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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BZX8450-C3V9R Nexperia USA Inc. BZX8450-C3V9R 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 2 v 3.9 v 95 옴
PHB191NQ06LT,118 Nexperia USA Inc. PHB191NQ06LT, 118 3.0600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PHB191 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 3.7mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 95.6 NC @ 5 v ± 15V 7665 pf @ 25 v - 300W (TC)
PDTC114YQBZ Nexperia USA Inc. PDTC114YQBZ 0.2700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 PDTC114 340 MW DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 100NA pnp- 사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 5ma, 5V 180MHz 10 KOHMS 47 Kohms
MM5Z24VT5GF Nexperia USA Inc. MM5Z24VT5GF 0.2900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. MM5Z 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 NA @ 16.8 v 24 v 70 옴
BZB784-C12,115 Nexperia USA Inc. BZB784-C12,115 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% - 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZB784-C12 180 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 12 v 25 옴
1PS70SB14,115 Nexperia USA Inc. 1PS70SB14,115 0.3800
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 1PS70SB14 Schottky SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 30 v 200MA (DC) 800 mv @ 100 ma 2 µa @ 25 v 150 ° C (°)
PMEG3020CEP,115 Nexperia USA Inc. PMEG3020CEP, 115 0.4800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 PMEG3020 Schottky SOD-128/CFP5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 420 MV @ 2 a 1.5 ma @ 30 v 150 ° C (°) 2A 170pf @ 1v, 1MHz
BZX8450-C5V6-QVL Nexperia USA Inc. BZX8450-C5V6-QVL 0.0262
RFQ
 ECAD 8108 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX8450-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX8450 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 4 v 5.6 v 40
BAS321Z Nexperia USA Inc. BAS321Z 0.1900
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 BAS321 기준 SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 200 v 150 ° C (°) 250ma 2pf @ 0V, 1MHz
BZV55-C3V9,115 Nexperia USA Inc. BZV55-C3V9,115 0.2100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-C3V9 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
BZX884-B15,315 Nexperia USA Inc. BZX884-B15,315 0.3300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 BZX884-B15 250 MW DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 10.5 v 15 v 15 옴
PZU6.2DB2,115 Nexperia USA Inc. PZU6.2db2,115 -
RFQ
 ECAD 9987 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 250 MW 5-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2 독립 900 mV @ 10 ma 500 na @ 3 v 6.2 v 30 옴
BZX84-B5V1,215 Nexperia USA Inc. BZX84-B5V1,215 0.2100
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-B5V1 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
PMEG2010EJ,115 Nexperia USA Inc. PMEG2010EJ, 115 0.3800
RFQ
 ECAD 87 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F PMEG2010 Schottky SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 1 a 200 µa @ 20 v 150 ° C (°) 1A 80pf @ 1v, 1MHz
PDTD123YT,215 Nexperia USA Inc. PDTD123YT, 215 0.3300
RFQ
 ECAD 188 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTD123 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 500 MA 500NA npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 70 @ 50MA, 5V 2.2 Kohms 10 KOHMS
BZT52-B13J Nexperia USA Inc. BZT52-B13J 0.2400
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.31% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 13 v 10 옴
PUMD3,135 Nexperia USA Inc. PUMD3,135 0.2200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMD3 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 5MA, 5V - 10kohms 10kohms
BZX84J-B18,115 Nexperia USA Inc. BZX84J-B18,115 0.3600
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZX84J-B18 550 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 12.6 v 18 v 20 옴
PSMN3R3-60PLQ Nexperia USA Inc. PSMN3R3-60PLQ 3.3600
RFQ
 ECAD 6726 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 psmn3r3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 130A (TC) 4.5V, 10V 3.4mohm @ 25a, 10V 2.1v @ 1ma 95 NC @ 5 v ± 20V 10115 pf @ 25 v - 293W (TC)
PSMN5R6-100YSFQ Nexperia USA Inc. PSMN5R6-100YSFQ -
RFQ
 ECAD 5623 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 psmn5r6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934071218115 귀 99 8541.29.0095 1,500 -
BUK626R2-40C,118 Nexperia USA Inc. BUK626R2-40C, 118 -
RFQ
 ECAD 8478 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 90A (TC) 10V 6.2mohm @ 15a, 10V 2.8V @ 1MA 67 NC @ 10 v ± 16V 3720 pf @ 25 v - 128W (TC)
BZV85-C6V2,113 Nexperia USA Inc. BZV85-C6V2,113 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZV85-C6V2 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 50 ma 2 µa @ 3 v 6.2 v 4 옴
PMEG3010EGW-QX Nexperia USA Inc. PMEG3010EGW-QX 0.0647
RFQ
 ECAD 1400 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 Schottky SOD-123 다운로드 1727-PMEG3010EGW-QXTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 560 mV @ 1 a 150 µa @ 30 v 150 ° C 1A 55pf @ 1v, 1MHz
BZX84W-C62-QX Nexperia USA Inc. BZX84W-C62-QX 0.0335
RFQ
 ECAD 5395 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX84W-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.45% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84W-C62-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 43.4 v 62 v 215 옴
BCV62B,235 Nexperia USA Inc. BCV62B, 235 0.5200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 30V 현재 현재 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BCV62 SOT-143B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 100ma 2 pnp (() 현재 미러 미러
PSMN2R0-30YLE,115 Nexperia USA Inc. PSMN2R0-30YLE, 115 1.8800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMN2R0 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 2MOHM @ 25A, 10V 2.15v @ 1ma 87 NC @ 10 v ± 20V 5217 pf @ 15 v - 272W (TC)
PMEG045T150EIPDZ Nexperia USA Inc. PMEG045T150EIPDZ 0.9900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn PMEG045 Schottky CFP15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 510 mV @ 15 a 49 ns 98 µa @ 45 v 175 ° C (°) 15a 1700pf @ 1v, 1MHz
PXTA42F Nexperia USA Inc. pxta42f 0.1519
RFQ
 ECAD 7856 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 1.3 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-pxta42ftr 귀 99 8541.29.0075 4,000 300 v 100 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 2ma, 20ma 40 @ 30MA, 10V 50MHz
PMV50XPR Nexperia USA Inc. PMV50XPR 0.4200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV50 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.6A (TA) 1.5V, 4.5V 60mohm @ 3.6a, 4.5v 900MV @ 250µA 12 nc @ 4.5 v ± 12V 744 pf @ 20 v - 490MW (TA), 4.63W (TC)
BSR31,115 Nexperia USA Inc. BSR31,115 0.6100
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BSR31 1.35 w SOT-89 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 5V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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