SIC
close

불연속 불연속 제품 (9943)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BZX585-C4V7,135 Nexperia USA Inc. BZX585-C4V7,135 0.0431
RFQ
 ECAD 3990 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585-C4V7 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 3 µa @ 2 v 4.7 v 80 옴
BUK7575-55A,127 Nexperia USA Inc. BUK7575-55A, 127 -
RFQ
 ECAD 8035 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 20.3A (TC) 10V 75mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 483 pf @ 25 v - 62W (TC)
2PB709ASW,115 Nexperia USA Inc. 2PB709ASW, 115 0.0393
RFQ
 ECAD 1432 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2PB709 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 100 MA 10NA (ICBO) PNP 500mv @ 10ma, 100ma 290 @ 2MA, 10V 80MHz
BZB84-C2V4,215 Nexperia USA Inc. BZB84-C2V4,215 0.0469
RFQ
 ECAD 3912 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZB84-C2V4 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934061680215 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
PBSS8510PA,115 Nexperia USA Inc. PBSS8510PA, 115 0.4800
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-powerudfn PBSS8510 2.1 w 3- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 100 v 5.2 a 100NA NPN 340mv @ 260ma, 5.2a 95 @ 2A, 2V 150MHz
BZX384-B6V2,115 Nexperia USA Inc. BZX384-B6V2,115 0.2300
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
PBSS4160DS,115 Nexperia USA Inc. PBSS4160DS, 115 0.4000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PBSS4160 420MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60V 1A 100NA 2 NPN (() 250mv @ 100ma, 1a 200 @ 500ma, 5V 220MHz
PSMNR82-30YLEX Nexperia USA Inc. psmnr82-30ylex 3.0300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmnr82 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 330A (TA) 7V, 10V 0.87mohm @ 25a, 10V 2.2V @ 2MA 149 NC @ 10 v ± 20V 10131 pf @ 15 v - 268W (TA)
BUK7M20-40HX Nexperia USA Inc. BUK7M20-40HX 0.7700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) BUK7M20 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 25A (TA) 10V 20mohm @ 10a, 10V 3.6v @ 1ma 10.2 NC @ 10 v +20V, -10V 598 pf @ 25 v - 38W (TA)
PZU8.2BL,315 Nexperia USA Inc. PZU8.2BL, 315 0.0382
RFQ
 ECAD 2274 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 PZU8.2 250 MW DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934061677315 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 500 na @ 5 v 8.2 v 10 옴
BZX884S-C51YL Nexperia USA Inc. BZX884S-C51YL -
RFQ
 ECAD 7789 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 ± 5.88% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 35.7 v 51 v 180 옴
PMEG2005AEA/DG,115 Nexperia USA Inc. PMEG2005AEA/DG, 115 -
RFQ
 ECAD 7564 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 표면 표면 SC-76, SOD-323 PMEG2005 Schottky SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 390 mV @ 500 mA 200 µa @ 20 v 140 ° C (°) 500ma 80pf @ 1v, 1MHz
BZT52H-C51,115 Nexperia USA Inc. BZT52H-C51,115 0.2200
RFQ
 ECAD 6777 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 35.7 v 51 v 100 옴
BUK625R2-30C,118 Nexperia USA Inc. BUK625R2-30C, 118 -
RFQ
 ECAD 3536 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 90A (TC) 10V 5.2mohm @ 15a, 10V 2.8V @ 1MA 54.8 nc @ 10 v ± 16V 3470 pf @ 25 v - 128W (TC)
PBSS4260PANPSX Nexperia USA Inc. PBSS4260PANPSX 0.5900
RFQ
 ECAD 2975 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PBSS4260 370MW DFN2020D-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60V 2A 100NA (ICBO) NPN, PNP 350MV @ 200MA, 2A 120 @ 1a, 2v 140MHz
PMV27UPEAR Nexperia USA Inc. pmv27upear 0.4300
RFQ
 ECAD 9117 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV27 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.5A (TA) 1.8V, 4.5V 32mohm @ 4.5a, 4.5v 950MV @ 250µA 22.1 NC @ 4.5 v ± 8V 1820 pf @ 10 v - 490MW (TA), 4.15W (TC)
PBSS303PZ,135 Nexperia USA Inc. PBSS303PZ, 135 0.6500
RFQ
 ECAD 457 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PBSS303 2 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 30 v 5.3 a 100NA (ICBO) PNP 265MV @ 265MA, 5.3A 250 @ 1a, 2v 130MHz
1PS301,115 Nexperia USA Inc. 1ps301,115 0.2900
RFQ
 ECAD 924 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 1ps301 기준 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 80 v 160MA (DC) 1.2 v @ 100 ma 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C (°)
BUK9635-55A,118 Nexperia USA Inc. BUK9635-55A, 118 1.3200
RFQ
 ECAD 2130 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BUK9635 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 34A (TC) 5V, 10V 32mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA ± 10V 1173 pf @ 25 v - 85W (TC)
PSMN013-100ES,127 Nexperia USA Inc. PSMN013-100ES, 127 -
RFQ
 ECAD 9801 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 68A (TC) 10V 13.9mohm @ 15a, 10V 4V @ 1MA 59 NC @ 10 v ± 20V 3195 pf @ 50 v - 170W (TC)
PEMB9,315 Nexperia USA Inc. PEMB9,315 0.1015
RFQ
 ECAD 5299 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PEMB9 300MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934057047315 귀 99 8541.21.0095 8,000 50V 100ma 1µA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 5ma, 5V - 10kohms 47kohms
BZX585-C6V8,115 Nexperia USA Inc. BZX585-C6V8,115 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585-C6V8 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 2 µa @ 4 v 6.8 v 15 옴
BUK7K17-60EX Nexperia USA Inc. BUK7K17-60EX 1.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 BUK7K17 MOSFET (금속 (() 53W LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 60V 30A 14mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 23.6NC @ 10V 1578pf @ 25v -
PDTB143XUX Nexperia USA Inc. PDTB143XUX 0.0680
RFQ
 ECAD 9228 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTB143 300MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA npn-사전- 100mv @ 2.5ma, 50ma 70 @ 50MA, 5V 140MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
BAS70H-QX Nexperia USA Inc. BAS70H-QX 0.0595
RFQ
 ECAD 7546 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F Schottky SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BAS70H-QXTR 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 70 v 1 V @ 15 ma 10 µa @ 70 v 150 ° C 70ma 2pf @ 0V, 1MHz
BAS21JF Nexperia USA Inc. BAS21JF 0.2800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F BAS21 기준 SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.1 v @ 100 ma 50 ns 100 na @ 250 v 150 ° C (°) 250ma 2pf @ 0V, 1MHz
PSMN005-30K,518 Nexperia USA Inc. PSMN005-30K, 518 -
RFQ
 ECAD 7184 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 20A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 15a, 10V 3V @ 1mA 34 NC @ 4.5 v ± 20V 3100 pf @ 25 v - 3.5W (TC)
2PC4081Q-QX Nexperia USA Inc. 2PC4081Q-QX 0.0360
RFQ
 ECAD 7018 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-2PC4081Q-QXTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 100MHz
BF824W,135 Nexperia USA Inc. BF824W, 135 0.4300
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BF824 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 30 v 25 MA 50NA (ICBO) PNP - 25 @ 4MA, 10V 400MHz
PBSS5160TVL Nexperia USA Inc. PBSS5160TVL 0.0820
RFQ
 ECAD 9557 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PBSS5160 TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934057668235 귀 99 8541.29.0075 10,000 60 v 1 a 100NA PNP 175mv @ 50ma, 500ma 200 @ 1ma, 5V 150MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다