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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PDTC114YT,215 Nexperia USA Inc. PDTC114YT, 215 0.1700
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC114 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 5ma, 5V 10 KOHMS 47 Kohms
BZB784-C15,115 Nexperia USA Inc. BZB784-C15,115 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% - 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZB784-C15 180 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 50 na @ 10.5 v 15 v 30 옴
BZX84-C47,235 Nexperia USA Inc. BZX84-C47,235 0.1600
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-C47 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 32.9 v 47 v 170 옴
PMZ950UPELYL Nexperia USA Inc. pmz950upelyl 0.4600
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 PMZ950 MOSFET (금속 (() SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 20 v 500MA (TA) 1.5V, 4.5V 1.4ohm @ 500ma, 4.5v 950MV @ 250µA 2.1 NC @ 4.5 v ± 8V 43 pf @ 10 v - 360MW (TA), 2.7W (TC)
BZV85-C62,133 Nexperia USA Inc. BZV85-C62,133 0.0597
RFQ
 ECAD 8682 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZV85-C62 1.3 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 50 ma 50 na @ 43 v 62 v 175 옴
PMEG4010BEA,135 Nexperia USA Inc. PMEG4010BEA, 135 0.3800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 PMEG4010 Schottky SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 640 mV @ 1 a 100 µa @ 40 v 150 ° C (°) 1A 50pf @ 1v, 1MHz
BZV85-C56,113 Nexperia USA Inc. BZV85-C56,113 0.3900
RFQ
 ECAD 77 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZV85-C56 1.3 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 50 ma 50 na @ 39 v 56 v 150 옴
PZU2.7B,115 Nexperia USA Inc. PZU2.7B, 115 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZU2.7 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
BC817-16-QVL Nexperia USA Inc. BC817-16-QVL 0.0204
RFQ
 ECAD 2202 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC817-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1v 100MHz
BUK6215-75C,118-NEX Nexperia USA Inc. BUK6215-75C, 118-nex -
RFQ
 ECAD 2146 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 75 v 57A (TA) 15mohm @ 15a, 10V 2.8V @ 1MA 61.8 nc @ 10 v ± 16V 3900 pf @ 25 v - 128W (TA)
PSMN2R4-30MLD/1X Nexperia USA Inc. psmn2r4-30mld/1x -
RFQ
 ECAD 5686 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-PSMN2R4-30MLD/1X 귀 99 8541.29.0095 1
BUK7K12-60EX Nexperia USA Inc. BUK7K12-60EX 1.7600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 BUK7K12 MOSFET (금속 (() 68W LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 60V 40a 9.3mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 10.4NC @ 10V 617pf @ 25v -
PEMH2,315 Nexperia USA Inc. PEMH2,315 0.1015
RFQ
 ECAD 4923 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PEMH2 300MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50V 100ma 1µA 2 npn--바이어스 (듀얼) 150mv @ 500µa, 10ma 80 @ 5ma, 5V - 47kohms 47kohms
BZT52-B39-QX Nexperia USA Inc. BZT52-B39-QX 0.0438
RFQ
 ECAD 7664 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZT52-BQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 27.3 v 39 v 75 옴
PSMN7R8-100PSEQ Nexperia USA Inc. PSMN7R8-100PSEQ 4.0300
RFQ
 ECAD 9980 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 psmn7r8 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 100A (TJ) 10V 7.8mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 128 NC @ 10 v ± 20V 7110 pf @ 50 v - 294W (TC)
BZT52-B2V4J Nexperia USA Inc. BZT52-B2V4J 0.2400
RFQ
 ECAD 5437 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.08% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 85 옴
BAS40-05/DG/B2,215 Nexperia USA Inc. BAS40-05/DG/B2,215 -
RFQ
 ECAD 5081 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 Schottky TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934062418215 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 40 v 120MA (DC) 1 v @ 40 ma 10 µa @ 40 v 150 ° C (°)
BZX384-C75-QX Nexperia USA Inc. BZX384-C75-QX 0.0390
RFQ
 ECAD 5913 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX384-C75-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 52.15 v 74.5 v 255 옴
BUK953R2-40B,127 Nexperia USA Inc. BUK953R2-40B, 127 -
RFQ
 ECAD 9065 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 100A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 94 NC @ 5 v ± 15V 10502 pf @ 25 v - 300W (TC)
PDZ6.2BZ Nexperia USA Inc. PDZ6.2BZ 0.2100
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 PDZ6.2 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 500 na @ 3 v 6.33 v 80 옴
PZU5.6B3,115 Nexperia USA Inc. PZU5.6B3,115 0.2500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZU5.6 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 1 µa @ 2.5 v 5.6 v 40
BUK6Y32-60PX Nexperia USA Inc. buk6y32-60px -
RFQ
 ECAD 5084 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 p 채널 60 v 40A (TA) 4.5V, 10V 32mohm @ 6.6a, 10V 3V @ 250µA 52.9 NC @ 10 v ± 20V 2590 pf @ 30 v - 106W (TA)
PZU13B2,115 Nexperia USA Inc. PZU13B2,115 0.2500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZU13 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 10 v 13 v 10 옴
BAT54CW-QX Nexperia USA Inc. BAT54CW-QX 0.0354
RFQ
 ECAD 7559 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 Bat54 Schottky SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BAT54CW-QXTR 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 30 v 200ma 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v 150 ° C
PZU16B,115 Nexperia USA Inc. PZU16B, 115 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZU16 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 12 v 16 v 20 옴
PHD9NQ20T,118 Nexperia USA Inc. phd9nq20t, 118 -
RFQ
 ECAD 9520 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 phd9nq20 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 8.7A (TC) 10V 400mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 1MA 24 nc @ 10 v ± 30V 959 pf @ 25 v - 88W (TC)
NMBT3906Z Nexperia USA Inc. NMBT3906Z -
RFQ
 ECAD 2749 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-NMBT3906Z 쓸모없는 1
PZU3.9B1,115 Nexperia USA Inc. PZU3.9B1,115 0.0654
RFQ
 ECAD 5633 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZU3.9 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
BZT52H-C22,115 Nexperia USA Inc. BZT52H-C22,115 0.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 15.4 v 22 v 25 옴
PDZ11B-QX Nexperia USA Inc. PDZ11B-QX 0.0273
RFQ
 ECAD 9666 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, PDZ-BQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 PDZ11B 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 8 v 11 v 10 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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