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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	전압 - 평가	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	현재 현재 (amp)	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
BUK626R2-40C, 118	-	RFQ	8478	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		MOSFET (금속 (()		DPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널		40 v	90A (TC)	10V	6.2mohm @ 15a, 10V	2.8V @ 1MA	67 NC @ 10 v	± 16V	3720 pf @ 25 v	-	128W (TC)
BZV85-C6V2,113	0.3900	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C		구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	BZV85-C6V2		1 W.	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																1 V @ 50 ma		2 µa @ 3 v							6.2 v	4 옴
PMEG3010EGW-QX	0.0647	RFQ	1400	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인					표면 표면	SOD-123		Schottky		SOD-123	다운로드				1727-PMEG3010EGW-QXTR	귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													30 v	560 mV @ 1 a		150 µa @ 30 v	150 ° C	1A	55pf @ 1v, 1MHz
BZX84W-C62-QX	0.0335	RFQ	5395	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, BZX84W-Q	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.45%		150 ° C (TJ)		표면 표면	SC-70, SOT-323	BZX84W		275 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1727-BZX84W-C62-QXTR	귀 99	8541.10.0050	3,000																900 mV @ 10 ma		50 NA @ 43.4 v							62 v	215 옴
BCV62B, 235	0.5200	RFQ	10	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인		30V		현재 현재	표면 표면	TO-253-4, TO-253AA	BCV62			SOT-143B	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	10,000				100ma																							2 pnp (() 현재 미러 미러
PSMN2R0-30YLE, 115	1.8800	RFQ	4	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	SC-100, SOT-669	PSMN2R0	MOSFET (금속 (()		LFPAK56, POWER-SO8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500			n 채널		30 v	100A (TC)	4.5V, 10V	2MOHM @ 25A, 10V	2.15v @ 1ma	87 NC @ 10 v	± 20V	5217 pf @ 15 v	-	272W (TC)
PMEG045T150EIPDZ	0.9900	RFQ	10	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인					표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	PMEG045	Schottky		CFP15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													45 v	510 mV @ 15 a	49 ns	98 µa @ 45 v	175 ° C (°)	15a	1700pf @ 1v, 1MHz
pxta42f	0.1519	RFQ	7856	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-243AA			1.3 w	SOT-89	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1727-pxta42ftr	귀 99	8541.29.0075	4,000																						300 v	100 MA	100NA (ICBO)			NPN	500mv @ 2ma, 20ma	40 @ 30MA, 10V	50MHz
PMV50XPR	0.4200	RFQ	20	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PMV50	MOSFET (금속 (()		TO-236AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			p 채널		20 v	3.6A (TA)	1.5V, 4.5V	60mohm @ 3.6a, 4.5v	900MV @ 250µA	12 nc @ 4.5 v	± 12V	744 pf @ 20 v	-	490MW (TA), 4.63W (TC)
BSR31,115	0.6100	RFQ	57	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인			150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-243AA	BSR31		1.35 w	SOT-89	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1,000																						60 v	1 a	100NA (ICBO)			PNP	500mv @ 50ma, 500ma	100 @ 100ma, 5V	100MHz
PSMN3R4-30BL, 118	1.6000	RFQ	59	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	psmn3r4	MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800			n 채널		30 v	100A (TC)	4.5V, 10V	3.3mohm @ 25a, 10V	2.15v @ 1ma	64 NC @ 10 v	± 20V	3907 pf @ 15 v	-	114W (TC)
BZX84W-B24-QX	0.0422	RFQ	2951	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, BZX84W-Q	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2.08%		150 ° C (TJ)		표면 표면	SC-70, SOT-323	BZX84W		275 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1727-BZX84W-B24-QXTR	귀 99	8541.10.0050	3,000																900 mV @ 10 ma		50 NA @ 16.8 v							24 v	70 옴
pmn42xpeax	0.4300	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	SC-74, SOT-457	PMN42	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			p 채널		20 v	5.7A (TA)	2.5V, 4.5V	46MOHM @ 3A, 4.5V	1.25V @ 250µA	17.3 NC @ 4.5 v	± 12V	1410 pf @ 10 v	-	500MW (TA), 8.33W (TC)
PZU4.3BA-QX	0.3000	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%		150 ° C (TJ)		표면 표면	SC-76, SOD-323			320 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																1.1 v @ 100 ma		3 µa @ 1 v							4.25 v	90 옴
PUMD3-QF	0.0402	RFQ	4024	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인					표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PUMD3		200MW	6-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1727-pumd3-qftr	귀 99	8541.21.0095	10,000																						50V	100ma	100NA			1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중)	100mv @ 500µa, 10ma	30 @ 5MA, 5V	230MHz, 180MHz	10kohms	10kohms
