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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PUMB10,115 Nexperia USA Inc. pumb10,115 0.2900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumb10 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 10ma, 5V 180MHz 2.2kohms 47kohms
PUMD2,165 Nexperia USA Inc. PUMD2,165 0.2900
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumd2 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 500µa, 10ma 60 @ 5MA, 5V - 22kohms 22kohms
NHUMH13X Nexperia USA Inc. NHUMH13X 0.3900
RFQ
ECAD 100 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 nhumh13 350MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80V 100ma 100NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 100mv @ 500µa, 10ma 100 @ 10ma, 5V 170MHz 4.7kohms 47kohms
BC817,215 Nexperia USA Inc. BC817,215 0.1800
RFQ
ECAD 44 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1V 100MHz
BZT52H-B56,115 Nexperia USA Inc. BZT52H-B56,115 0.2400
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 39.2 v 56 v 120 옴
PEMB30,315 Nexperia USA Inc. PEMB30,315 -
RFQ
ECAD 1011 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PEMB30 300MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934059927315 귀 99 8541.21.0095 8,000 50V 100ma 1µA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 20MA, 5V - 2.2kohms -
BZX84-C27/DG/B2,23 Nexperia USA Inc. BZX84-C27/DG/B2,23 -
RFQ
ECAD 1832 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934062551235 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 18.9 v 27 v 80 옴
BZX384-B7V5-QX Nexperia USA Inc. BZX384-B7V5-QX 0.0436
RFQ
ECAD 1542 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX384-B7V5-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 5 v 7.5 v 15 옴
BZX884-C22,315 Nexperia USA Inc. BZX884-C22,315 0.0382
RFQ
ECAD 3716 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 BZX884-C22 250 MW DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 15.4 v 22 v 55 옴
PMEG200G30ELPX Nexperia USA Inc. PMEG200G30ELPX 0.5000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 PMEG200 시기 (게르마늄 실리콘) SOD-128/CFP5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 2a (io) 200 v 880 mV @ 3 a 14 ns 30 na @ 200 v 175 ° C 3A 80pf @ 1v, 1MHz
PMN48XP,115 Nexperia USA Inc. PMN48XP, 115 0.5300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PMN48 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.1A (TA) 2.5V, 4.5V 55mohm @ 2.4a, 4.5v 1.25V @ 250µA 13 nc @ 4.5 v ± 12V 1000 pf @ 10 v - 530MW (TA), 6.25W (TC)
PDTC144ET/DG/B4215 Nexperia USA Inc. PDTC144ET/DG/B4215 0.0200
RFQ
ECAD 84 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-PDTC144ET/DG/B4215-1727 1
PSMN6R7-40MSDX Nexperia USA Inc. psmn6r7-40msdx 0.9900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) psmn6r7 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 50A (TA) 10V 6.7mohm @ 20a, 10V 3.6v @ 1ma 22 nc @ 10 v ± 20V 1642 pf @ 20 v - 65W (TA)
BUK7Y12-55B,115 Nexperia USA Inc. BUK7Y12-55B, 115 1.5100
RFQ
ECAD 97 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk7y12 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 55 v 61.8A (TC) 10V 12MOHM @ 20A, 10V 4V @ 1MA 35.2 NC @ 10 v ± 20V 2067 pf @ 25 v - 105W (TC)
PDTA114EU135 Nexperia USA Inc. PDTA114EU135 -
RFQ
ECAD 5270 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 10,000
BC817-40W/ZL135 Nexperia USA Inc. BC817-40W/ZL135 0.0200
RFQ
ECAD 139 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 BC817 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 10,000
2N7002BK,215 Nexperia USA Inc. 2N7002BK, 215 0.2800
RFQ
ECAD 660 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 350MA (TA) 10V 1.6ohm @ 500ma, 10V 2.1V @ 250µA 0.6 nc @ 4.5 v ± 20V 50 pf @ 10 v - 370MW (TA)
BC807-16W,135 Nexperia USA Inc. BC807-16W, 135 0.0293
RFQ
ECAD 9794 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC807 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1V 80MHz
BZX585-B10,115 Nexperia USA Inc. BZX585-B10,115 0.3800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585-B10 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 200 na @ 7 v 10 v 10 옴
BZX585-C5V1,115 Nexperia USA Inc. BZX585-C5V1,115 0.3300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585-C5V1 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
2PB709BSL,215 Nexperia USA Inc. 2PB709BSL, 215 0.3200
RFQ
ECAD 8340 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2PB709 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 200 MA 10NA (ICBO) PNP 250mv @ 10ma, 100ma 210 @ 2MA, 10V 200MHz
PBSS4160U,115 Nexperia USA Inc. PBSS4160U, 115 0.4400
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PBSS4160 415 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 750 MA 100NA NPN 280mv @ 100ma, 1a 200 @ 500ma, 5V 220MHz
BZX84-B5V1/DG/B2,2 Nexperia USA Inc. BZX84-B5V1/DG/B2,2 -
RFQ
ECAD 6869 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934062533215 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
BZX84-C68,215 Nexperia USA Inc. BZX84-C68,215 0.1600
RFQ
ECAD 188 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-C68 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 47.6 v 68 v 240 옴
PEMH30,315 Nexperia USA Inc. PEMH30,315 -
RFQ
ECAD 6553 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PEMH30 300MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934059926315 귀 99 8541.21.0095 8,000 50V 100ma 1µA 2 npn--바이어스 (듀얼) 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 20MA, 5V - 2.2kohms -
PMEG3020EPASX Nexperia USA Inc. PMEG3020EPASX 0.4500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 3-udfn n 패드 PMEG3020 Schottky DFN2020D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 470 mV @ 2 a 4 ns 2.5 ma @ 30 v 150 ° C (°) 2A 150pf @ 1v, 1MHz
PSMNR90-40YLHX Nexperia USA Inc. psmnr90-40ylhx 3.8700
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1023, 4-LFPAK psmnr90 MOSFET (금속 (() LFPAK56; Power-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 300A (TA) 4.5V, 10V 0.94mohm @ 25a, 10V 2.05V @ 1mA 168 NC @ 10 v ± 20V 12673 pf @ 20 v Schottky Diode (Body) 333W (TA)
PSMN8R5-100ESFQ Nexperia USA Inc. PSMN8R5-100ESFQ -
RFQ
ECAD 3646 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-PSMN8R5-100ESFQ-1727 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 97A (TA) 7V, 10V 8.8mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 44.5 nc @ 10 v ± 20V 3181 pf @ 50 v - 183W (TA)
PZU4.7B1A115 Nexperia USA Inc. PZU4.7B1A115 0.0200
RFQ
ECAD 36 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1
BF723,115 Nexperia USA Inc. BF723,115 0.4100
RFQ
ECAD 892 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BF723 1.2 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 250 v 100 MA 10NA (ICBO) PNP 600mv @ 5ma, 30ma 50 @ 25MA, 20V 60MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고