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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PSMN7R8-100PSEQ Nexperia USA Inc. PSMN7R8-100PSEQ 4.0300
RFQ
 ECAD 9980 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 psmn7r8 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 100A (TJ) 10V 7.8mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 128 NC @ 10 v ± 20V 7110 pf @ 50 v - 294W (TC)
BZT52-B39-QX Nexperia USA Inc. BZT52-B39-QX 0.0438
RFQ
 ECAD 7664 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZT52-BQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 27.3 v 39 v 75 옴
PZU2.7B,115 Nexperia USA Inc. PZU2.7B, 115 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZU2.7 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
BUK7K12-60EX Nexperia USA Inc. BUK7K12-60EX 1.7600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 BUK7K12 MOSFET (금속 (() 68W LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 60V 40a 9.3mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 10.4NC @ 10V 617pf @ 25v -
PHD9NQ20T,118 Nexperia USA Inc. phd9nq20t, 118 -
RFQ
 ECAD 9520 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 phd9nq20 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 8.7A (TC) 10V 400mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 1MA 24 nc @ 10 v ± 30V 959 pf @ 25 v - 88W (TC)
PEMH2,315 Nexperia USA Inc. PEMH2,315 0.1015
RFQ
 ECAD 4923 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PEMH2 300MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50V 100ma 1µA 2 npn--바이어스 (듀얼) 150mv @ 500µa, 10ma 80 @ 5ma, 5V - 47kohms 47kohms
BC807-40W-QF Nexperia USA Inc. BC807-40W-QF 0.0307
RFQ
 ECAD 3573 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BC807-40W-QFTR 귀 99 8541.21.0095 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 80MHz
PDTA114YQC-QZ Nexperia USA Inc. PDTA114YQC-QZ 0.2900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 PDTA114 360 MW DFN1412D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 100NA pnp- 사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 5ma, 5V 180MHz 10 KOHMS 47 Kohms
BUK953R2-40B,127 Nexperia USA Inc. BUK953R2-40B, 127 -
RFQ
 ECAD 9065 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 100A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 94 NC @ 5 v ± 15V 10502 pf @ 25 v - 300W (TC)
PMEG4010BEA,135 Nexperia USA Inc. PMEG4010BEA, 135 0.3800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 PMEG4010 Schottky SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 640 mV @ 1 a 100 µa @ 40 v 150 ° C (°) 1A 50pf @ 1v, 1MHz
NMBT3906Z Nexperia USA Inc. NMBT3906Z -
RFQ
 ECAD 2749 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-NMBT3906Z 쓸모없는 1
BZT52-B2V4J Nexperia USA Inc. BZT52-B2V4J 0.2400
RFQ
 ECAD 5437 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.08% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 85 옴
BAT54CW-QX Nexperia USA Inc. BAT54CW-QX 0.0354
RFQ
 ECAD 7559 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 Bat54 Schottky SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BAT54CW-QXTR 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 30 v 200ma 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v 150 ° C
PZU16B,115 Nexperia USA Inc. PZU16B, 115 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZU16 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 12 v 16 v 20 옴
BZX585-C6V2,115 Nexperia USA Inc. BZX585-C6V2,115 0.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585-C6V2 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
PDTB123EUX Nexperia USA Inc. PDTB123EUX 0.0680
RFQ
 ECAD 2115 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTB123 300MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068335115 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA npn-사전- 100mv @ 2.5ma, 50ma 40 @ 50MA, 5V 140MHz 2.2 Kohms 2.2 Kohms
BC807-16,235 Nexperia USA Inc. BC807-16,235 0.1800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1V 80MHz
BZV85-C62,133 Nexperia USA Inc. BZV85-C62,133 0.0597
RFQ
 ECAD 8682 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZV85-C62 1.3 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 50 ma 50 na @ 43 v 62 v 175 옴
BCV49-QX Nexperia USA Inc. BCV49-QX 0.1581
RFQ
 ECAD 3434 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCV49 1.3 w SOT-89 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BCV49-QXTR 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 500 MA 100NA (ICBO) npn-달링턴 1V @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V 220MHz
BZT52H-C22,115 Nexperia USA Inc. BZT52H-C22,115 0.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 15.4 v 22 v 25 옴
PBSS4041PT-QR Nexperia USA Inc. PBSS4041PT-QR 0.1740
RFQ
 ECAD 8051 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 390 MW TO-236AB - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBSS4041PT-QRTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 2.7 a 100NA PNP 360mv @ 300ma, 3a 200 @ 500ma, 2v 150MHz
BAS16LS-QYL Nexperia USA Inc. BAS16LS-QYL 0.2600
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-882 BAS16 기준 DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C 215MA 1.5pf @ 0v, 1MHz
PZU3.9B1,115 Nexperia USA Inc. PZU3.9B1,115 0.0654
RFQ
 ECAD 5633 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZU3.9 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
PZU5.6B3,115 Nexperia USA Inc. PZU5.6B3,115 0.2500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZU5.6 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 1 µa @ 2.5 v 5.6 v 40
PZU3.3B2L,315 Nexperia USA Inc. PZU3.3B2L, 315 0.3400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 PZU3.3 250 MW DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
NX7002BKWX Nexperia USA Inc. NX7002BKWX 0.2400
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 NX7002 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 270MA (TA) 5V, 10V 2.8ohm @ 200ma, 10V 2.1V @ 250µA 1 nc @ 10 v ± 20V 23.6 pf @ 10 v - 310MW (TA), 1.67W (TC)
BFS19,235 Nexperia USA Inc. BFS19,235 0.4200
RFQ
 ECAD 2225 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BFS19 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 20 v 30 MA 100NA (ICBO) NPN - 65 @ 1ma, 10V 260MHz
BC817-16-QVL Nexperia USA Inc. BC817-16-QVL 0.0204
RFQ
 ECAD 2202 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC817-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1V 100MHz
PSMN2R2-40BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN2R2-40BS, 118 1.3004
RFQ
 ECAD 7365 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB psmn2r2 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 2.2MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 130 NC @ 10 v ± 20V 8423 pf @ 20 v - 306W (TC)
BZV85-C56,113 Nexperia USA Inc. BZV85-C56,113 0.3900
RFQ
 ECAD 77 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZV85-C56 1.3 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 50 ma 50 na @ 39 v 56 v 150 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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