SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PEMB15,115 Nexperia USA Inc. PEMB15,115 -
RFQ
ECAD 5028 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PEMB15 300MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 1µA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 10ma, 5V - 4.7kohms 4.7kohms
BZX884-B15,315 Nexperia USA Inc. BZX884-B15,315 0.3300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 BZX884-B15 250 MW DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 10.5 v 15 v 15 옴
BZT52-B13J Nexperia USA Inc. BZT52-B13J 0.2400
RFQ
ECAD 46 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.31% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 13 v 10 옴
BCV47,215 Nexperia USA Inc. BCV47,215 0.3800
RFQ
ECAD 145 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCV47 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 500 MA 100NA (ICBO) npn-달링턴 1V @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V 220MHz
PDTC114YQBZ Nexperia USA Inc. PDTC114YQBZ 0.2700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 PDTC114 340 MW DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 100NA pnp- 사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 5ma, 5V 180MHz 10 KOHMS 47 Kohms
MM5Z24VT5GF Nexperia USA Inc. MM5Z24VT5GF 0.2900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. MM5Z 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 NA @ 16.8 v 24 v 70 옴
BZX84-B5V1,215 Nexperia USA Inc. BZX84-B5V1,215 0.2100
RFQ
ECAD 45 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-B5V1 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
BCX56,135 Nexperia USA Inc. BCX56,135 0.4700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX56 1.25 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
TDZ18J,115 Nexperia USA Inc. TDZ18J, 115 0.3400
RFQ
ECAD 86 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, TDZXJ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F TDZ18 500MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 12.6 v 18 v 20 옴
BZV49-C5V1,115 Nexperia USA Inc. BZV49-C5V1,115 0.6200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-243AA BZV49-C5V1 1 W. SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1 V @ 50 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
BZV55-C3V9,115 Nexperia USA Inc. BZV55-C3V9,115 0.2100
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-C3V9 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
BAS321Z Nexperia USA Inc. BAS321Z 0.1900
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 BAS321 기준 SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 200 v 150 ° C (°) 250ma 2pf @ 0V, 1MHz
BZV55-B11,135 Nexperia USA Inc. BZV55-B11,135 0.2400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-B11 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
BZB784-C5V6,115 Nexperia USA Inc. BZB784-C5V6,115 0.3000
RFQ
ECAD 52 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% - 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZB784-C5V6 350 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 2 v 5.6 v 40
BZB784-C13,115 Nexperia USA Inc. BZB784-C13,115 0.3000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% - 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZB784-C13 180 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 13 v 30 옴
PZU6.2DB2,115 Nexperia USA Inc. PZU6.2db2,115 -
RFQ
ECAD 9987 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 250 MW 5-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2 독립 900 mV @ 10 ma 500 na @ 3 v 6.2 v 30 옴
PMEG3010ER,115 Nexperia USA Inc. PMEG3010ER, 115 0.4200
RFQ
ECAD 136 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W PMEG3010 Schottky SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 360 MV @ 1 a 1.5 ma @ 30 v 150 ° C (°) 1A 170pf @ 1v, 1MHz
PHB191NQ06LT,118 Nexperia USA Inc. PHB191NQ06LT, 118 3.0600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PHB191 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 3.7mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 95.6 NC @ 5 v ± 15V 7665 pf @ 25 v - 300W (TC)
BZB784-C12,115 Nexperia USA Inc. BZB784-C12,115 0.3000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% - 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZB784-C12 180 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 12 v 25 옴
BSH202,215 Nexperia USA Inc. BSH202,215 0.3800
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSH202 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 520MA (TA) 4.5V, 10V 900mohm @ 280ma, 10V 1.9V @ 1mA 2.9 NC @ 10 v ± 20V 80 pf @ 24 v - 417MW (TA)
PMEG1030EH,115 Nexperia USA Inc. PMEG1030EH, 115 0.4000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F PMEG1030 Schottky SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 10 v 530 mV @ 3 a 3 ma @ 10 v 150 ° C (°) 3A 85pf @ 1v, 1MHz
PDTD123YT,215 Nexperia USA Inc. PDTD123YT, 215 0.3300
RFQ
ECAD 188 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTD123 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 500 MA 500NA npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 70 @ 50MA, 5V 2.2 Kohms 10 KOHMS
PMEG2010EH,115 Nexperia USA Inc. PMEG2010EH, 115 0.3900
RFQ
ECAD 104 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F PMEG2010 Schottky SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 1 a 200 µa @ 20 v 150 ° C (°) 1A 80pf @ 1v, 1MHz
PMZ600UNEYL Nexperia USA Inc. PMZ600UNYL 0.3500
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 PMZ600 MOSFET (금속 (() SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 20 v 600MA (TA) 1.2V, 4.5V 620mohm @ 600ma, 4.5v 950MV @ 250µA 0.7 nc @ 4.5 v ± 8V 21.3 pf @ 10 v - 360MW (TA), 2.7W (TC)
BZX8450-C3V9R Nexperia USA Inc. BZX8450-C3V9R 0.2000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 2 v 3.9 v 95 옴
PMEG2010EJ,115 Nexperia USA Inc. PMEG2010EJ, 115 0.3800
RFQ
ECAD 87 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F PMEG2010 Schottky SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 1 a 200 µa @ 20 v 150 ° C (°) 1A 80pf @ 1v, 1MHz
BZX8450-C5V6-QVL Nexperia USA Inc. BZX8450-C5V6-QVL 0.0262
RFQ
ECAD 8108 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX8450-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX8450 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 4 v 5.6 v 40
PMEG3020CEP,115 Nexperia USA Inc. PMEG3020CEP, 115 0.4800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 PMEG3020 Schottky SOD-128/CFP5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 420 MV @ 2 a 1.5 ma @ 30 v 150 ° C (°) 2A 170pf @ 1v, 1MHz
BCV62B,235 Nexperia USA Inc. BCV62B, 235 0.5200
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 30V 현재 현재 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BCV62 SOT-143B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 100ma 2 pnp (() 현재 미러 미러
PSMN3R3-60PLQ Nexperia USA Inc. PSMN3R3-60PLQ 3.3600
RFQ
ECAD 6726 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 psmn3r3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 130A (TC) 4.5V, 10V 3.4mohm @ 25a, 10V 2.1v @ 1ma 95 NC @ 5 v ± 20V 10115 pf @ 25 v - 293W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고