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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PSMN2R0-60PSR,127 Nexperia USA Inc. PSMN2R0-60PSR, 127 1.0000
RFQ
 ECAD 5159 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 PSMN2R0 다운로드 0000.00.0000 1
BZT52-B4V7-QX Nexperia USA Inc. BZT52-B4V7-QX 0.0438
RFQ
 ECAD 4635 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZT52-BQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 2 v 4.7 v 78 옴
BAS116LS-QYL Nexperia USA Inc. BAS116LS-QYL 0.2700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-882 기준 DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 75 v 1.25 V @ 150 mA 3 µs 5 na @ 75 v 150 ° C 325MA 2pf @ 0V, 1MHz
BAS16VY/ZLH Nexperia USA Inc. BAS16VY/ZLH -
RFQ
 ECAD 9469 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BAS16 기준 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 9340 698 07125 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 3 독립 100 v 200MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C (°)
PMH400UNEH Nexperia USA Inc. pmh400onh 0.3600
RFQ
 ECAD 9298 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn PMH400 MOSFET (금속 (() DFN0606-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 30 v 900MA (TA) 1.5V, 4.5V 460mohm @ 700ma, 4.5v 950MV @ 250µA 0.93 nc @ 4.5 v ± 8V 4540 pf @ 15 v - 360MW (TA), 2.23W (TC)
PMEG3010BEV,115 Nexperia USA Inc. PMEG3010BEV, 115 -
RFQ
 ECAD 1223 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PMEG3010 Schottky SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 560 mV @ 1 a 150 µa @ 30 v 150 ° C (°) 1A 70pf @ 1v, 1MHz
BZX79-B12143 Nexperia USA Inc. BZX79-B12143 0.0200
RFQ
 ECAD 105 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1
PZU4.3B3,115 Nexperia USA Inc. PZU4.3B3,115 0.0654
RFQ
 ECAD 3373 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZU4.3 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
BZT52H-A3V6-QX Nexperia USA Inc. BZT52H-A3V6-QX 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.11% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.6 v 95 옴
BZX585-B4V7,115 Nexperia USA Inc. BZX585-B4V7,115 0.3800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585-B4V7 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 3 µa @ 2 v 4.7 v 80 옴
PMEG40T10ERX Nexperia USA Inc. PMEG40T10ERX 0.4900
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W PMEG40 Schottky SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 400 mV @ 1 a 11.5 ns 22 µa @ 40 v 175 ° C (°) 1A 350pf @ 1v, 1MHz
PUMB11-QF Nexperia USA Inc. pumb11-qf 0.0402
RFQ
 ECAD 6662 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumb11 200MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-pumb11-qftr 귀 99 8541.21.0095 10,000 50V 100ma 1µA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 5MA, 5V 180MHz 10kohms 10kohms
BZX84-B5V1/DG/B3:2 Nexperia USA Inc. BZX84-B5V1/DG/B3 : 2 -
RFQ
 ECAD 9111 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934065257215 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
BZV55-B6V2,115 Nexperia USA Inc. BZV55-B6V2,115 0.2500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-B6V2 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
PMSTA92,115 Nexperia USA Inc. PMSTA92,115 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PMSTA92 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 300 v 100 MA 100NA (ICBO) PNP 2MA, 20MA 250MV 30 @ 30MA, 10V 50MHz
NHUMH10F Nexperia USA Inc. nhumh10f 0.0503
RFQ
 ECAD 6739 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 nhumh10 350MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 80V 100ma 100NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 100mv @ 500µa, 10ma 100 @ 10ma, 5V 170MHz, 150MHz 2.2kohms 47kohms
BUK9K6R8-40EX Nexperia USA Inc. BUK9K6R8-40EX 1.8300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 buk9k6 MOSFET (금속 (() 64W LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 40V 40a 6.1MOHM @ 10A, 10V 2.1v @ 1ma 22.2NC @ 5V 3000pf @ 25V 논리 논리 게이트
BZV55-C4V3,135 Nexperia USA Inc. BZV55-C4V3,135 0.2100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-C4V3 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
BZX84W-B43X Nexperia USA Inc. BZX84W-B43X 0.0389
RFQ
 ECAD 1034 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX84W 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 30.1 v 43 v 150 옴
BUK7107-55ATE,118 Nexperia USA Inc. BUK7107-55ATE, 118 -
RFQ
 ECAD 3732 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-5, d²pak (4 리드 + 탭), TO-263BB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 7mohm @ 50a, 10V 4V @ 1MA 116 NC @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 25 v 온도 온도 다이오드 272W (TC)
BZX84W-B8V2-QF Nexperia USA Inc. BZX84W-B8V2-QF 0.0312
RFQ
 ECAD 8830 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX84W-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.95% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84W-B8V2-QFTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 700 na @ 5 v 8.2 v 15 옴
BZX884S-B7V5-QYL Nexperia USA Inc. BZX884S-B7V5-QYL 0.3700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 5 v 7.5 v 15 옴
BZV55-C16,115 Nexperia USA Inc. BZV55-C16,115 0.2100
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-C16 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 11.2 v 16 v 40
BCP54-16-QF Nexperia USA Inc. BCP54-16-QF 0.1132
RFQ
 ECAD 6858 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 650 MW SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BCP54-16-QFTR 귀 99 8541.21.0075 4,000 45 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 180MHz
BUK7M9R5-40HX Nexperia USA Inc. BUK7M9R5-40HX 0.9100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) buk7m9 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 40A (TA) 10V 9.5mohm @ 15a, 10V 3.6v @ 1ma 18 nc @ 10 v ± 20V 1166 pf @ 25 v - 55W (TA)
BZX884S-B12YL Nexperia USA Inc. BZX884S-B12YL 0.3400
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 ± 1.67% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 12 v 25 옴
BZB84-B13,215 Nexperia USA Inc. BZB84-B13,215 0.0531
RFQ
 ECAD 6634 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZB84-B13 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 13 v 30 옴
BZX84-C3V6-QVL Nexperia USA Inc. BZX84-C3V6-QVL 0.0250
RFQ
 ECAD 6012 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-C3V6-QVLTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
BZX585-B7V5,135 Nexperia USA Inc. BZX585-B7V5,135 0.0496
RFQ
 ECAD 3716 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585-B7V5 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 1 µa @ 5 v 7.5 v 10 옴
BZX84W-B47-QF Nexperia USA Inc. BZX84W-B47-QF 0.0312
RFQ
 ECAD 1432 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX84W-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.91% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84W-B47-QFTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 32.9 v 47 v 170 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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