BZX58550-C5V6X	0.3500	RFQ	323	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%		150 ° C (TJ)		표면 표면	SC-79, SOD-523			300MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																900 mV @ 10 ma		2 µa @ 4 v							5.6 v	40
BC55-10PAS-QX	0.4300	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, BC55XPAS-Q	테이프 & tr (TR)	활동적인			150 ° C (TJ)		표면 표면	3-udfn n 패드			420 MW	DFN2020D-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000																						60 v	1 a	100NA (ICBO)			NPN	500mv @ 50ma, 500ma	63 @ 150ma, 2V	180MHz
PMEG45T15EPDZ	0.9200	RFQ	5	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인					표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	PMEG45	Schottky		CFP15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													45 v	580 mV @ 15 a	20 ns	100 µa @ 45 v	150 ° C (°)	15a	2200pf @ 1v, 1MHz
BSP50,115	0.6400	RFQ	775	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	BSP50		1.25 w	SOT-223	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1,000																						45 v	1 a	50NA			npn-달링턴	1.3V @ 500µa, 500ma	2000 @ 500ma, 10V	200MHz
PDTA143TT, 215	0.1700	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인					표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PDTA143		250 MW	TO-236AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000																						50 v	100 MA	100NA (ICBO)			pnp- 사전-	150mv @ 250µa, 5mA	200 @ 1ma, 5V		4.7 Kohms
BZB84-C9V1,215	0.0469	RFQ	4050	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%		-		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZB84-C9V1		300MW	TO-236AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000	1 양극 양극 공통															900 mV @ 10 ma		500 na @ 6 v							9.1 v	15 옴
PMEG2005EGW-QX	0.0628	RFQ	3627	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인					표면 표면	SOD-123		Schottky		SOD-123	다운로드					귀 99	8541.10.0070	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													20 v	390 mV @ 500 mA		200 µa @ 20 v	150 ° C	500ma	66pf @ 1v, 1MHz
PDZ33B-QZ	0.0279	RFQ	5708	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%		150 ° C (TJ)		표면 표면	SC-76, SOD-323			400MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1727-PDZ33B-QZTR	귀 99	8541.10.0050	3,000																1.1 v @ 100 ma		50 na @ 25 v							33 v	40
PDTA123JU, 115	0.1900	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인					표면 표면	SC-70, SOT-323	PDTA123		200 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000																						50 v	100 MA	100NA (ICBO)			pnp- 사전-	100MV @ 250µA, 5MA	100 @ 10µa, 5V		2.2 Kohms	47 Kohms
PZU2.7B2,115	0.0654	RFQ	5646	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%		-65 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	SC-90, SOD-323F	PZU2.7		310 MW	SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																1.1 v @ 100 ma		20 µa @ 1 v							2.7 v	100 옴
NZH15B, 115	0.2600	RFQ	31	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%		-55 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	SOD-123F	NZH15		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																900 mV @ 10 ma		40 na @ 11 v							15 v	16 옴
PEMB2,115	0.1074	RFQ	3561	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다					표면 표면	SOT-563, SOT-666	PEMB2		300MW	SOT-666	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	4,000																						50V	100ma	1µA			2 pnp--바이어스 (듀얼)	150mv @ 500µa, 10ma	80 @ 5ma, 5V	-	47kohms	47kohms
BZX884-C43,315	0.0382	RFQ	9587	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	SOD-882	BZX884-C43		250 MW	DFN1006-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																900 mV @ 10 ma		50 NA @ 30.1 v							43 v	150 옴
PMZ290UNE2YL	0.3900	RFQ	166	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	SC-101, SOT-883	PMZ290	MOSFET (금속 (()		SOT-883	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	10,000			n 채널		20 v	1.2A (TA)	1.5V, 4.5V	320mohm @ 1.2a, 4.5v	950MV @ 250µA	1.4 NC @ 4.5 v	± 8V	46 pf @ 10 v	-	350MW (TA), 5.43W (TC)
BUK7K32-100EX	1.6300	RFQ	4459	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	SOT-1205, 8-LFPAK56	BUK7K32	MOSFET (금속 (()	64W	LFPAK56D	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500	2 n 채널 (채널)				100V	29a		27.5mohm @ 5a, 10V	4V @ 1MA	34NC @ 10V		2137pf @ 25v	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (9943)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²