전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 응용 응용 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | PEMB15,115 | - | ![]() | 5028 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | PEMB15 | 300MW | SOT-666 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100ma | 1µA | 2 pnp--바이어스 (듀얼) | 150mv @ 500µa, 10ma | 30 @ 10ma, 5V | - | 4.7kohms | 4.7kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884-B15,315 | 0.3300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-882 | BZX884-B15 | 250 MW | DFN1006-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 ma | 50 na @ 10.5 v | 15 v | 15 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52-B13J | 0.2400 | ![]() | 46 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2.31% | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52 | 590 MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 8 v | 13 v | 10 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
BCV47,215 | 0.3800 | ![]() | 145 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCV47 | 250 MW | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 60 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | npn-달링턴 | 1V @ 100µa, 100ma | 10000 @ 100MA, 5V | 220MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC114YQBZ | 0.2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | 표면 표면, 마운트 측면 | 3-xdfn d 패드 | PDTC114 | 340 MW | DFN1110D-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 50 v | 100 MA | 100NA | pnp- 사전- | 100MV @ 250µA, 5MA | 100 @ 5ma, 5V | 180MHz | 10 KOHMS | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z24VT5GF | 0.2900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | MM5Z | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | 300MW | SOD-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 v @ 100 ma | 50 NA @ 16.8 v | 24 v | 70 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
BZX84-B5V1,215 | 0.2100 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84-B5V1 | 250 MW | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 2 µa @ 2 v | 5.1 v | 60 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX56,135 | 0.4700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | BCX56 | 1.25 w | SOT-89 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 4,000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 63 @ 150ma, 2V | 180MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TDZ18J, 115 | 0.3400 | ![]() | 86 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TDZXJ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | TDZ18 | 500MW | SOD-323F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 v @ 100 ma | 50 na @ 12.6 v | 18 v | 20 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV49-C5V1,115 | 0.6200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-243AA | BZV49-C5V1 | 1 W. | SOT-89 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1 V @ 50 ma | 2 µa @ 2 v | 5.1 v | 60 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C3V9,115 | 0.2100 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZV55-C3V9 | 500MW | llds; 최소한 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 900 mV @ 10 ma | 3 µa @ 1 v | 3.9 v | 90 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS321Z | 0.1900 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | BAS321 | 기준 | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 na @ 200 v | 150 ° C (°) | 250ma | 2pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-B11,135 | 0.2400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZV55-B11 | 500MW | llds; 최소한 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 8 v | 11 v | 20 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB784-C5V6,115 | 0.3000 | ![]() | 52 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | - | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BZB784-C5V6 | 350 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 양극 양극 공통 | 900 mV @ 10 ma | 1 µa @ 2 v | 5.6 v | 40 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB784-C13,115 | 0.3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | - | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BZB784-C13 | 180 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 양극 양극 공통 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 8 v | 13 v | 30 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU6.2db2,115 | - | ![]() | 9987 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | 250 MW | 5-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 2 독립 | 900 mV @ 10 ma | 500 na @ 3 v | 6.2 v | 30 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG3010ER, 115 | 0.4200 | ![]() | 136 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123W | PMEG3010 | Schottky | SOD-123W | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 30 v | 360 MV @ 1 a | 1.5 ma @ 30 v | 150 ° C (°) | 1A | 170pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHB191NQ06LT, 118 | 3.0600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | PHB191 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 10V | 3.7mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | 95.6 NC @ 5 v | ± 15V | 7665 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB784-C12,115 | 0.3000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | - | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BZB784-C12 | 180 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 양극 양극 공통 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 8 v | 12 v | 25 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
BSH202,215 | 0.3800 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSH202 | MOSFET (금속 (() | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 520MA (TA) | 4.5V, 10V | 900mohm @ 280ma, 10V | 1.9V @ 1mA | 2.9 NC @ 10 v | ± 20V | 80 pf @ 24 v | - | 417MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
PMEG1030EH, 115 | 0.4000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123F | PMEG1030 | Schottky | SOD-123F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 10 v | 530 mV @ 3 a | 3 ma @ 10 v | 150 ° C (°) | 3A | 85pf @ 1v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
PDTD123YT, 215 | 0.3300 | ![]() | 188 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTD123 | 250 MW | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 500 MA | 500NA | npn-사전- | 300mv @ 2.5ma, 50ma | 70 @ 50MA, 5V | 2.2 Kohms | 10 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||||||
PMEG2010EH, 115 | 0.3900 | ![]() | 104 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123F | PMEG2010 | Schottky | SOD-123F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 20 v | 500 mV @ 1 a | 200 µa @ 20 v | 150 ° C (°) | 1A | 80pf @ 1v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMZ600UNYL | 0.3500 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | PMZ600 | MOSFET (금속 (() | SOT-883 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | n 채널 | 20 v | 600MA (TA) | 1.2V, 4.5V | 620mohm @ 600ma, 4.5v | 950MV @ 250µA | 0.7 nc @ 4.5 v | ± 8V | 21.3 pf @ 10 v | - | 360MW (TA), 2.7W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
BZX8450-C3V9R | 0.2000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 5 µa @ 2 v | 3.9 v | 95 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG2010EJ, 115 | 0.3800 | ![]() | 87 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | PMEG2010 | Schottky | SOD-323F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 20 v | 500 mV @ 1 a | 200 µa @ 20 v | 150 ° C (°) | 1A | 80pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
BZX8450-C5V6-QVL | 0.0262 | ![]() | 8108 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, BZX8450-Q | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX8450 | 250 MW | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 ma | 2 µa @ 4 v | 5.6 v | 40 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG3020CEP, 115 | 0.4800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-128 | PMEG3020 | Schottky | SOD-128/CFP5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 30 v | 420 MV @ 2 a | 1.5 ma @ 30 v | 150 ° C (°) | 2A | 170pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCV62B, 235 | 0.5200 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 30V | 현재 현재 | 표면 표면 | TO-253-4, TO-253AA | BCV62 | SOT-143B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 100ma | 2 pnp (() 현재 미러 미러 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN3R3-60PLQ | 3.3600 | ![]() | 6726 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | psmn3r3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 130A (TC) | 4.5V, 10V | 3.4mohm @ 25a, 10V | 2.1v @ 1ma | 95 NC @ 5 v | ± 20V | 10115 pf @ 25 v | - | 293W (TC) |
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