc. PMP5201G, 135 -
RFQ
 ECAD 4749 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 PMP5201 300MW 5-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45V 100ma 15NA (ICBO) 2 PNP ((() 일치하는 쌍, 공통 이미 터 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 175MHz
BSP110,115 Nexperia USA Inc. BSP110,115 -
RFQ
 ECAD 5602 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 520MA (TC) 5V 10ohm @ 150ma, 5V 2V @ 1mA ± 20V 40 pf @ 10 v - 6.25W (TC)
BC68PASX Nexperia USA Inc. BC68PASX 0.1038
RFQ
 ECAD 4329 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn n 패드 BC68 420 MW DFN2020D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 20 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 200ma, 2a 85 @ 500ma, 1V 170MHz
PBSS304NX,115 Nexperia USA Inc. PBSS304NX, 115 0.6000
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PBSS304 2.1 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 4.7 a 100NA (ICBO) NPN 245MV @ 235MA, 4.7A 250 @ 2A, 2V 130MHz
BZX79-C24,133 Nexperia USA Inc. BZX79-C24,133 0.1600
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-C24 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 16.8 v 24 v 70 옴
BZT52-C18J Nexperia USA Inc. BZT52-C18J 0.2200
RFQ
 ECAD 6371 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.4% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 12.6 v 17.95 v 20 옴
BZX79-C10,143 Nexperia USA Inc. BZX79-C10,143 0.1600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-C10 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 200 na @ 7 v 10 v 20 옴
BC857CW/DG/B4F Nexperia USA Inc. BC857CW/DG/B4F -
RFQ
 ECAD 5304 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC857 200 MW SC-70 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069126135 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
BAS70-04,215 Nexperia USA Inc. BAS70-04,215 0.2500
RFQ
 ECAD 869 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS70 Schottky TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 70 v 70MA (DC) 1 V @ 15 ma 10 µa @ 70 v 150 ° C (°)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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