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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BZT52H-A27-QX Nexperia USA Inc. BZT52H-A27-QX 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 18.9 v 27 v 40
BZX84-B13-QVL Nexperia USA Inc. BZX84-B13-QVL 0.0314
RFQ
 ECAD 1583 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-B13-QVLTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 13 v 30 옴
BZB84-B16VL Nexperia USA Inc. BZB84-B16VL 0.3000
RFQ
 ECAD 309 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZB84-B16 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 11.2 v 16 v 40
NZX33C,133 Nexperia USA Inc. NZX33C, 133 0.2000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. NZX 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 NZX33 500MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 50 NA @ 23.1 v 33.85 v 120 옴
BZX884S-B5V6YL Nexperia USA Inc. BZX884S-B5V6YL 0.3500
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.96% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 BZX884S-B5V6 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 2 v 5.6 v 40
BAV20,113 Nexperia USA Inc. bav20,113 0.2100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BAV20 기준 ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 150 v 175 ° C (°) 250ma 5pf @ 0V, 1MHz
BAT120S,115 Nexperia USA Inc. BAT120S, 115 0.6500
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BAT120 Schottky SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 25 v 1A (DC) 450 mV @ 1 a 1 ma @ 25 v 125 ° C (°)
BZX84J-B2V7,115 Nexperia USA Inc. BZX84J-B2V7,115 0.3600
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZX84J-B2V7 550 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
PZU2.7BL,315 Nexperia USA Inc. PZU2.7BL, 315 0.0382
RFQ
 ECAD 1054 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 PZU2.7 250 MW DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934061653315 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
BC849CW,135 Nexperia USA Inc. BC849CW, 135 0.2100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC849 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
PUMB3HX Nexperia USA Inc. pumb3hx -
RFQ
 ECAD 8827 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumb3 240MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 1727-pumb3hx 쓸모없는 1 50V 100ma 100NA 2 pnp 프리 p p (듀얼) 100mv @ 500µa, 10ma 200 @ 1ma, 5V 180MHz 4.7kohms -
BC850CW,135 Nexperia USA Inc. BC850CW, 135 0.2100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC850 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
PMEG2010BEA,115 Nexperia USA Inc. PMEG2010BEA, 115 0.4500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 PMEG2010 Schottky SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 1 a 200 µa @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 80pf @ 1v, 1MHz
BUK9Y104-100B,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y104-100B, 115 0.8400
RFQ
 ECAD 2734 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk9y104 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 14.8A (TC) 5V, 10V 99mohm @ 5a, 10V 2.15v @ 1ma 11 NC @ 5 v ± 15V 1139 pf @ 25 v - 59W (TC)
BZX38450-C1V8-QF Nexperia USA Inc. BZX38450-C1V8-QF 0.2400
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX38450-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX38450 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 7.5 µa @ 1 v 1.8 v 100 옴
BZX79-B75,113 Nexperia USA Inc. BZX79-B75,113 0.2100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-B75 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 52.5 v 75 v 255 옴
BZB84-B9V1,215 Nexperia USA Inc. BZB84-B9V1,215 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZB84-B9V1 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 15 옴
BZX884-B62,315 Nexperia USA Inc. BZX884-B62,315 0.3200
RFQ
 ECAD 8087 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 BZX884-B62 250 MW DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 43.4 v 62 v 215 옴
PZU5.6BA-QX Nexperia USA Inc. PZU5.6BA-QX 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 320 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 1 ma @ 2.5 v 5.62 v 40
BZX84J-C5V6,115 Nexperia USA Inc. BZX84J-C5V6,115 0.3000
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZX84J-C5V6 550 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 1 µa @ 2 v 5.6 v 40
PMZB790SN,315 Nexperia USA Inc. PMZB790SN, 315 -
RFQ
 ECAD 7827 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn MOSFET (금속 (() DFN1006B-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 60 v 650MA (TA) 4.5V, 10V 940mohm @ 300ma, 10V 3V @ 250µA 1.37 NC @ 10 v ± 20V 35 pf @ 30 v - 360MW (TA), 2.7W (TC)
NZH4V3B,115 Nexperia USA Inc. NZH4V3B, 115 0.2600
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123F NZH4V3 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 4.3 v 40
BZX79-C4V7,133 Nexperia USA Inc. BZX79-C4V7,133 0.1600
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-C4V7 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 2 v 4.7 v 80 옴
PMEG060T040CLPE-QZ Nexperia USA Inc. PMEG060T040CLPE-QZ 0.6600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn PMEG060 Schottky CFP15B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 2A 620 MV @ 2 a 12 ns 1.2 µa @ 60 v 175 ° C
PMV48XPVL Nexperia USA Inc. pmv48xpvl 0.1715
RFQ
 ECAD 9236 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 pmv48 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934065361235 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 20 v 3.5A (TA) 2.5V, 4.5V 55mohm @ 2.4a, 4.5v 1.25V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 12V 1000 pf @ 10 v - 510MW (TA)
BZX84-C27-QR Nexperia USA Inc. BZX84-C27-QR 0.0319
RFQ
 ECAD 5364 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-C27-QRTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 18.9 v 27 v 80 옴
PMBT2222AMYL Nexperia USA Inc. PMBT2222AMYL 0.2700
RFQ
 ECAD 895 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 PMBT2222 250 MW SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 40 v 600 MA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 340MHz
PMDXB950UPEZ Nexperia USA Inc. pmdxb950upez 0.3700
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 PMDXB950 MOSFET (금속 (() 265MW DFN1010B-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 2 p 채널 (채널) 20V 500ma 1.4ohm @ 500ma, 4.5v 950MV @ 250µA 2.1NC @ 4.5V 43pf @ 10V 논리 논리 게이트
1N4733A,113 Nexperia USA Inc. 1N4733A, 113 0.3900
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4733 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 5.1 v 7 옴
PMEG4030ER-QX Nexperia USA Inc. PMEG4030ER-QX 0.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W Schottky SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 540 mV @ 3 a 100 µa @ 40 v 150 ° C 3A 250pf @ 1v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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