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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BSS63,215 Nexperia USA Inc. BSS63,215 0.2700
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS63 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 100 v 100 MA 100NA (ICBO) PNP 250mv @ 2.5ma, 25ma 30 @ 25MA, 1V 85MHz
PDTA143TT,215 Nexperia USA Inc. PDTA143TT, 215 0.1700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTA143 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 150mv @ 250µa, 5mA 200 @ 1ma, 5V 4.7 Kohms
PBSS4260PANSX Nexperia USA Inc. PBSS4260 PANSX 0.5900
RFQ
 ECAD 8360 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PBSS4260 370MW DFN2020D-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60V 2A 100NA (ICBO) 2 NPN (() 350MV @ 200MA, 2A 120 @ 1a, 2v 140MHz
PZU4.3BA-QX Nexperia USA Inc. PZU4.3BA-QX 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 320 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 3 µa @ 1 v 4.25 v 90 옴
PMZ290UNE2YL Nexperia USA Inc. PMZ290UNE2YL 0.3900
RFQ
 ECAD 166 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 PMZ290 MOSFET (금속 (() SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 20 v 1.2A (TA) 1.5V, 4.5V 320mohm @ 1.2a, 4.5v 950MV @ 250µA 1.4 NC @ 4.5 v ± 8V 46 pf @ 10 v - 350MW (TA), 5.43W (TC)
BAT720-QVL Nexperia USA Inc. BAT720-QVL 0.0923
RFQ
 ECAD 7689 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Schottky TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-BAT720-QVLTR 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550MV @ 500 MA 100 µa @ 35 v 125 ° C 500ma 90pf @ 0V, 1MHz
PUMD9,115 Nexperia USA Inc. PUMD9,115 0.2900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumd9 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 5ma, 5V - 10kohms 47kohms
NZH15B,115 Nexperia USA Inc. NZH15B, 115 0.2600
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123F NZH15 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 40 na @ 11 v 15 v 16 옴
BZB84-C9V1,215 Nexperia USA Inc. BZB84-C9V1,215 0.0469
RFQ
 ECAD 4050 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZB84-C9V1 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 15 옴
BZX38450-C2V7X Nexperia USA Inc. BZX38450-C2V7X 0.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
PUMB11,115 Nexperia USA Inc. pumb11,115 0.3000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumb11 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 1µA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 5MA, 5V - 10kohms 10kohms
BZV85-C8V2,113 Nexperia USA Inc. BZV85-C8V2,113 0.3900
RFQ
 ECAD 561 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZV85-C8V2 1.3 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 50 ma 700 na @ 5 v 8.2 v 5 옴
BZV55-B51,115 Nexperia USA Inc. BZV55-B51,115 0.2400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-B51 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 900 mV @ 10 ma 50 na @ 35.7 v 51 v 180 옴
PDZ33BF Nexperia USA Inc. PDZ33BF 0.2100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 PDZ33 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 25 v 32.97 v 40
MMBT3906VL Nexperia USA Inc. MMBT3906VL 0.1400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT3906 TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 40 v 200 MA 50NA (ICBO) PNP 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
BSS138BK,215 Nexperia USA Inc. BSS138BK, 215 0.3700
RFQ
 ECAD 709 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS138 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 360MA (TA) 10V 1.6ohm @ 350ma, 10V 1.6V @ 250µA 0.7 nc @ 4.5 v ± 20V 56 pf @ 10 v - 350MW (TA), 1.14W (TC)
BC807-40-QVL Nexperia USA Inc. BC807-40-QVL 0.0194
RFQ
 ECAD 5868 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC807-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 80MHz
PMEG050T150EPDZ Nexperia USA Inc. PMEG050T150EPDZ 0.9900
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn PMEG050 Schottky CFP15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 550 mV @ 15 a 60 ns 100 µa @ 50 v 175 ° C (°) 15a 800pf @ 10V, 1MHz
PBSS4220V,115 Nexperia USA Inc. PBSS4220V, 115 -
RFQ
 ECAD 1313 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PBSS4220 900 MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 4,000 20 v 2 a 100NA NPN 350MV @ 200MA, 2A 200 @ 1a, 2v 210MHz
BZT52-C68,118 Nexperia USA Inc. BZT52-C68,118 -
RFQ
 ECAD 7219 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 BZT52 다운로드 0000.00.0000 1
NZX15C,133 Nexperia USA Inc. NZX15C, 133 0.2000
RFQ
 ECAD 404 0.00000000 Nexperia USA Inc. NZX 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 NZX15 500MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 50 na @ 10.5 v 15.2 v 40
PSMN015-100YLX Nexperia USA Inc. PSMN015-100YLX 1.5300
RFQ
 ECAD 3331 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMN015 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 69A (TC) 5V, 10V 14.7mohm @ 20a, 10V 2.1v @ 1ma 86.3 NC @ 10 v ± 20V 6139 pf @ 25 v - 195W (TC)
BZX84J-C22,115 Nexperia USA Inc. BZX84J-C22,115 0.0531
RFQ
 ECAD 9141 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZX84J-C22 550 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 NA @ 15.4 v 22 v 25 옴
1PS79SB31,115 Nexperia USA Inc. 1PS79SB31,115 0.3200
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 1PS79SB31 Schottky SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 500 mV @ 200 mA 30 µa @ 10 v 125 ° C (°) 200ma 25pf @ 1v, 1MHz
BZX79-B15,143 Nexperia USA Inc. BZX79-B15,143 0.0321
RFQ
 ECAD 7146 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-B15 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 933166910143 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 10.5 v 15 v 30 옴
BZT52-C4V7X Nexperia USA Inc. BZT52-C4V7X 0.2200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.4% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 2 v 4.7 v 78 옴
NZX33C,133 Nexperia USA Inc. NZX33C, 133 0.2000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. NZX 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 NZX33 500MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 50 NA @ 23.1 v 33.85 v 120 옴
BZT52-C2V7X Nexperia USA Inc. BZT52-C2V7X 0.2200
RFQ
 ECAD 1321 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.4% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v 83 옴
BZX79-C10,133 Nexperia USA Inc. BZX79-C10,133 0.1600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-C10 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 200 na @ 7 v 10 v 20 옴
BZX585-C18,115 Nexperia USA Inc. BZX585-C18,115 0.3400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585-C18 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 12.6 v 18 v 45 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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