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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BSR30,115 Nexperia USA Inc. BSR30,115 0.6100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BSR30 1.35 w SOT-89 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 100MA, 5V 100MHz
PMEG1020EH,115 Nexperia USA Inc. PMEG1020EH, 115 0.4600
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F PMEG1020 Schottky SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 10 v 460 mV @ 2 a 3 ma @ 10 v 150 ° C (°) 2A 50pf @ 5V, 1MHz
PMV130ENEAR Nexperia USA Inc. PMV130ENEAR 0.4500
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV130 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 2.1A (TA) 4.5V, 10V 120mohm @ 1.5a, 10V 2.5V @ 250µA 3.6 NC @ 10 v ± 20V 170 pf @ 20 v - 460MW (TA), 5W (TC)
BC846A-QR Nexperia USA Inc. BC846A-QR 0.0163
RFQ
ECAD 2728 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC846X-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC846 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
PZU5.1B2A,115 Nexperia USA Inc. PZU5.1B2A, 115 0.2800
RFQ
ECAD 53 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 PZU5.1 320 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 2 µa @ 1.5 v 5.1 v 60 옴
PDTA143XQCZ Nexperia USA Inc. PDTA143XQCZ 0.2700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 PDTA143 360 MW DFN1412D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 100NA pnp- 사전- 100mv @ 500µa, 10ma 50 @ 10ma, 5V 180MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
NHDTC144ETVL Nexperia USA Inc. NHDTC144ETVL 0.2200
RFQ
ECAD 40 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NHDTC144 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 80 v 100 MA 100NA npn-사전- 100mv @ 500µa, 10ma 100 @ 10ma, 5V 170 MHz 47 Kohms 47 Kohms
BUK764R2-80E,118 Nexperia USA Inc. BUK764R2-80E, 118 1.8226
RFQ
ECAD 8051 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BUK764 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 80 v 120A (TC) 10V 4.2MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 136 NC @ 10 v ± 20V 10426 pf @ 25 v - 324W (TC)
BZV55-B10,115 Nexperia USA Inc. BZV55-B10,115 0.3000
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-B10 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 900 mV @ 10 ma 200 na @ 7 v 10 v 20 옴
PSMN1R2-25YL,115 Nexperia USA Inc. PSMN1R2-25YL, 115 2.6800
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1023, 4-LFPAK psmn1r2 MOSFET (금속 (() LFPAK56; Power-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1.2mohm @ 15a, 10V 2.15v @ 1ma 105 NC @ 10 v ± 20V 6380 pf @ 12 v - 121W (TC)
BUK7Y53-100B,115 Nexperia USA Inc. BUK7Y53-100B, 115 1.0000
RFQ
ECAD 1845 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk7y53 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 24.8A (TC) 10V 53mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 22 nc @ 10 v ± 20V 1467 pf @ 25 v - 85W (TC)
BZT52-B30-QX Nexperia USA Inc. BZT52-B30-QX 0.0438
RFQ
ECAD 7986 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZT52-BQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 21 v 30 v 40
BZX79-C20,133 Nexperia USA Inc. BZX79-C20,133 0.1600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-C20 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 14 v 20 v 55 옴
PZTA14,135 Nexperia USA Inc. PZTA14,135 0.1288
RFQ
ECAD 3139 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PZTA14 1.25 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 30 v 500 MA 100NA npn-달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 20000 @ 100MA, 5V 125MHz
BAS316-QX Nexperia USA Inc. BAS316-QX 0.0171
RFQ
ECAD 3651 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 BAS316 기준 SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C 250ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
BC847BW-QX Nexperia USA Inc. BC847BW-QX 0.0221
RFQ
ECAD 8094 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC847XW-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC847 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BZB84-C2V7,215 Nexperia USA Inc. BZB84-C2V7,215 0.0469
RFQ
ECAD 3281 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZB84-C2V7 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934061681215 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
BZX84-C16,235 Nexperia USA Inc. BZX84-C16,235 0.1700
RFQ
ECAD 1521 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-C16 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 11.2 v 16 v 40
PDTA144WU,115 Nexperia USA Inc. PDTA144WU, 115 0.1900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTA144 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 60 @ 5MA, 5V 47 Kohms 22 KOHMS
PZU3.0B1A-QX Nexperia USA Inc. PZU3.0B1A-QX 0.3000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 320 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 10 µa @ 1 v 2.93 v 95 옴
BC856BMBYL Nexperia USA Inc. BC856BMBYL 0.2500
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn BC856 250 MW DFN1006B-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 60 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 200MV @ 500µA, 10MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
BAT54LS-QYL Nexperia USA Inc. BAT54LS-QYL 0.3500
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-882 Bat54 Schottky DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v 150 ° C 200ma 10pf @ 1v, 1MHz
PDTC124EMB,315 Nexperia USA Inc. PDTC124EMB, 315 0.0361
RFQ
ECAD 7618 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 3-xfdfn PDTC124 250 MW DFN1006B-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934065923315 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 100NA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 60 @ 5MA, 5V 230MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
BZX8450-C5V6R Nexperia USA Inc. BZX8450-C5V6R 0.2000
RFQ
ECAD 36 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 4 v 5.6 v 40
1N4745A,113 Nexperia USA Inc. 1N4745A, 113 0.3900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4745 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 12.2 v 16 v 16 옴
BUK9Y12-55B/C3X Nexperia USA Inc. BUK9Y12-55B/C3X -
RFQ
ECAD 4358 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,500 n 채널 55 v 61.8A (TA) 5V, 10V 11mohm @ 20a, 10V 2.15v @ 1ma 32 NC @ 5 v ± 15V 2880 pf @ 25 v - 106W (TA)
PDTC123JMB,315 Nexperia USA Inc. PDTC123JMB, 315 0.2800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 3-xfdfn PDTC123 250 MW DFN1006B-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 10ma, 5V 230MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
BAS28,215 Nexperia USA Inc. BAS28,215 0.4000
RFQ
ECAD 51 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BAS28 기준 SOT-143B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 75 v 215MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 1 µa @ 75 v 150 ° C (°)
PUMD24,115 Nexperia USA Inc. PUMD24,115 0.2900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMD24 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 20MA 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 250µa, 5mA 80 @ 5ma, 5V - 100kohms 100kohms
PMEG6030EP/8X Nexperia USA Inc. PMEG6030EP/8X 0.4500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 SOD-128 PMEG6030 Schottky SOD-128/CFP5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 530 mV @ 3 a 200 µa @ 60 v 150 ° C (°) 3A 360pf @ 1v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고